不僅是DRAM價格出現130%~180%的大幅上漲，NAND產品線也上漲約130%~150%，漲幅遠超此前預期的季度增長100%。業界預測，存儲供應短缺狀況預計將持續至2027年下半年。AI產業的快速發展成為推動價格上漲的核心動力。相較于中東地緣政治風險、運輸成本上升等宏觀因素，科技企業對AI基礎設施的大規模投入才是關鍵原因。Counterpoint Research預測，2026年三星電子、SK海力士、美光、長鑫存儲、南亞科等主要DRAM廠商產量將增加約26%，NAND產量則將增加約24%。不過在2027年下半年之前，存儲芯片供給端仍難實現實質性擴張，供應短缺問題預計要到2027年下半年才有望緩解。SK海力士在2025年以約60%的市場份額主導HBM市場，但2026年可能因供應英偉達的HBM4產品設計調整，市占率略有下滑。相比之下，三星的HBM4增長勢頭更值得關注。長期來看，國產存儲芯片廠商的崛起也將成為重要變量。預計到2028年，長鑫存儲市占率有望提升至10%以上，而長江存儲在NAND領域的市占率目前已達約13%。