據韓媒Theelec援引業界消息，三星電子（Samsung Electronics）正加速切入第三代半導體市場，其8寸氮化鎵（GaN）晶圓代工產線已進入量產前準備階段，預計最快將于2026年第2季正式投產。這一進展標志著三星在功率半導體領域邁出重要一步。 

三星方面對GaN晶圓代工產線的具體啟動時間和客戶進展保持謹慎態度，僅回應稱“無法確認”。不過，據業界透露，三星自宣布進軍功率半導體代工市場以來，已歷時3年，近期完成了量產技術與客戶布局。盡管初期客戶數量有限，市場預估GaN晶圓代工年營收規模可能低于1,000億韓元（約合6,700萬美元），仍處于市場導入與培養階段。 

三星采取了一站式解決方案（turnkey）的商業模式，涵蓋制程、制造及部分后段流程，從而提升毛利率與服務整合能力。值得注意的是，三星并未選擇外購晶圓，而是自行生產，這表明其已突破GaN量產關鍵材料技術瓶頸，進一步強化了成本與供應鏈的掌控能力。 

從產業競爭來看，韓國其他企業也在加速布局GaN市場。DB HiTek預計于2026年下半年啟動GaN晶圓代工量產，時間上落后三星1~2個季度。SK海力士（SK Hynix）旗下的晶圓代工業務也將GaN列為重點發展方向，盡管距離實際量產仍需時間，但韓系廠商正同步搶進第三代半導體市場。 

技術層面而言，功率半導體主要分為GaN與碳化硅（SiC）兩大路線，均屬于寬能隙材料。相較于傳統的硅（Si），寬能隙材料具備更高的耐壓與高溫特性，能有效降低能量損耗并提升轉換效率。GaN主要應用于1,200V以下場景，如手機快充、數據中心與電動車（EV）電源系統；而SiC則適用于更高電壓環境，如電動車主驅逆變器等。 

隨著人工智能（AI）數據中心功耗的快速攀升，GaN的重要性持續提升。新一代AI基礎設施逐步導入800V高壓直流（HVDC）供電架構，需通過高效率電源轉換模塊將高壓直流轉換為服務器內部低壓電源。GaN元件憑借高速切換與高功率密度優勢，可有效降低能量損耗與散熱需求，成為關鍵電力轉換技術之一。 

回顧三星的布局，2023年曾宣布預計2025年啟動功率半導體晶圓代工，但實際進度略有延后。業界分析，晶圓代工產線通常需先有客戶訂單后再進行投資決策，三星在2025~2026年間逐步取得訂單后，才正式啟動量產計劃。 

此外，三星同步推進SiC業務，預計最快2026年啟動晶圓代工，鎖定1,200~1,700V高壓應用市場。與GaN不同，SiC將采取從設計到封裝的完整垂直整合模式，顯示三星試圖在不同電壓等級市場建立差異化布局。