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Q1 DRAM再漲180%，NAND漲150%

據韓媒Chosun Biz、韓聯社等援引市調機構Counterpoint Research數據顯示，2026年第一季度，64GB服務器級DRAM模塊（RDIMM）DDR5價格較2025年第四季度上漲150%，移動終端用1...

DRAM NAND 2026-03-17

全球首款1c LPDDR6，來了

SK 海力士宣布，已成功開發基于第六代 10 奈米級（1c）制程技術的 16Gb LPDDR6 DRAM。公司表示，該產品已完成全球首度 1c LPDDR6 驗證，預計今年上半年完成量產準備，并于下半年開始供貨。LPDD...

SK 海力士 LPDDR6 DRAM 2026-03-13

應用材料與美光、SK海力士合作

隨著人工智能熱潮推動存儲需求增長，半導體設備制造商在收獲紅利的同時，也在加深與頭部存儲廠商的合作。據路透社報道，應用材料（Applied Materials）已與美光科技（Micron）、SK 海力士達成合作，共同開發對...

應用材料美光 2026-03-12

海力士推出超性能版LPDDR6內存：較LPDDR5X速度提升33%、能效提升20%

海力士宣布成功研發首款 LPDDR6 動態隨機存取存儲器，超性能版LPDDR6內存較LPDDR5X速度提升33%、能效提升20%，16Gb 芯片速率達 10.7Gbps，基于 10nm 工藝打造。LPDDR6 內存架構一...

海力士 LPDDR6 2026-03-11

應用材料攜手美光加速HBM、閃存及DRAM技術研發

應用材料公司今日宣布，正與美光科技展開合作，研發新一代動態隨機存取存儲器、高帶寬內存及閃存解決方案，以提升人工智能系統的高能效表現。雙方整合了應用材料位于硅谷的 EPIC 創新中心的先進研發能力，以及美光位于愛達荷州博伊...

應用材料美光 2026-03-11

存儲漲價后遺癥來了

此前，國家發改委價格監測中心發文稱，2025 年 9 月至今，受需求「爆發式」增長、產能「斷崖式」緊缺等因素影響，全球存儲器市場缺口擴大，存儲芯片價格持續上漲，近 1 個月多以來，漲幅呈現擴大態勢，建議關注存儲芯片對下游...

DRAM Flash 2026-03-10

存儲器現貨價格最新動態：DRAM 現貨價高于合約價，二季度議價前市場情緒謹慎

DRAM 平均現貨價格（2 月 25 日 - 3 月 3 日）DDR5 16Gb 4800/5600（2G×8）：77.36→79.14，漲幅 2.25%DDR5 16Gb（2G×8）eTT 版 3200：38.67→3...

存儲器 DRAM 2026-03-05

內存價格邁入小時級波動，中小廠商爭搶剩余貨源艱難求生

人工智能引發內存供應危機，DRAM 市場被迫啟用 “小時級定價” 模式 —— 數萬家中小企業為生存展開激烈爭奪逾 19 萬家中小型電子企業正被人工智能浪潮擠出內存市場。據《電子時報》今日發布的報道，受人工智能需求激增引發...

內存 DRAM 2026-03-04

三星和SK海力士將繼續大幅提高DRAM價格

據報道，全球前兩大DRAM芯片大廠三星和SK海力士已向客戶發出通知，今年第二季度將繼續大幅提高DRAM價格。而具體的漲價幅度則因客戶而異，但中小型客戶可能將不得不接受大幅漲價以確保DRAM供應。這一波DRAM價格的持續上...

三星 SK海力士 2026-03-03

DDR5顆粒擬漲40%，Q2 DRAM價格或翻倍

據中國臺灣媒體報道，SK海力士和三星兩大內存巨頭接連傳出漲價消息，DDR5內存顆粒價格擬上調40%，第二季度DRAM價格或將翻倍。內存模組廠商已暫停對外報價，等待成本重新核算。據中國臺灣《PCDIY！》資深記...

DDR5 DRAM 2026-02-28

存儲芯片價格持續攀升，DRAM和NAND再創新高

據市場研究公司DRAMeXchange于2月27日發布的數據顯示，DRAM和NAND閃存芯片的價格繼續同步上漲，其中DRAM價格再次創下歷史新高，達到13美元，而NAND閃存價格漲幅超過33%。自去年4月以來，通用DRA...

存儲芯片 DRAM 2026-02-28

存儲價格將繼續上漲

隨著AI服務的進步，需求不斷增長，而供應仍然有限，分析師預計今年內存價格的上漲趨勢將持續。一些人認為，市場已經進入了供應商主導的階段。目前，SK海力士的DRAM和NAND庫存已降至約四周的供應量。穩健的庫存管理和緊張的供...

存儲 NAND 2026-02-24

華邦電子預計DRAM價格到2026年6月將暴漲近4倍，產能已預訂至2027年

AI應用持續推動內存需求激增，昨日華邦電子（Winbond）在法說會上指出，DRAM供應緊張已成為當前焦點。據《經濟日報》報道，公司表示DRAM短缺將持續存在，本季度內存價格預計將飆升90%–95%，而下一季度的漲幅有望...

華邦 DRAM 2026-02-12

如何走出DRAM短缺困境？

如今科技領域似乎一切都圍繞AI展開，而事實也的確如此。在計算機內存市場，這一點體現得尤為明顯。為AI數據中心中GPU及其他加速芯片提供支持的DRAM需求極其旺盛、利潤空間巨大，導致原本用于其他領域的內存產能被分流，價格也...

DRAM GPU 2026-02-12

英特爾重返 DRAM 賽道？深入解析與軟銀合作的 Z-Angle 內存項目

2 月 2 日，英特爾宣布與軟銀子公司 SAIMEMORY 達成合作，共同研發 Z-Angle 內存（ZAM），其內存領域的野心再度引發關注。根據雙方發布的新聞稿，該項目將于 2026 年第一季度啟動，預計 2027 年...

英特爾 DRAM 2026-02-04

電動車企成本的“完美風暴”正在形成

瑞銀在最新研報中稱，隨著2026年初刺激政策的全面退潮和5%購置稅的征收，需求端本就疲軟。然而，供給端卻迎來了大宗商品（銅、鋁、鋰）和關鍵零部件（存儲芯片DRAM）價格的劇烈反彈。據該行測算，一輛典型的中型智能電動車的成...

電動車 DRAM 2026-02-03

上調100%！存儲市場又一重磅調價信號

三星今年第一季度對NAND閃存的供應合約價格已上調超過100%，目前客戶已收到通知。據行業知情人士透露，三星去年底已經完成了與主要客戶的供應合同談判，從一月起正式實施新的價格體系。另外，SK海力士也對NAND產品采取了類...

存儲 NAND 2026-01-27

瑞銀示警：DRAM短缺逼近汽車業 2大品牌最危險

生成式人工智能（AI）浪潮席卷全球半導體產業，卻可能為汽車供應鏈埋下新的不確定性。瑞銀最新發布的全球汽車產業研究報告警告，受AI服務器需求暴增影響，DRAM產能正大幅向高帶寬記憶體（HBM）傾斜，導致汽車級存儲器面臨價...

瑞銀 DRAM 2026-01-23

內存現貨價格更新：DRAM飆升，賣家壓制庫存，主流DDR4上漲10%

根據TrendForce最新的記憶現貨價格趨勢報告，關于DRAM的現貨價格持續日復一日上漲，盡管交易依然低迷，供應商和交易員囤積庫存，推動主流DDR4 1Gx8 3200MT/s芯片平均價格上漲9.64%。與此同時，在N...

DDR4 DRAM 2026-01-19

2026年全球DRAM供應仍將嚴重不足

據韓媒Chosun Biz援引市調機構Omdia數據，2026年三星電子的DRAM晶圓產量預計為793萬片，較2025年的759萬片增長約5%。SK海力士的DRAM產量則預計將從2025年的597萬片提升至2026年的6...

DRAM 供應 2026-01-15

華碩預告視頻展示了即將推出的AM5“Neo”主板——更新可能包括新的AIO接口、M.2升級以及NitroPath DRAM支持超高速DDR5

華碩發布了一段18秒的預告視頻，展示了其即將推出的Neo主板，旨在與市場上最好的主板競爭。ROG Crosshair、ROG Strix、TUF Gaming和ProArt系列的新Neo版本將為AMD的AM5平臺帶來顯著...

AM5“Neo”主板華碩Neo主板 2025-12-30

據報道，AI將在2026年消耗全球DRAM晶圓容量的20%，HBM和GDDR7引領需求

隨著人工智能基礎設施的逐步擴充，內存供應緊張，價格飆升。《商業時報》援引行業專家的話，預測云高速內存消耗到2026年可能達到3艾字節（EB）。值得注意的是，考慮到高速內存如HBM和GDDR7的“等效晶圓使用量”，報告警告...

AI DRAM 2025-12-30

三星發布與InGaO合作的亞10納米DRAM突破，據報道關注0a/0b的采用

三星電子于7月完成了6代10納米級工藝的1代1c DRAM開發后，現正推進下一代DRAM技術。據The Elec報道，三星與三星先進技術研究院（SAIT）發布了一種實現亞10納米DRAM的新方法，可能適用于0a和0b D...

三星 DRAM 2025-12-18

三星CEO據報道將就緊張的移動DRAM供應問題，罕見的參加CES會議

在內存價格急劇上漲的背景下，即使是三星也感受到了壓力，盡管三星內部擁有強大容量。DealSite透露，三星電子DX部門CEO兼負責人盧泰文將在2026年1月6日至9日在拉斯維加斯舉行的CES 2026開幕日會面美光CEO...

三星存儲 2025-12-15

三星 LPDDR6 內存規格揭曉：10.7nm 速度為 12Gbps;據報道，著眼于 14 Gbps

隨著三星推進其 HBM4 時間表，它也在下一代 DRAM 方面取得了長足的進步。CES?和三星的新聞稿顯示，其 LPDDR6 被評為 2026 年移動設備、配件和應用程序類別創新獎獲獎者。新公布的規格特別指出，12 納米...

三星 LPDDR6 2025-11-13

SK海力士探索高帶寬存儲堆疊 NAND 和 DRAM

在鞏固其在 HBM 領域的領導地位后，SK 海力士正在與 SanDisk 合作開發高帶寬 NAND 閃存（HBF），該閃存通過 NAND 增強 HBM，用于 AI 推理工作負載。與此同時，據報道，該公司正在探索更廣泛的...

SK海力士高帶寬 2025-11-11

研調上修本季DRAM漲幅上看23%

記憶體價格漲勢持續升溫，第四季DRAM市場可望迎來全面上修。 TrendForce最新調查指出，全球云端服務供應商（CSP）積極擴建數據中心，帶動服務器用DRAM合約價走強，供應商同步調高報價意愿，使一般型DRAM價格預...

DRAM TrendForce 2025-10-30

為什么存內計算對邊緣AI如此重要

在流行媒體中，“AI”通常意味著在昂貴、耗電的數據中心中運行的大型語言模型。但是，對于許多應用程序，在本地硬件上運行的較小模型更適合。自動駕駛汽車需要實時響應，沒有數據傳輸延遲。醫療和工業應用通常依賴于無法與第三方共享的...

存內計算邊緣AI 2025-10-27

美光正式送樣業界高容量 SOCAMM2 模組，滿足 AI 數據中心對低功耗 DRAM 的需求

2025年 10 月 23 日，愛達荷州博伊西市 — 在當今時代，人工智能（AI）實現了前所未有的創新和發展，整個數據中心生態系統正在向更節能的基礎設施轉型，以支持可持續增長。隨著內存在 AI 系統中逐漸發揮越來越重要的...

美光 SOCAMM2 2025-10-24

DRAM老三SK的大逆襲！專家揭稱霸全球關鍵技術

在人工智能（AI）熱潮帶動下，全球存儲器市場迎來三年來最強勁的復蘇，第四季DRAM報價漲幅可望擴大至三成以上。財信傳媒董事長謝金河指出，韓國SK海力士憑借高帶寬記憶體（HBM）技術脫穎而出，從過去的DRAM老三躍升為全...

DRAM SK海力士 2025-10-13

內存模組廠十一長假大蓋牌！消費性DRAM暫停報價

DRAM缺貨潮加速顯現，在中國十一長假期間，存儲器市場詢單備貨的動能不增反減，短期內現貨價格持續飆升。近一周來，DDR4 DRAM漲幅已逾1成，DDR5 16Gb也調漲約8%。盡管終端消費市場需求平淡，但各家存儲器模組...

內存模組 DRAM 2025-10-10

因涉嫌向中國泄露DRAM技術被捕的三星、海力士前高管獲保釋

據悉，三星電子和海力士半導體（現SK海力士）前高管崔振錫因向中國泄露三星電子自主研發的投資4萬億韓元的DRAM工藝技術而被起訴，在接受一審期間被保釋。首爾中央地方法院刑事24庭（主審法官李英善，高級法官）15日批準崔某保...

DRAM 三星 2025-09-29

三大存儲器巨頭正在投資1c DRAM，瞄準AI和HBM市場

各大存儲器企業正專注于1c DRAM量產的新投資和轉換投資。主要內存公司正在加快對 1c（第 6 代 10nm 級）DRAM 的投資。三星電子從今年上半年開始建設量產線，據報道，SK海力士正在討論其近期轉型投資的具體計劃...

存儲器 1c DRAM 2025-09-29

SK 海力士據報道與客戶協商價格調整，跟隨美光和三星

存儲巨頭們正準備在 AI 熱潮引發的短缺背景下再次提價。在三星和美光之后，SK 海力士——雖然尚未正式宣布——據 SeDaily 和 Business Korea 報道，正與客戶協...

DRAM NAND 2025-09-23

存儲器行情來得又急又快 DRAM報價10月看漲雙位數

全球存儲器市場在生成式AI與大型云端服務商（CSP）急單帶動下，正式進入新一輪長線上行。隨著業界開始惜售，業者預期，10月DDR4與DDR5合約價及現貨價，皆將出現雙位數漲幅。產業界大老指出，這一波內存行情漲得又快又急...

存儲器 DRAM 2025-09-19

國產廠商切入下一代存儲技術：3D DRAM

隨著 ChatGPT 等人工智能應用的爆發式增長，全球對算力的需求正以指數級態勢攀升。然而，人工智能的發展不僅依賴于性能強勁的計算芯片，更離不開高性能內存的協同配合。傳統內存已難以滿足 AI 芯片對數...

3D DRAM 2025-09-12

2025年第二季度DRAM營收增長，SK海力士蟬聯第一

據TrendForce集邦咨詢數據顯示，2025年第二季度，全球DRAM產業營收達到316.3億美元，相比第一季度增長了17.1%。這一增長主要得益于一般型DRAM（Conventional DRAM）合約價的上漲以及出...

DRAM SK海力士 2025-09-03

內存巨頭，脆弱的鏈接：韓國對日本 HBM 供應鏈的依賴

根據 ZDNet 的報道，韓國可能在 DRAM 和 NAND 閃存等記憶產品領域領先，但它仍然嚴重依賴日本的關鍵材料。該報告援引消息人士的話警告說，除非本地化進程更快地推進，否則這種依賴可能會成為韓國...

內存 NAND 2025-09-02

實現120層堆疊，下一代3D DRAM將問世

高密度 3D DRAM 可能即將到來。...

3D DRAM 2025-09-02

2025年第二季度全球DRAM市場分析

在AI需求爆發與高價值產品滲透的雙重推動下，2025年第二季度全球DRAM市場實現量價齊升。根據CFMS最新數據，二季度市場規模環比增長20%至321.01億美元，同比增長37%，創歷史季度新高。頭部廠商中，SK海力士憑...

DRAM SK海力士 2025-08-28