不僅是DRAM價(jià)格出現(xiàn)130%~180%的大幅上漲，NAND產(chǎn)品線也上漲約130%~150%，漲幅遠(yuǎn)超此前預(yù)期的季度增長100%。業(yè)界預(yù)測，存儲供應(yīng)短缺狀況預(yù)計(jì)將持續(xù)至2027年下半年。AI產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展成為推動價(jià)格上漲的核心動力。相較于中東地緣政治風(fēng)險(xiǎn)、運(yùn)輸成本上升等宏觀因素，科技企業(yè)對AI基礎(chǔ)設(shè)施的大規(guī)模投入才是關(guān)鍵原因。Counterpoint Research預(yù)測，2026年三星電子、SK海力士、美光、長鑫存儲、南亞科等主要DRAM廠商產(chǎn)量將增加約26%，NAND產(chǎn)量則將增加約24%。不過在2027年下半年之前，存儲芯片供給端仍難實(shí)現(xiàn)實(shí)質(zhì)性擴(kuò)張，供應(yīng)短缺問題預(yù)計(jì)要到2027年下半年才有望緩解。SK海力士在2025年以約60%的市場份額主導(dǎo)HBM市場，但2026年可能因供應(yīng)英偉達(dá)的HBM4產(chǎn)品設(shè)計(jì)調(diào)整，市占率略有下滑。相比之下，三星的HBM4增長勢頭更值得關(guān)注。長期來看，國產(chǎn)存儲芯片廠商的崛起也將成為重要變量。預(yù)計(jì)到2028年，長鑫存儲市占率有望提升至10%以上，而長江存儲在NAND領(lǐng)域的市占率目前已達(dá)約13%。