三星擬投入730億美元用于芯片資本支出與研發(fā)
三星計劃今年投資730 億美元,以期在芯片業(yè)務(wù)上追趕臺積電。
臺積電預(yù)計今年資本支出為520 億~560 億美元,研發(fā)投入為70 億美元。
英特爾今年資本支出預(yù)算約為90 億美元,研發(fā)預(yù)算約為160 億美元。
在轉(zhuǎn)向 GAA 環(huán)繞柵極晶體管與 BYPD 工藝后,三星曾出現(xiàn)良率波動,目前正致力于讓2 納米工藝及晶圓代工業(yè)務(wù)重回正軌。
近期與埃隆?馬斯克達成的代工合作,以及與 AMD 洽談潛在代工訂單的消息,均表明其相關(guān)技術(shù)正趨于穩(wěn)定。
三星將把 730 億美元重點投向人工智能相關(guān)領(lǐng)域,包括處理器芯粒與高帶寬內(nèi)存(HBM)。近期三星已成功與英偉達、OpenAI 及 AMD 達成 HBM4 供貨協(xié)議,在該領(lǐng)域取得突破。
據(jù)稱,三星還將在機器人與汽車電子等領(lǐng)域開展并購。











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