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lpddr6 dram 文章 最新資訊

中國CXMT和YMTC推動DRAM和NAND生產(chǎn)

  • 中國存儲半導(dǎo)體公司長鑫存儲科技 （CXMT） 和長江存儲科技 （YMTC） 正在加強其在全球存儲半導(dǎo)體市場的影響力，在大約一年后將其產(chǎn)能幾乎翻了一番。自去年以來，中國內(nèi)存開始在三星電子和 SK 海力士主導(dǎo)的通用 DRAM 市場中嶄露頭角，從傳統(tǒng) DRAM 開始，在國內(nèi)市場需求和政府補貼的推動下，中國內(nèi)存正在提高其競爭力。此外，它還對高帶寬內(nèi)存 （HBM） 和 300 層 3D NAND 閃存等先進產(chǎn)品線提出了挑戰(zhàn)，縮小了與三星電子和 SK 海力士的差距。根據(jù) ChosunBiz 21 日獲得的 Omdia
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Cadence率先推出業(yè)內(nèi)首款LPDDR6/5X 14.4Gbps內(nèi)存IP，為新一代AI基礎(chǔ)架構(gòu)助力

  • 楷登電子（美國 Cadence 公司）近日宣布業(yè)內(nèi)首個 LPDDR6/5X 內(nèi)存 IP 系統(tǒng)解決方案完成流片。該解決方案已經(jīng)過優(yōu)化，運行速率高達 14.4Gbps，比上一代 LPDDR DRAM 快 50%。全新的 Cadence? LPDDR6/5X 內(nèi)存 IP 系統(tǒng)解決方案是擴展 AI 基礎(chǔ)架構(gòu)的關(guān)鍵驅(qū)動因素。經(jīng)過擴展之后，AI 基礎(chǔ)架構(gòu)可以適應(yīng)新一代 AI LLM、代理 AI 及其他垂直領(lǐng)域計算密集型工作負載對于內(nèi)存帶寬和容量的需求。在這方面，Cadence 目前正在與領(lǐng)先的 AI、高性能計算（HP
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LPDDR6內(nèi)存標準正式發(fā)布

  • 新版 JESD209-6 LPDDR6 標準是內(nèi)存技術(shù)的重大進步，在性能、能效和安全性方面均有提升。
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SK 海力士據(jù)報道將 DDR4/ LPDDR4X 合同價格上調(diào) 20%，因 Q3 需求保持強勁

  • 隨著內(nèi)存制造商逐步淘汰 DDR4，預(yù)計出貨將在 2026 年初結(jié)束，合同價格持續(xù)上漲。據(jù)中國的 華爾街見聞 報道，SK 海力士已將 DDR4 和 LPDDR4X 內(nèi)存的合同價格上調(diào)約 20%，標志著新一輪價格上漲。這種趨勢與 TrendForce 的發(fā)現(xiàn)相呼應(yīng)，該機構(gòu)指出，三大主要 DRAM 供應(yīng)商正在將產(chǎn)能重新分配給高端產(chǎn)品，并逐步淘汰 PC、服務(wù)器級 DDR4 和移動 LPDDR4X。因此，據(jù) TrendForce 預(yù)測，2025 年第三季度主流 DRAM 的平
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JEDEC發(fā)布針對移動和AI的LPDDR6

  • JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會 （JEDEC Solid State Technology Association） 宣布發(fā)布最新的低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率 6 （LPDDR6） 標準 JESD209-6。JESD209-6 LPDDR6 標準將顯著提高一系列應(yīng)用的內(nèi)存速度和效率，包括移動設(shè)備和 AI 系統(tǒng)。新標準代表了內(nèi)存技術(shù)的重大進步，提供了增強的性能、能效和安全性。為了實現(xiàn) AI 應(yīng)用程序和其他高性能工作負載，LPDDR6 采用雙子通道架構(gòu)，允許靈活作，同時保持 32 字節(jié)的小訪問粒度。此外，LPDDR6 還提
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JEDEC發(fā)布首個LPDDR6標準

  • 制定微電子標準的全球機構(gòu)聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會 （JEDEC） 剛剛發(fā)布了 JESD209-6。本文檔定義了下一代內(nèi)存設(shè)計 LPDDR6，并且是第一個提到 DDR6 的官方規(guī)范。根據(jù) JEDEC 的說法，LPDDR6 提供了改進的性能、更高的能效以及增強的安全性和可靠性。該集團推出 DDR5 已經(jīng)五年了，從那時起的技術(shù)進步需要發(fā)布更快的標準，尤其是對于移動設(shè)備和邊緣 AI 應(yīng)用。該組織表示，它通過增加子通道的數(shù)量和減小其大小來提高 LPDDR6 的性能。DDR5 將 DDR4 使用的
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內(nèi)存現(xiàn)貨價格更新：16Gb DDR4 消費者內(nèi)存價格上升，而 PC 內(nèi)存失去動力

  • 根據(jù) TrendForce 最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價格趨勢報告，關(guān)于 DRAM，16Gb DDR4 消費者內(nèi)存芯片的現(xiàn)貨價格持續(xù)上漲，而 8Gb DDR4 等 PC 內(nèi)存芯片則出現(xiàn)輕微回調(diào)。至于 NAND 閃存，供應(yīng)商逐步釋放產(chǎn)能資源，加上中國國家補貼的減弱效應(yīng)，導(dǎo)致現(xiàn)貨市場低迷。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價格：盡管過去一周現(xiàn)貨價格略有下降，但這主要反映了之前 DDR4 芯片價格的快速大幅上漲。整體供應(yīng)仍然非常緊張。值得注意的是，16Gb DDR4 消費級 DRAM 芯片的現(xiàn)貨價格繼續(xù)上漲，而 8Gb DDR4 等
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歷史性 DDR4 現(xiàn)貨價格飆升，據(jù)報道使 DDR5 翻倍，推動南亞科技的庫存暴利

  • 上周，臺灣地區(qū)頂級 DRAM 制造商南亞科技據(jù)報道暫停了 DDR4 現(xiàn)貨報價，因為價格飆升。現(xiàn)在，隨著 DDR4 16Gb 芯片的價格幾乎是同等 DDR5 的兩倍——這是 DRAM 歷史上的第一次——該公司有望從其大量庫存中獲利，根據(jù)經(jīng)濟日報的最新數(shù)據(jù)，引用了 DRAMeXchange 的數(shù)據(jù)，DRAMeXchange 是一個趨勢力旗下的 DRAM 定價平臺。隨著三星、美光和中國芯片制造商縮減 DDR4 生產(chǎn)，南亞科技已成為該行業(yè)的主要供應(yīng)商。據(jù)報告稱，南亞科技第一季度庫存飆升至創(chuàng)紀錄的 37.59 億新
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適用于DRAM和處理器的3D堆棧集成

  • 東京科學(xué)研究所在 IEEE電子元件和技術(shù)會議 ECTC 上透露了其 BBCube 3D 集成流程的進展。“這些新技術(shù)可以幫助滿足高性能計算應(yīng)用的需求，這些應(yīng)用需要高內(nèi)存帶寬和低功耗以及降低電源噪聲，”該研究所表示。BBCube 結(jié)合使用晶圓上晶圓 （WOW） 和晶圓上芯片 （COW） 技術(shù)，將處理器堆疊在一堆超薄 DRAM 芯片上。將處理器放在頂部有助于散熱，而該研究所的面朝下的 COW 工藝最初是為了擺脫焊接互連而開發(fā)的，而是在室溫下使用噴墨選擇性粘合劑沉積。用于 300mm 晶圓，實現(xiàn)了 10μm 的
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臺灣地區(qū)的 DRAM 供應(yīng)商南亞科技據(jù)報道暫停 DDR4 現(xiàn)貨價格報價，庫存緊張

  • 隨著三星和美光等主要內(nèi)存制造商減少 DDR4 生產(chǎn)并價格上漲，據(jù)報道，臺灣地區(qū)的主要供應(yīng)商南亞科技已暫停報價，這表明供應(yīng)緊張和需求增長，據(jù)經(jīng)濟日報報道。行業(yè)消息人士進一步解釋說，報價暫停主要發(fā)生在現(xiàn)貨市場，而在合同市場，供應(yīng)商正在囤積庫存并穩(wěn)步推高價格。TrendForce 的最新調(diào)查發(fā)現(xiàn)，由于兩大主要 DRAM 供應(yīng)商減少 DDR4 生產(chǎn)以及買家在美國關(guān)稅變化前加速采購，服務(wù)器和 PC 的 DDR4 合同價格預(yù)計將在 2025 年第二季度大幅上漲。因此，服務(wù)器 DDR4 合同價格預(yù)計環(huán)比將上漲
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DDR4瘋狂漲價，DRAM廠商爆賺

  • 據(jù)臺媒《經(jīng)濟日報》報道，由于DDR4供應(yīng)減少，再加上市場神秘買家大舉出手掃貨，最新的8Gb/16Gb DDR4 DRAM現(xiàn)貨價等規(guī)格單日都暴漲近8%。本季以來報價已翻漲一倍以上，不僅跨過DRAM廠損益平衡點，更達到讓廠商暴賺的水平。如今DDR4不僅報價大漲，甚至比更高規(guī)格的DDR5報價更高，呈現(xiàn)“價格倒掛”，業(yè)界直言：“至少十年沒看過現(xiàn)貨價單日漲幅這么大。”根據(jù)DRAM專業(yè)報價網(wǎng)站DRAMeXchange最新報價顯示，6月13日晚間DDR4現(xiàn)貨價全面暴漲，DDR4 8Gb（1G×8）3200大漲7.8%，
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英特爾+軟銀聯(lián)手劍指HBM

  • 美國芯片巨頭英特爾已與日本科技和投資巨頭軟銀攜手，合作開發(fā)一種堆疊式DRAM解決方案，以替代高帶寬存儲器（HBM）。據(jù)報道，雙方已合資成立新公司Saimemory共同打造原型產(chǎn)品，該項目將利用英特爾的芯片堆疊技術(shù)以及東京大學(xué)持有的數(shù)據(jù)傳輸專利，軟銀則以30億日元注資成為最大股東（總投資約100億日元）。該合作計劃于2027年完成原型開發(fā)并評估量產(chǎn)可行性，目標是在2030年前實現(xiàn)商業(yè)化。Saimemory將主要專注于芯片的設(shè)計工作以及專利管理，而芯片的制造環(huán)節(jié)則將交由外部代工廠負責(zé)這種分工模式有助于充分發(fā)揮
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三星考慮進行大規(guī)模內(nèi)部重組

  • 據(jù)韓媒SEDaily報道，三星半導(dǎo)體部門（即DS設(shè)備解決方案部）正對系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)的組織運作方式的調(diào)整計劃進行最終審議，相關(guān)決定將在不久后公布。預(yù)計在由副董事長鄭鉉鎬和DS部門負責(zé)人全永鉉做出最終決定之前，還將進行更多高層討論，并聽取董事長李在镕的意見。系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)主要負責(zé)芯片設(shè)計，在三星半導(dǎo)體體系中承擔(dān)著為移動業(yè)務(wù)（MX）部門開發(fā)Exynos手機SoC的核心任務(wù)。然而，近年來Exynos 2x00系列應(yīng)用處理器在三星Galaxy S/Z系列高端智能手機中的采用率明顯下降，不僅削弱了MX部門的利潤空間，
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DDR5上升趨勢放緩;DRAM價格在第三季度將適度上漲

  • 根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價格趨勢報告，DRAM 方面，DDR5 價格已顯現(xiàn)放緩跡象，預(yù)計 25 年第三季度整體 DRAM 價格漲幅將有所緩和。至于 NAND 閃存，現(xiàn)貨價格在 2 月下旬以來上漲后已達到相對較高的水平，購買勢頭現(xiàn)在正在降溫。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價格：與 DDR4 產(chǎn)品相比，DDR5 產(chǎn)品仍然會出現(xiàn)小幅現(xiàn)貨價格上漲。然而，DDR5 產(chǎn)品的平均現(xiàn)貨價格已經(jīng)相當高，在某些情況下甚至高于合同價格。因此，上升趨勢最近有所緩和。組件公司和現(xiàn)貨交易員仍然更愿意接受 DDR4
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Neo Semiconductor將IGZO添加到3D DRAM設(shè)計中

  • 存儲設(shè)備研發(fā)公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術(shù)的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發(fā)布。Neo 表示，它已經(jīng)開發(fā)了一個晶體管、一個電容器 （1T1C） 和三個晶體管、零電容器 （3T0C） X-DRAM 單元，這些單元是可堆疊的。該公司表示，TCAD 仿真預(yù)測該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn) 10ns 的讀/寫速度和超過 450 秒的保持時間，芯片容量高達 512Gbit。這些設(shè)計的測試芯片預(yù)計將于 2026 年推出
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