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Omdia大幅上調(diào)預(yù)期：2026年半導(dǎo)體行業(yè)增速飆升至62.7%

2026年全球半導(dǎo)體市場將迎來爆發(fā)式行情，市場研究機構(gòu)Omdia上調(diào)行業(yè)收入增速預(yù)期至62.7%。此次預(yù)期上調(diào)，源于人工智能算力需求持續(xù)重塑基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)格局，帶動DRAM、NAND等存儲芯片需求暴漲。這預(yù)示著整條供應(yīng)鏈機...

半導(dǎo)體人工智能 2026-04-29

JEDEC公布LPDDR6升級方向，推進AI內(nèi)存SOCAMM2標(biāo)準(zhǔn)制定

在 AI 與邊緣計算需求激增的背景下，內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)正快速演進。JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會近期公布，正為JESD209?6 LPDDR6標(biāo)準(zhǔn)下一版規(guī)劃新增特性，并確認(rèn)基于 LPDDR6 的SOCAMM2（片上系統(tǒng)先進內(nèi)存模塊）規(guī)...

JEDEC LPDDR6 2026-04-24

三星1d DRAM良率問題或拖慢HBM5E量產(chǎn)計劃

據(jù)韓國媒體報道，三星電子的新一代1d DRAM（第七代10nm工藝）因良率未達(dá)標(biāo)，短期內(nèi)可能無法實現(xiàn)量產(chǎn)，進而影響其下一代HBM內(nèi)存的推進節(jié)奏。這一技術(shù)問題直接波及三星計劃中的HBM5E產(chǎn)品大規(guī)模生產(chǎn)。一位接近三星內(nèi)部的...

三星 1d DRAM 2026-04-23

1864億！SK海力士達(dá)營業(yè)利潤率高達(dá)72%，碾壓臺積電

2026年4月23日，SK海力士今日發(fā)布截至2026年3月31日的2026財年第一季度財務(wù)報告。?SK海力士2026年第一季度主要數(shù)據(jù)：營收52.58萬億韓元（2429.2億元人民幣），較上一季度的32.83萬億韓元增長...

SK海力士 DRAM 2026-04-23

NAND報價狂漲：LTA將成為存儲器行業(yè)主流模式

本輪半導(dǎo)體行業(yè)復(fù)蘇的核心引擎，當(dāng)屬NAND閃存的價格暴漲。據(jù)摩根士丹利證券預(yù)測，MLC（及成熟制程TLC）產(chǎn)品價格從今年首季到第四季漲幅將超過200%，下半年供需失衡幅度或達(dá)40%，缺口持續(xù)擴大助推價格飆升。DRAM漲幅...

NAND LTA 2026-04-14

DRAM的 “打地鼠” 式安全危機

核心要點Rowhammer（行錘）仍是 DRAM 的主要安全威脅，Rowpress（行壓）正成為新的相關(guān)威脅。內(nèi)存控制器發(fā)出的新型刷新指令可緩解問題，但并非完美解決方案。更小的垂直結(jié)構(gòu) DRAM 單元有望從根本上消除...

DRAM 安全危機 2026-04-10

三星無懼DRAM崩盤恐慌：一季度漲價翻倍后，二季度再提價 30%

如今的內(nèi)存市場，簡直像維多利亞時代那位被焦慮裹挾的貴婦一樣歇斯底里。最典型的例子就是通用 DRAM 領(lǐng)域：現(xiàn)貨價格小幅回調(diào)，就引發(fā)了 “行業(yè)末日” 的唱衰論調(diào)，甚至連帶股價大跌。但三星這類真正的行業(yè)巨頭卻始終淡定，并且鐵...

三星 DRAM 2026-04-09

內(nèi)存漲不停 Q2上看5成

TrendForce最新存儲器產(chǎn)業(yè)研究指出，大廠逐步退出成熟DDR4以下產(chǎn)品制造的策略不變，在市場供給結(jié)構(gòu)持續(xù)收斂下，過去幾個月，整體價格已累積驚人漲幅。由于目前市場供需仍未平衡，市場普遍看好，內(nèi)存報價漲勢，至少將延伸...

內(nèi)存 TrendForce 2026-04-08

DRAM合約價再度上漲30%

韓國媒體ETnews報道，三星在一季度將DRAM合約價上漲了100%之后，二季度的DRAM合約價將再度上漲30%。由于隨著對AI基礎(chǔ)設(shè)施投資的擴展，包括三星在內(nèi)的主要內(nèi)存制造商將產(chǎn)能集中在HBM上，通用DRAM的供應(yīng)變得...

DRAM SK海力士 2026-04-07

美光CEO：DRAM供不應(yīng)求將持續(xù)至2027年

4月2日，據(jù)外資投行摩根士丹利針對美光科技（Micron）的跟蹤報告顯示，美光董事長兼CEO Sanjay Mehrotra在近期投資人會議中透露，盡管美光正在加速擴產(chǎn)DRAM，但新產(chǎn)能最快要到2027年底才能出貨。因此...

美光 DRAM 2026-04-03

長鑫科技IPO最新進展

根據(jù)上交所官網(wǎng)披露的信息顯示，國產(chǎn)DRAM巨頭長鑫科技科創(chuàng)板IPO審核狀態(tài)變更為“中止”，引起市場關(guān)注。關(guān)于此次“中止”，上交所給出的說明為“長鑫科技集團股份有限公司因發(fā)行上市申請文件中記載的財務(wù)資料已過有效期，需要補充...

長鑫科技 IPO 2026-04-02

存儲市場超級周期來臨：AI 驅(qū)動下的機遇、挑戰(zhàn)與產(chǎn)業(yè)重構(gòu)

存儲器行業(yè)固有的 boom-bust 周期魔咒、供應(yīng)鏈重構(gòu)壓力、技術(shù)迭代挑戰(zhàn)以及全球產(chǎn)業(yè)格局的重新洗牌，也讓這場繁榮背后暗藏多重考驗。...

存儲市場超級周期 2026-03-27

“黃金氣體”短缺成為半導(dǎo)體供應(yīng)鏈新危機

中東沖突的蔓延正通過氦氣短缺影響半導(dǎo)體供應(yīng)鏈。伊朗對全球主要氦氣生產(chǎn)國卡塔爾的設(shè)施發(fā)動襲擊，導(dǎo)致現(xiàn)貨價格翻番，并加劇了合同壓力。氦氣在晶圓刻蝕中不可替代，這對芯片生產(chǎn)構(gòu)成重大風(fēng)險，尤其對三星電子和SK海力士等韓國企業(yè)造成...

半導(dǎo)體芯片 2026-03-26

閃迪10億美元入股南亞科技，強化DRAM供應(yīng)鏈合作

據(jù)彭博社報道，存儲芯片巨頭閃迪（Sandisk）旗下子公司閃迪科技（Sandisk Technology）近日通過私募配售方式，以10億美元收購南亞科技1.39億股股份，占其流通普通股比例約3.9%。南亞科技...

閃迪南亞科技 2026-03-26

三星面臨大罷工，存儲價格或加速上漲

最新消息，由超過6.6萬名韓國三星電子工會成員參與表決的投票結(jié)果顯示，93.1%的工會成員贊成罷工。若無重大變化，三星電子工會成員將于5月21日至6月7日全面罷工。據(jù)悉，本次罷工將是三星史上最大規(guī)模的罷工計劃。關(guān)鍵訴求：...

三星存儲 2026-03-19

Q1 DRAM再漲180%，NAND漲150%

據(jù)韓媒Chosun Biz、韓聯(lián)社等援引市調(diào)機構(gòu)Counterpoint Research數(shù)據(jù)顯示，2026年第一季度，64GB服務(wù)器級DRAM模塊（RDIMM）DDR5價格較2025年第四季度上漲150%，移動終端用1...

DRAM NAND 2026-03-17

全球首款1c LPDDR6，來了

SK 海力士宣布，已成功開發(fā)基于第六代 10 奈米級（1c）制程技術(shù)的 16Gb LPDDR6 DRAM。公司表示，該產(chǎn)品已完成全球首度 1c LPDDR6 驗證，預(yù)計今年上半年完成量產(chǎn)準(zhǔn)備，并于下半年開始供貨。LPDD...

SK 海力士 LPDDR6 DRAM 2026-03-13

應(yīng)用材料與美光、SK海力士合作

隨著人工智能熱潮推動存儲需求增長，半導(dǎo)體設(shè)備制造商在收獲紅利的同時，也在加深與頭部存儲廠商的合作。據(jù)路透社報道，應(yīng)用材料（Applied Materials）已與美光科技（Micron）、SK 海力士達(dá)成合作，共同開發(fā)對...

應(yīng)用材料美光 2026-03-12

海力士推出超性能版LPDDR6內(nèi)存：較LPDDR5X速度提升33%、能效提升20%

海力士宣布成功研發(fā)首款 LPDDR6 動態(tài)隨機存取存儲器，超性能版LPDDR6內(nèi)存較LPDDR5X速度提升33%、能效提升20%，16Gb 芯片速率達(dá) 10.7Gbps，基于 10nm 工藝打造。LPDDR6 內(nèi)存架構(gòu)一...

海力士 LPDDR6 2026-03-11

應(yīng)用材料攜手美光加速HBM、閃存及DRAM技術(shù)研發(fā)

應(yīng)用材料公司今日宣布，正與美光科技展開合作，研發(fā)新一代動態(tài)隨機存取存儲器、高帶寬內(nèi)存及閃存解決方案，以提升人工智能系統(tǒng)的高能效表現(xiàn)。雙方整合了應(yīng)用材料位于硅谷的 EPIC 創(chuàng)新中心的先進研發(fā)能力，以及美光位于愛達(dá)荷州博伊...

應(yīng)用材料美光 2026-03-11

存儲漲價后遺癥來了

此前，國家發(fā)改委價格監(jiān)測中心發(fā)文稱，2025 年 9 月至今，受需求「爆發(fā)式」增長、產(chǎn)能「斷崖式」緊缺等因素影響，全球存儲器市場缺口擴大，存儲芯片價格持續(xù)上漲，近 1 個月多以來，漲幅呈現(xiàn)擴大態(tài)勢，建議關(guān)注存儲芯片對下游...

DRAM Flash 2026-03-10

存儲器現(xiàn)貨價格最新動態(tài)：DRAM 現(xiàn)貨價高于合約價，二季度議價前市場情緒謹(jǐn)慎

DRAM 平均現(xiàn)貨價格（2 月 25 日 - 3 月 3 日）DDR5 16Gb 4800/5600（2G×8）：77.36→79.14，漲幅 2.25%DDR5 16Gb（2G×8）eTT 版 3200：38.67→3...

存儲器 DRAM 2026-03-05

內(nèi)存價格邁入小時級波動，中小廠商爭搶剩余貨源艱難求生

人工智能引發(fā)內(nèi)存供應(yīng)危機，DRAM 市場被迫啟用 “小時級定價” 模式 —— 數(shù)萬家中小企業(yè)為生存展開激烈爭奪逾 19 萬家中小型電子企業(yè)正被人工智能浪潮擠出內(nèi)存市場。據(jù)《電子時報》今日發(fā)布的報道，受人工智能需求激增引發(fā)...

內(nèi)存 DRAM 2026-03-04

三星和SK海力士將繼續(xù)大幅提高DRAM價格

據(jù)報道，全球前兩大DRAM芯片大廠三星和SK海力士已向客戶發(fā)出通知，今年第二季度將繼續(xù)大幅提高DRAM價格。而具體的漲價幅度則因客戶而異，但中小型客戶可能將不得不接受大幅漲價以確保DRAM供應(yīng)。這一波DRAM價格的持續(xù)上...

三星 SK海力士 2026-03-03

DDR5顆粒擬漲40%，Q2 DRAM價格或翻倍

據(jù)中國臺灣媒體報道，SK海力士和三星兩大內(nèi)存巨頭接連傳出漲價消息，DDR5內(nèi)存顆粒價格擬上調(diào)40%，第二季度DRAM價格或?qū)⒎丁?nbsp;內(nèi)存模組廠商已暫停對外報價，等待成本重新核算。據(jù)中國臺灣《PCDIY！》資深記...

DDR5 DRAM 2026-02-28

存儲芯片價格持續(xù)攀升，DRAM和NAND再創(chuàng)新高

據(jù)市場研究公司DRAMeXchange于2月27日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，DRAM和NAND閃存芯片的價格繼續(xù)同步上漲，其中DRAM價格再次創(chuàng)下歷史新高，達(dá)到13美元，而NAND閃存價格漲幅超過33%。自去年4月以來，通用DRA...

存儲芯片 DRAM 2026-02-28

存儲價格將繼續(xù)上漲

隨著AI服務(wù)的進步，需求不斷增長，而供應(yīng)仍然有限，分析師預(yù)計今年內(nèi)存價格的上漲趨勢將持續(xù)。一些人認(rèn)為，市場已經(jīng)進入了供應(yīng)商主導(dǎo)的階段。目前，SK海力士的DRAM和NAND庫存已降至約四周的供應(yīng)量。穩(wěn)健的庫存管理和緊張的供...

存儲 NAND 2026-02-24

華邦電子預(yù)計DRAM價格到2026年6月將暴漲近4倍，產(chǎn)能已預(yù)訂至2027年

AI應(yīng)用持續(xù)推動內(nèi)存需求激增，昨日華邦電子（Winbond）在法說會上指出，DRAM供應(yīng)緊張已成為當(dāng)前焦點。據(jù)《經(jīng)濟日報》報道，公司表示DRAM短缺將持續(xù)存在，本季度內(nèi)存價格預(yù)計將飆升90%–95%，而下一季度的漲幅有望...

華邦 DRAM 2026-02-12

如何走出DRAM短缺困境？

如今科技領(lǐng)域似乎一切都圍繞AI展開，而事實也的確如此。在計算機內(nèi)存市場，這一點體現(xiàn)得尤為明顯。為AI數(shù)據(jù)中心中GPU及其他加速芯片提供支持的DRAM需求極其旺盛、利潤空間巨大，導(dǎo)致原本用于其他領(lǐng)域的內(nèi)存產(chǎn)能被分流，價格也...

DRAM GPU 2026-02-12

英特爾重返 DRAM 賽道？深入解析與軟銀合作的 Z-Angle 內(nèi)存項目

2 月 2 日，英特爾宣布與軟銀子公司 SAIMEMORY 達(dá)成合作，共同研發(fā) Z-Angle 內(nèi)存（ZAM），其內(nèi)存領(lǐng)域的野心再度引發(fā)關(guān)注。根據(jù)雙方發(fā)布的新聞稿，該項目將于 2026 年第一季度啟動，預(yù)計 2027 年...

英特爾 DRAM 2026-02-04

電動車企成本的“完美風(fēng)暴”正在形成

瑞銀在最新研報中稱，隨著2026年初刺激政策的全面退潮和5%購置稅的征收，需求端本就疲軟。然而，供給端卻迎來了大宗商品（銅、鋁、鋰）和關(guān)鍵零部件（存儲芯片DRAM）價格的劇烈反彈。據(jù)該行測算，一輛典型的中型智能電動車的成...

電動車 DRAM 2026-02-03

上調(diào)100%！存儲市場又一重磅調(diào)價信號

三星今年第一季度對NAND閃存的供應(yīng)合約價格已上調(diào)超過100%，目前客戶已收到通知。據(jù)行業(yè)知情人士透露，三星去年底已經(jīng)完成了與主要客戶的供應(yīng)合同談判，從一月起正式實施新的價格體系。另外，SK海力士也對NAND產(chǎn)品采取了類...

存儲 NAND 2026-01-27

瑞銀示警：DRAM短缺逼近汽車業(yè) 2大品牌最危險

生成式人工智能（AI）浪潮席卷全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，卻可能為汽車供應(yīng)鏈埋下新的不確定性。瑞銀最新發(fā)布的全球汽車產(chǎn)業(yè)研究報告警告，受AI服務(wù)器需求暴增影響，DRAM產(chǎn)能正大幅向高帶寬記憶體（HBM）傾斜，導(dǎo)致汽車級存儲器面臨價...

瑞銀 DRAM 2026-01-23

內(nèi)存現(xiàn)貨價格更新：DRAM飆升，賣家壓制庫存，主流DDR4上漲10%

根據(jù)TrendForce最新的記憶現(xiàn)貨價格趨勢報告，關(guān)于DRAM的現(xiàn)貨價格持續(xù)日復(fù)一日上漲，盡管交易依然低迷，供應(yīng)商和交易員囤積庫存，推動主流DDR4 1Gx8 3200MT/s芯片平均價格上漲9.64%。與此同時，在N...

DDR4 DRAM 2026-01-19

2026年全球DRAM供應(yīng)仍將嚴(yán)重不足

據(jù)韓媒Chosun Biz援引市調(diào)機構(gòu)Omdia數(shù)據(jù)，2026年三星電子的DRAM晶圓產(chǎn)量預(yù)計為793萬片，較2025年的759萬片增長約5%。SK海力士的DRAM產(chǎn)量則預(yù)計將從2025年的597萬片提升至2026年的6...

DRAM 供應(yīng) 2026-01-15

華碩預(yù)告視頻展示了即將推出的AM5“Neo”主板——更新可能包括新的AIO接口、M.2升級以及NitroPath DRAM支持超高速DDR5

華碩發(fā)布了一段18秒的預(yù)告視頻，展示了其即將推出的Neo主板，旨在與市場上最好的主板競爭。ROG Crosshair、ROG Strix、TUF Gaming和ProArt系列的新Neo版本將為AMD的AM5平臺帶來顯著...

AM5“Neo”主板華碩Neo主板 2025-12-30

據(jù)報道，AI將在2026年消耗全球DRAM晶圓容量的20%，HBM和GDDR7引領(lǐng)需求

隨著人工智能基礎(chǔ)設(shè)施的逐步擴充，內(nèi)存供應(yīng)緊張，價格飆升。《商業(yè)時報》援引行業(yè)專家的話，預(yù)測云高速內(nèi)存消耗到2026年可能達(dá)到3艾字節(jié)（EB）。值得注意的是，考慮到高速內(nèi)存如HBM和GDDR7的“等效晶圓使用量”，報告警告...

AI DRAM 2025-12-30

三星發(fā)布與InGaO合作的亞10納米DRAM突破，據(jù)報道關(guān)注0a/0b的采用

三星電子于7月完成了6代10納米級工藝的1代1c DRAM開發(fā)后，現(xiàn)正推進下一代DRAM技術(shù)。據(jù)The Elec報道，三星與三星先進技術(shù)研究院（SAIT）發(fā)布了一種實現(xiàn)亞10納米DRAM的新方法，可能適用于0a和0b D...

三星 DRAM 2025-12-18

三星CEO據(jù)報道將就緊張的移動DRAM供應(yīng)問題，罕見的參加CES會議

在內(nèi)存價格急劇上漲的背景下，即使是三星也感受到了壓力，盡管三星內(nèi)部擁有強大容量。DealSite透露，三星電子DX部門CEO兼負(fù)責(zé)人盧泰文將在2026年1月6日至9日在拉斯維加斯舉行的CES 2026開幕日會面美光CEO...

三星存儲 2025-12-15

三星 LPDDR6 內(nèi)存規(guī)格揭曉：10.7nm 速度為 12Gbps;據(jù)報道，著眼于 14 Gbps

隨著三星推進其 HBM4 時間表，它也在下一代 DRAM 方面取得了長足的進步。CES?和三星的新聞稿顯示，其 LPDDR6 被評為 2026 年移動設(shè)備、配件和應(yīng)用程序類別創(chuàng)新獎獲獎?wù)摺Ｐ鹿嫉囊?guī)格特別指出，12 納米...

三星 LPDDR6 2025-11-13