據韓媒Chosun Biz、韓聯社等援引市調機構Counterpoint Research數據顯示，2026年第一季度，64GB服務器級DRAM模塊（RDIMM）DDR5價格較2025年第四季度上漲150%，移動終端用12GB LPDDR5X上漲130%。即使是前代的8GB SO-DIMM DDR4，價格也暴漲180%。不僅是DRAM價格出現130%~180%的大幅上漲，NAND產品線也上漲約130%~150%，漲幅遠超此前預期的季度增長100%。業界預測，存儲供應短缺狀況預計將持續至2027年下半年。A
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DRAM NAND
SK 海力士宣布，已成功開發基于第六代 10 奈米級（1c）制程技術的 16Gb LPDDR6 DRAM。公司表示，該產品已完成全球首度 1c LPDDR6 驗證，預計今年上半年完成量產準備，并于下半年開始供貨。LPDDR（Low Power Double Data Rate）是一種主要應用于智能手機與平板等行動裝置的低功耗 DRAM 標準，通過低電壓運作降低能源消耗。SK 海力士表示，新一代 LPDDR6 主要鎖定 On-device AI 應用，例如智能手機、平板電腦等終端設備。與
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SK 海力士 LPDDR6 DRAM
隨著人工智能熱潮推動存儲需求增長，半導體設備制造商在收獲紅利的同時，也在加深與頭部存儲廠商的合作。據路透社報道，應用材料（Applied Materials）已與美光科技（Micron）、SK 海力士達成合作，共同開發對人工智能與高性能計算至關重要的下一代芯片。3 月 10 日，應用材料發布新聞稿稱，已與 SK 海力士簽署長期合作協議，加速 DRAM 與 HBM 技術研發。雙方將在應用材料新建的研發中心 ——設備與工藝創新與商業化中心（EPIC Center），聚焦存儲材料、工藝整合及 3D 先進封裝技術
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應用材料 美光 SK海力士 半導體 DRAM HBM NAND
海力士宣布成功研發首款 LPDDR6 動態隨機存取存儲器，超性能版LPDDR6內存較LPDDR5X速度提升33%、能效提升20%，16Gb 芯片速率達 10.7Gbps，基于 10nm 工藝打造。LPDDR6 內存架構一旦落地于 SOCAMM 模組，或將成為數據中心市場的一大助力。這家存儲芯片廠商同時透露，此款 LPDDR6 內存基于其 2024 年發布的領先 10nm 級（1c）工藝節點打造。新款 LPDDR6 內存芯片基礎運行速率超 10.7Gbps，遠超目前市場上性能最強的在售 LPDDR5X 內存
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海力士 LPDDR6 內存 LPDDR5X
應用材料公司今日宣布，正與美光科技展開合作，研發新一代動態隨機存取存儲器、高帶寬內存及閃存解決方案，以提升人工智能系統的高能效表現。雙方整合了應用材料位于硅谷的 EPIC 創新中心的先進研發能力，以及美光位于愛達荷州博伊西的頂尖創新中心資源，助力鞏固美國半導體領域的創新研發體系。應用材料總裁兼首席執行官加里?迪克森表示：“應用材料與美光長期保持合作關系，始終致力于通過突破材料工程與制造創新的邊界，打造性能更優、能效更高的先進存儲芯片。下一代存儲技術在人工智能系統的未來發展中愈發關鍵，我們十分欣喜能以 EP
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應用材料 美光 HBM 閃存 DRAM
此前，國家發改委價格監測中心發文稱，2025 年 9 月至今，受需求「爆發式」增長、產能「斷崖式」緊缺等因素影響，全球存儲器市場缺口擴大，存儲芯片價格持續上漲，近 1 個月多以來，漲幅呈現擴大態勢，建議關注存儲芯片對下游價格的影響。那么下游哪些產業會受到影響呢？全品類存儲價格全線沖高，漲價潮持續加碼硬件存儲價格的暴漲已持續半年，上行趨勢仍在持續強化。本輪漲價覆蓋了 DRAM、NAND Flash 兩大主流存儲品類，以及 Nor Flash、車規級存儲等細分賽道，呈現出「全品類普漲、漲幅
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DRAM Flash
DRAM 平均現貨價格（2 月 25 日 - 3 月 3 日）DDR5 16Gb 4800/5600（2G×8）：77.36→79.14，漲幅 2.25%DDR5 16Gb（2G×8）eTT 版 3200：38.67→39.17，漲幅 1.29%DDR4 16Gb（2G×8）eTT 版：32.34→33.02，漲幅 2.48%DDR4 16Gb（1G×8）3200：20.20→20.70，漲幅 2.10%DDR4 8Gb：13.53→13.66，漲幅 1.02%最新更新時間：2026 年 3 月 4 日
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存儲器 DRAM 現貨價 合約價 集邦咨詢
人工智能引發內存供應危機，DRAM 市場被迫啟用 “小時級定價” 模式 —— 數萬家中小企業為生存展開激烈爭奪逾 19 萬家中小型電子企業正被人工智能浪潮擠出內存市場。據《電子時報》今日發布的報道，受人工智能需求激增引發的內存短缺問題持續加劇影響，內存價格開始以小時為單位波動。半導體行業內部人士提醒，若中小廠商無法預付貨款并立即下單，短短數分鐘內報價就可能大幅上漲。報道指出，當前內存市場已明顯分化：約 100 家頭部采購商憑借議價能力牢牢掌握貨源，而超過 19 萬家中小企業只能爭搶剩余的少量庫存。人工智能
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內存 DRAM NAND
據報道，全球前兩大DRAM芯片大廠三星和SK海力士已向客戶發出通知，今年第二季度將繼續大幅提高DRAM價格。而具體的漲價幅度則因客戶而異，但中小型客戶可能將不得不接受大幅漲價以確保DRAM供應。這一波DRAM價格的持續上漲，是因為自去年下半年起因AI基礎設施建設熱潮刺激 —— 這也徹底改變了交易慣例，大客戶與中小企業之間的購買力差距也在擴大。有業內人士觀察到，有些客戶必須接受價格上漲超過之前合同價格的兩倍以上，才能獲得DRAM的批量供應。近期有消息顯示，三星在與蘋果就LPDDR5X供應價格進行談判時，三星
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三星 SK海力士 DRAM
據中國臺灣媒體報道，SK海力士和三星兩大內存巨頭接連傳出漲價消息，DDR5內存顆粒價格擬上調40%，第二季度DRAM價格或將翻倍。 內存模組廠商已暫停對外報價，等待成本重新核算。據中國臺灣《PCDIY！》資深記者Rose Lee透露，新一波內存漲價將呈現“一浪接一浪”的迅猛態勢，傳導速度極快。其中，DDR5主流32GB規格產品價格預計將從目前約新臺幣1萬元飆升至2萬元，突破歷史新高。目前，全球渠道商和代理商仍有部分低價庫存，但隨著成本上漲，這些庫存將逐步被消化，市場將全面進入高價時代。
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DDR5 DRAM
據市場研究公司DRAMeXchange于2月27日發布的數據顯示，DRAM和NAND閃存芯片的價格繼續同步上漲，其中DRAM價格再次創下歷史新高，達到13美元，而NAND閃存價格漲幅超過33%。自去年4月以來，通用DRAM價格已連續11個月上漲。數據顯示，2月份通用PC DRAM產品（DDR4 8Gb 1Gx8）的平均固定交易價格為13.00美元，較上月的11.50美元上漲了13.04%。這一價格創下自2016年6月開始該項調查以來的最高紀錄。TrendForce分析指出，PC DRAM價格較上一季度上漲
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存儲芯片 DRAM NAND TrendForce
隨著AI服務的進步，需求不斷增長，而供應仍然有限，分析師預計今年內存價格的上漲趨勢將持續。一些人認為，市場已經進入了供應商主導的階段。目前，SK海力士的DRAM和NAND庫存已降至約四周的供應量。穩健的庫存管理和緊張的供需環境有利于就長期合同進行磋商，DRAM相對于需求的短缺也可能有利于2027年HBM業務的擴張。SK海力士認為，在AI客戶強勁需求的推動下，當前的內存價格上漲趨勢可能貫穿全年。雖然PC和移動用戶可能因價格大幅上漲而降低配置（despeccing），這可能會抑制需求，但由于供應擴張能力有限，
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存儲 NAND DRAM SK海力士
AI應用持續推動內存需求激增，昨日華邦電子（Winbond）在法說會上指出，DRAM供應緊張已成為當前焦點。據《經濟日報》報道，公司表示DRAM短缺將持續存在，本季度內存價格預計將飆升90%–95%，而下一季度的漲幅有望與本季持平。《經濟日報》進一步指出，除了本季度價格接近翻倍外，第二季度價格預計還將再上漲近一倍，這意味著到2026年6月底，DRAM價格可能達到2025年底水平的近4倍。《工商時報》也提到，華邦2025年和2026年的產能已全部售罄，產線處于滿載運轉狀態。受此強勁漲價趨勢推動，機構投資者對
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華邦 DRAM
如今科技領域似乎一切都圍繞AI展開，而事實也的確如此。在計算機內存市場，這一點體現得尤為明顯。為AI數據中心中GPU及其他加速芯片提供支持的DRAM需求極其旺盛、利潤空間巨大，導致原本用于其他領域的內存產能被分流，價格也隨之暴漲。據Counterpoint Research數據，本季度截至目前，DRAM價格已上漲80%～90%。電子行業為何會陷入這一困境？當前局面是DRAM行業周期性繁榮與衰退疊加前所未有的AI硬件基礎設施建設浪潮共同導致的結果。供需劇烈波動的核心要理解這一事件的來龍去脈，就必須認識到造成
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DRAM GPU
2 月 2 日，英特爾宣布與軟銀子公司 SAIMEMORY 達成合作，共同研發 Z-Angle 內存（ZAM），其內存領域的野心再度引發關注。根據雙方發布的新聞稿，該項目將于 2026 年第一季度啟動，預計 2027 年推出原型產品，2030 年實現全面量產。在此次合作中，英特爾將提供技術與創新支持，SAIMEMORY 則主導產品研發與商業化進程。《日本電子工程時報》援引軟銀發言人的表述稱，“ZAM” 中的 “Z” 代表 Z 軸，研發團隊正考慮采用垂直堆疊結構設計。報道還提到，軟銀計劃在 2027 財年完
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英特爾 DRAM 軟銀 Z-Angle 內存項目
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