AI爆發(fā)帶動內存緊缺遠超過傳統(tǒng)供需模式，儼然成為無限擴張的「需求黑洞」。

內存供應鏈指出，現(xiàn)貨價與合約價的價差，已經(jīng)高達40~50%，將促使內存原廠持續(xù)調漲合約價的走勢，逐漸向與現(xiàn)貨市場的價差靠攏。

近期傳出，兩大韓廠提前預告，2026年第2季將大幅提高DRAM合約價約40%，然而供應鏈預估，依照走勢第2季漲幅恐將上看40~70%，NVIDIA GTC 2026更將推動AI記憶體動能加速攀升。

NVIDIA GTC 2026即將到來，全球AI盛會將再掀高潮，執(zhí)行長黃仁勛預告，將在大會上發(fā)表「前所未見」的全新芯片架構，市場焦點鎖定傳聞中的次世代Feynman架構，依照推測將采用更新的第六代高帶寬記憶體（HBM4E）或HBM5，勢必將加速三大內存原廠重兵布局，HBM技術競賽日益激烈。

此外，內存大廠于GTC大會期間將可望一較長短，三星電子（Samsung Electronics）與SK海力士（SK Hynix）將分別分享與NVIDIA的最新合作成果：

三星預計發(fā)表介紹HBM4新品以及Rubin GPU進度，針對下一代HBM4E產(chǎn)品與NVIDIA平臺測試進展也可能對外揭露。

至于美光（Micron）于3月18日舉行2026會計年度第2季業(yè)績發(fā)表，業(yè)界預期，美光屆時將針對HBM4來澄清市場疑慮以及技術進展。

相較于三星日前率先宣布HBM4領先量產(chǎn)出貨，重奪存儲器龍頭霸主的光芒，SK海力士、美光目前對2026年上半將配合客戶需求量產(chǎn)的說法也并未改變，包括SK海力士可望取得NVIDA HBM4的過半供應比重、美光亦強調2026年HBM產(chǎn)能「已全數(shù)售罄」。

隨著NVIDIA的AI架構持續(xù)迭代更新，不僅次世代HBM技術挑戰(zhàn)遽增，數(shù)據(jù)中心對HBM、DDR5、NAND三者的需求將是缺一不可，三大內存原廠的資源與擴產(chǎn)規(guī)劃，也將全面押注AI記憶體，整體位元需求將倍數(shù)等級增加

盡管近期市場對記憶體漲勢動能傳出雜音，但業(yè)界人士坦言，現(xiàn)在存儲器產(chǎn)業(yè)絕對是處于「賣方市場」，幾乎沒有價格談判的空間。

近來韓媒傳出，SK海力士及三星發(fā)布漲價通知，第2季漲幅強勁拉升40%，目前有部分內存模組廠3月接獲通知，不過依照目前現(xiàn)貨價與合約價的龐大價差，合約價持續(xù)看漲將是必然的走勢，甚至單季可能超過4成，有機會繼續(xù)調高至70%漲幅，此一趨勢在GTC大會過后，預期將更為明朗。

如同SK海力士日前指出，內存供應緊繃的程度遠超市場預期，2026年將沒有任何客戶能完全滿足需求，臺系存儲器模組業(yè)者也表示，合約價的采購滿足度普遍僅約20~30%，若能拿到50%的滿足度，已經(jīng)是非常好的狀況。 雖然現(xiàn)貨市場價格漲翻天，但業(yè)界仍不得不向現(xiàn)貨市場采購應急。

對內存模組業(yè)者而言，如今面臨上游采購及下游客戶配貨均無法滿足的雙重難題，雖然消費性電子如PC、手機等應用已受不了內存倍數(shù)上漲的壓力，但整體內存需求并未轉弱。

只要是消費端客戶放棄的產(chǎn)能，立即被AI應用強勢吸收，可見隨時都有AI需求。 但另一方面，消費性市場也將面臨更大壓力，尤其是價格敏感的應用，可能遭到淘汰。

記憶體供應鏈指出，受到產(chǎn)業(yè)結構性的缺貨問題，內存產(chǎn)能向AI集中在未來2年將成定局，即使目前各家內存大廠相繼展開建廠或擴產(chǎn)，但HBM持續(xù)緊缺、以及市場價格強勢的趨勢，將難以改變。

記憶體成本上漲時，若終端客戶只能以降規(guī)因應來壓低成本，長期勢必將影響產(chǎn)品競爭力與應用價值。