海力士宣布成功研發首款 LPDDR6 動態隨機存取存儲器，超性能版LPDDR6內存較LPDDR5X速度提升33%、能效提升20%，16Gb 芯片速率達 10.7Gbps，基于 10nm 工藝打造。LPDDR6 內存架構一旦落地于 SOCAMM 模組，或將成為數據中心市場的一大助力。這家存儲芯片廠商同時透露，此款 LPDDR6 內存基于其 2024 年發布的領先 10nm 級（1c）工藝節點打造。

新款 LPDDR6 內存芯片基礎運行速率超 10.7Gbps，遠超目前市場上性能最強的在售 LPDDR5X 內存模組，單芯片容量達 16Gb。為優化功耗表現，海力士采用了全新的子通道架構，并搭載動態電壓頻率調節技術（DVFS），官方稱相較上一代 LPDDR 內存產品，功耗降低超 20%。其中，子通道架構僅為正在工作的數據通路供電，以此實現功耗削減；動態電壓頻率調節技術則會在內存負載較低時，降低時鐘頻率與電壓。

去年 7 月固態技術協會（JEDEC）正式敲定并發布 LPDDR6 標準，時隔 8 個月，海力士便推出了自家的 LPDDR6 產品。不過海力士并非首家研發出 LPDDR6 的廠商，三星此前已發布首款 LPDDR6 產品，并在 2026 年國際消費電子展（CES）上進行了展示，其產品速率同樣可達 10.7Gbps。

海力士已確認，這款基于 1c 工藝的 LPDDR6 內存將率先應用于智能手機和平板電腦領域，同時該產品也有望為數據中心市場帶來重大利好。LPDDR 系列內存早已在搭載 SOCAMM/SOCAMM2 內存模組的人工智能服務器中得到廣泛應用，這類模組僅支持 LPDDR 內存。例如，英偉達的 GB300 格雷斯?布萊克韋爾超級芯片便采用了 SOCAMM 模組，而英偉達最新的 Vera Rubin 超級芯片則搭載了 SOCAMM2 內存模組。海力士去年底曾表示，預計英偉達繼 Vera Rubin 之后推出的人工智能芯片，也將采用 LPDDR6 內存。

此次發布只是 LPDDR6 發展的開端，隨著存儲廠商不斷優化和改進 LPDDR6 設計，遠超 10.7Gbps 的運行速率或將成為行業常態。固態技術協會（JEDEC）認為，LPDDR6 的最高數據傳輸速率有望達到 14400MT/s，這一數值遠超目前 DDR5 內存的最高超頻紀錄。