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電動(dòng)車企成本的“完美風(fēng)暴”正在形成
- 瑞銀在最新研報(bào)中稱，隨著2026年初刺激政策的全面退潮和5%購(gòu)置稅的征收，需求端本就疲軟。然而，供給端卻迎來(lái)了大宗商品（銅、鋁、鋰）和關(guān)鍵零部件（存儲(chǔ)芯片DRAM）價(jià)格的劇烈反彈。據(jù)該行測(cè)算，一輛典型的中型智能電動(dòng)車的成本通脹高達(dá)人民幣4000至7000元。瑞銀稱，在當(dāng)前競(jìng)爭(zhēng)激烈、利潤(rùn)微薄的市場(chǎng)環(huán)境下，由于車企很難將這部分成本轉(zhuǎn)嫁給消費(fèi)者，這波成本上漲足以將車企的利潤(rùn)完全吞噬（fully erode carmakers' margin）。金屬價(jià)格全線反彈研報(bào)稱，瑞銀基于其過(guò)往的拆解數(shù)據(jù)，建立了一個(gè)
- 關(guān)鍵字： 電動(dòng)車 DRAM 金屬 購(gòu)置稅
上調(diào)100%！存儲(chǔ)市場(chǎng)又一重磅調(diào)價(jià)信號(hào)
- 三星今年第一季度對(duì)NAND閃存的供應(yīng)合約價(jià)格已上調(diào)超過(guò)100%，目前客戶已收到通知。據(jù)行業(yè)知情人士透露，三星去年底已經(jīng)完成了與主要客戶的供應(yīng)合同談判，從一月起正式實(shí)施新的價(jià)格體系。另外，SK海力士也對(duì)NAND產(chǎn)品采取了類似的定價(jià)策略；存儲(chǔ)芯片大廠SanDisk也計(jì)劃在一季度將面向企業(yè)級(jí)的NAND價(jià)格上調(diào)100%。目前，三星已著手與客戶就第二季度的NAND價(jià)格進(jìn)行新一輪談判，市場(chǎng)普遍預(yù)計(jì)價(jià)格上漲的勢(shì)頭將在第二季度延續(xù)。市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce的數(shù)據(jù)顯示，去年第四季度NAND閃存價(jià)格漲幅為上一季度的3
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ) NAND DRAM 三星 SK海力士
瑞銀示警：DRAM短缺逼近汽車業(yè) 2大品牌最危險(xiǎn)
- 生成式人工智能（AI）浪潮席卷全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，卻可能為汽車供應(yīng)鏈埋下新的不確定性。 瑞銀最新發(fā)布的全球汽車產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告警告，受AI服務(wù)器需求暴增影響，DRAM產(chǎn)能正大幅向高帶寬記憶體（HBM）傾斜，導(dǎo)致汽車級(jí)存儲(chǔ)器面臨價(jià)格上漲與供應(yīng)短缺的雙重壓力，相關(guān)沖擊預(yù)計(jì)將自2026年第二季開(kāi)始逐步浮現(xiàn)。瑞銀指出，全球三大DRAM供應(yīng)商三星電子、SK海力士與美光，為追求更高的毛利率，已明確將產(chǎn)能重心轉(zhuǎn)向AI服務(wù)器所需的HBM產(chǎn)品，由于汽車級(jí)DDR內(nèi)存與AI芯片共享有限的硅晶圓產(chǎn)能，HBM產(chǎn)能快速擴(kuò)張，勢(shì)必排擠車用DR
- 關(guān)鍵字： 瑞銀 DRAM 汽車
內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格更新：DRAM飆升，賣家壓制庫(kù)存，主流DDR4上漲10%
- 根據(jù)TrendForce最新的記憶現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告，關(guān)于DRAM的現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)日復(fù)一日上漲，盡管交易依然低迷，供應(yīng)商和交易員囤積庫(kù)存，推動(dòng)主流DDR4 1Gx8 3200MT/s芯片平均價(jià)格上漲9.64%。與此同時(shí)，在NAND，盡管一些買家采取了觀望態(tài)度，現(xiàn)貨交易者對(duì)未來(lái)價(jià)格趨勢(shì)持樂(lè)觀態(tài)度，卻拒絕降價(jià)以刺激銷售。詳情如下：DRAM現(xiàn)貨價(jià)格：受強(qiáng)勁的合約價(jià)格上漲推動(dòng)，現(xiàn)貨價(jià)格連續(xù)日漲。然而，由于供應(yīng)商和交易商不愿釋放庫(kù)存，交易量依然受限。主流芯片（即DDR4 1Gx8 3200MT/s）的平均現(xiàn)貨價(jià)格已從上
- 關(guān)鍵字： DDR4 DRAM NAND
2026年全球DRAM供應(yīng)仍將嚴(yán)重不足
- 據(jù)韓媒Chosun Biz援引市調(diào)機(jī)構(gòu)Omdia數(shù)據(jù)，2026年三星電子的DRAM晶圓產(chǎn)量預(yù)計(jì)為793萬(wàn)片，較2025年的759萬(wàn)片增長(zhǎng)約5%。SK海力士的DRAM產(chǎn)量則預(yù)計(jì)將從2025年的597萬(wàn)片提升至2026年的648萬(wàn)片，增幅約為8%。然而，由于技術(shù)升級(jí)至10納米第六代DRAM（1c）制程可能引發(fā)短期產(chǎn)能損失，實(shí)際增產(chǎn)幅度或低于預(yù)期。美光的年產(chǎn)量預(yù)計(jì)維持在約360萬(wàn)片，與2025年持平。盡管三大DRAM廠商的產(chǎn)能均有所增加，但與市場(chǎng)需求相比仍存在顯著差距。韓國(guó)KB證券分析顯示，客戶端DRAM需求的
- 關(guān)鍵字： DRAM 供應(yīng)
華碩預(yù)告視頻展示了即將推出的AM5“Neo”主板——更新可能包括新的AIO接口、M.2升級(jí)以及NitroPath DRAM支持超高速DDR5
- 華碩發(fā)布了一段18秒的預(yù)告視頻，展示了其即將推出的Neo主板，旨在與市場(chǎng)上最好的主板競(jìng)爭(zhēng)。ROG Crosshair、ROG Strix、TUF Gaming和ProArt系列的新Neo版本將為AMD的AM5平臺(tái)帶來(lái)顯著的生活質(zhì)量升級(jí)，目前AM5平臺(tái)擁有一些最優(yōu)秀的CPU。硬件界又到了令人興奮的時(shí)代，品牌們準(zhǔn)備在CES 2026上發(fā)布最新創(chuàng)新產(chǎn)品。緊隨MSI和技嘉發(fā)布Max和X3D更新之后，華碩憑借備受期待的Neo系列登上了聚光燈下。雖然“Neo”代表新或近期，但這些即將推出的AMD主板很可能繼續(xù)基于AM
- 關(guān)鍵字： AM5“Neo”主板 華碩Neo主板 CES 2026 NitroPath DRAM
據(jù)報(bào)道，AI將在2026年消耗全球DRAM晶圓容量的20%，HBM和GDDR7引領(lǐng)需求
- 隨著人工智能基礎(chǔ)設(shè)施的逐步擴(kuò)充，內(nèi)存供應(yīng)緊張，價(jià)格飆升。《商業(yè)時(shí)報(bào)》援引行業(yè)專家的話，預(yù)測(cè)云高速內(nèi)存消耗到2026年可能達(dá)到3艾字節(jié)（EB）。值得注意的是，考慮到高速內(nèi)存如HBM和GDDR7的“等效晶圓使用量”，報(bào)告警告稱人工智能實(shí)際上可能占全球DRAM供應(yīng)近20%。報(bào)告指出，3EB預(yù)計(jì)將由三個(gè)關(guān)鍵組成部分驅(qū)動(dòng)。首先，跨主要平臺(tái)——谷歌（Gemini）、AWS（Bedrock）和OpenAI（ChatGPT）——的核心推理工作負(fù)載預(yù)計(jì)實(shí)時(shí)內(nèi)存需求將達(dá)到約750PB。考慮到實(shí)際部署所需的冗余和安全裕度，這一
- 關(guān)鍵字： AI DRAM HBM 存儲(chǔ)
三星發(fā)布與InGaO合作的亞10納米DRAM突破，據(jù)報(bào)道關(guān)注0a/0b的采用
- 三星電子于7月完成了6代10納米級(jí)工藝的1代1c DRAM開(kāi)發(fā)后，現(xiàn)正推進(jìn)下一代DRAM技術(shù)。據(jù)The Elec報(bào)道，三星與三星先進(jìn)技術(shù)研究院（SAIT）發(fā)布了一種實(shí)現(xiàn)亞10納米DRAM的新方法，可能適用于0a和0b DRAM。正如韓國(guó)新聞2024年底報(bào)道，三星計(jì)劃于2025年發(fā)布第六代10納米1c型HBM4DRAM處理器，隨后于2026年推出第七代10納米1維DRAM，并計(jì)劃于2027年前推出首款亞10納米0安DRAM。《The Elec》援引的一位業(yè)內(nèi)消息人士指出，雖然該技術(shù)仍處于研究階段，且數(shù)年內(nèi)難
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
三星CEO據(jù)報(bào)道將就緊張的移動(dòng)DRAM供應(yīng)問(wèn)題，罕見(jiàn)的參加CES會(huì)議
- 在內(nèi)存價(jià)格急劇上漲的背景下，即使是三星也感受到了壓力，盡管三星內(nèi)部擁有強(qiáng)大容量。DealSite透露，三星電子DX部門CEO兼負(fù)責(zé)人盧泰文將在2026年1月6日至9日在拉斯維加斯舉行的CES 2026開(kāi)幕日會(huì)面美光CEO Sanjay Mehrotra。正如報(bào)道所強(qiáng)調(diào)的，活動(dòng)期間此類會(huì)議較為罕見(jiàn)，但消息人士稱三星請(qǐng)求此次會(huì)議是為了應(yīng)對(duì)移動(dòng)DRAM供應(yīng)收緊的問(wèn)題。據(jù)DealSite報(bào)道，討論將聚焦于即將推出的Galaxy S26的LPDDR5X，因?yàn)轱w漲的價(jià)格使得與三星DS部門和美光的合同尚未解決。正如Se
- 關(guān)鍵字： 三星 存儲(chǔ) DRAM
三星 LPDDR6 內(nèi)存規(guī)格揭曉：10.7nm 速度為 12Gbps;據(jù)報(bào)道，著眼于 14 Gbps
- 隨著三星推進(jìn)其 HBM4 時(shí)間表，它也在下一代 DRAM 方面取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步。CES?和三星的新聞稿顯示，其 LPDDR6 被評(píng)為 2026 年移動(dòng)設(shè)備、配件和應(yīng)用程序類別創(chuàng)新獎(jiǎng)獲獎(jiǎng)?wù)摺Ｐ鹿嫉囊?guī)格特別指出，12 納米設(shè)計(jì)可提供 10.7Gbps 數(shù)據(jù)速率和擴(kuò)展的 I/O 以實(shí)現(xiàn)更高帶寬——專為數(shù)據(jù)密集型移動(dòng)、邊緣和設(shè)備上的 AI 工作負(fù)載而構(gòu)建。TechPowerUp?援引三星的話報(bào)道稱，LPDDR6 的能效比 LPDDR5X 提高了 21%，與其帶寬和速度相匹配，同時(shí)功耗減少了約
- 關(guān)鍵字： 三星 LPDDR6 內(nèi)存
SK海力士探索高帶寬存儲(chǔ)堆疊 NAND 和 DRAM
- 在鞏固其在 HBM 領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位后，SK 海力士正在與 SanDisk 合作開(kāi)發(fā)高帶寬 NAND 閃存 （HBF），該閃存通過(guò) NAND 增強(qiáng) HBM，用于 AI 推理工作負(fù)載。與此同時(shí)，據(jù)報(bào)道，該公司正在探索更廣泛的內(nèi)存領(lǐng)域：高帶寬存儲(chǔ) （HBS）。正如 ETnews 報(bào)道的那樣，哈佛商學(xué)院將移動(dòng) DRAM 和 NAND 相結(jié)合，以提高智能手機(jī)、平板電腦和其他移動(dòng)設(shè)備的 AI 性能。報(bào)告援引消息人士解釋說(shuō)，SK海力士正在將低功耗寬I/O DRAM與NAND堆疊在一起，以創(chuàng)建HBS，它可以堆疊多達(dá)16層
- 關(guān)鍵字： SK海力士 高帶寬 存儲(chǔ)堆疊 NAND DRAM
研調(diào)上修本季DRAM漲幅 上看23%
- 記憶體價(jià)格漲勢(shì)持續(xù)升溫，第四季DRAM市場(chǎng)可望迎來(lái)全面上修。 TrendForce最新調(diào)查指出，全球云端服務(wù)供應(yīng)商（CSP）積極擴(kuò)建數(shù)據(jù)中心，帶動(dòng)服務(wù)器用DRAM合約價(jià)走強(qiáng)，供應(yīng)商同步調(diào)高報(bào)價(jià)意愿，使一般型DRAM價(jià)格預(yù)估漲幅由原先的8%~13%，上修至18%~23%。 惟目前合約價(jià)尚未完全開(kāi)出，后續(xù)仍可能再次調(diào)升，反映出供需持續(xù)偏緊，市場(chǎng)氣氛轉(zhuǎn)趨樂(lè)觀。觀察近期CSP采購(gòu)節(jié)奏，從原本保守轉(zhuǎn)為積極，加單需求擴(kuò)及多家原廠，尤其高容量、高頻率規(guī)格的服務(wù)器DRAM需求上升，已出現(xiàn)排擠效應(yīng)，推升主流產(chǎn)品報(bào)價(jià)穩(wěn)步墊高
- 關(guān)鍵字： DRAM TrendForce
為什么存內(nèi)計(jì)算對(duì)邊緣AI如此重要
- 在流行媒體中，“AI”通常意味著在昂貴、耗電的數(shù)據(jù)中心中運(yùn)行的大型語(yǔ)言模型。但是，對(duì)于許多應(yīng)用程序，在本地硬件上運(yùn)行的較小模型更適合。自動(dòng)駕駛汽車需要實(shí)時(shí)響應(yīng)，沒(méi)有數(shù)據(jù)傳輸延遲。醫(yī)療和工業(yè)應(yīng)用通常依賴于無(wú)法與第三方共享的敏感數(shù)據(jù)。但是，盡管邊緣 AI 應(yīng)用程序可以更快、更安全，但它們的計(jì)算資源要有限得多。它們沒(méi)有 TB 內(nèi)存占用或有效無(wú)限的功率。對(duì)于數(shù)據(jù)中心來(lái)說(shuō)，可能有些抽象的約束對(duì)邊緣人工智能施加了硬性限制。在 2025 年 IEEE 國(guó)際內(nèi)存研討會(huì)的一篇特邀論文和隨后的預(yù)印本中，ETH 計(jì)算機(jī)科學(xué)教授
- 關(guān)鍵字： 存內(nèi)計(jì)算 邊緣AI DRAM
美光正式送樣業(yè)界高容量 SOCAMM2 模組，滿足 AI 數(shù)據(jù)中心對(duì)低功耗 DRAM 的需求
- 2025年 10 月 23 日，愛(ài)達(dá)荷州博伊西市 — 在當(dāng)今時(shí)代，人工智能（AI）實(shí)現(xiàn)了前所未有的創(chuàng)新和發(fā)展，整個(gè)數(shù)據(jù)中心生態(tài)系統(tǒng)正在向更節(jié)能的基礎(chǔ)設(shè)施轉(zhuǎn)型，以支持可持續(xù)增長(zhǎng)。隨著內(nèi)存在 AI 系統(tǒng)中逐漸發(fā)揮越來(lái)越重要的作用，低功耗內(nèi)存解決方案已成為這一轉(zhuǎn)型的核心。美光科技股份有限公司（納斯達(dá)克股票代碼：MU）近日宣布其 192GB SOCAMM2（small outline compression attached memory modules，小型壓縮附加內(nèi)存模塊）已正式送樣，以積極拓展低功耗內(nèi)存在
- 關(guān)鍵字： 美光 SOCAMM2 DRAM
DRAM老三SK的大逆襲！專家揭稱霸全球關(guān)鍵技術(shù)
- 在人工智能（AI）熱潮帶動(dòng)下，全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)迎來(lái)三年來(lái)最強(qiáng)勁的復(fù)蘇，第四季DRAM報(bào)價(jià)漲幅可望擴(kuò)大至三成以上。 財(cái)信傳媒董事長(zhǎng)謝金河指出，韓國(guó)SK海力士憑借高帶寬記憶體（HBM）技術(shù)脫穎而出，從過(guò)去的DRAM老三躍升為全球第一，今年股價(jià)狂飆近500%，且海力士專注于高階制程，不僅拉高產(chǎn)品附加價(jià)值，也導(dǎo)致DDR4與DDR5大缺貨，同時(shí)帶旺整個(gè)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)。謝金河在臉書(shū)發(fā)文指出，韓國(guó)是今年全亞洲表現(xiàn)最亮眼的股市，尤其自總統(tǒng)李在明上任后，韓股從2284.71點(diǎn)一路漲到3617.86點(diǎn)，漲幅高達(dá)58.35%。 這波
- 關(guān)鍵字： DRAM SK海力士
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