Vertical Die

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Vertical Die資訊

三星主導(dǎo)垂直芯片研發(fā)：目標將HBM的 I/O 提升10倍、帶寬提升 4 倍

盡管 JEDEC 計劃放寬 HBM 高度限制，將 HBM4 的上限從 775 微米上調(diào)至約 900 微米，行業(yè)仍在持續(xù)尋求突破傳統(tǒng) HBM 架構(gòu)的結(jié)構(gòu)瓶頸。據(jù)《ET News》報道，三星電子未來技術(shù)研究項目下一項基于垂直...

三星垂直芯片 2026-04-13

HBM4新競局 Base Die成勝負關(guān)鍵

AI算力競賽持續(xù)升級，高帶寬記憶體（HBM）正式邁入新一輪技術(shù)分水嶺。隨AMD與三星半導(dǎo)體宣布擴大策略合作，鎖定HBM4與下一代AI存儲器解決方案開發(fā)，市場關(guān)注焦點已不再局限于DRAM堆疊本身，而是轉(zhuǎn)向「Base Di...

HBM4 Base Die 2026-03-23

Arteris推出升級版Multi-Die 解決方案，加速AI驅(qū)動芯片創(chuàng)新

加利福尼亞州坎貝爾—2025 年 6 月 17 日—在人工智能計算需求重塑市場格局之際，致力于加速系統(tǒng)級芯片 (SoC) 開發(fā)的領(lǐng)先系統(tǒng) IP 提供商 Arteris 公司（納斯達克股票代碼：AIP）今天宣布擴展其 Mu...

Arteris Multi-Die 2025-06-19

Arrow Lake Die Shot展示了Intel 基于chiplet的設(shè)計細節(jié)

英特爾 Arrow Lake 架構(gòu)的模具照片已經(jīng)發(fā)布，展示了英特爾注入小芯片（tile）的設(shè)計的所有榮耀。X 上的 Andreas Schiling 分享了幾張 Arrow Lake 的近距離圖片，揭示了 Ar...

Arrow Lake Die Shot 2025-05-06

MVA（Multi-domain Vertical Alignment）廣視角技術(shù)的原理分析

顧名思義，MVA（Multi-domain Vertical Alignment）模式的液晶顯示器，其液晶分子長軸在未加電時不像TN模式那樣平行於螢?zāi)唬谴怪膘段災(zāi)唬⑶颐總€圖元都是由多個這種垂直取向的液晶分子疇組成。...

技術(shù) 原理 2012-05-09

三星宣布新層疊封裝技術(shù) 8層僅厚0.6mm

　　三星公司今天宣布，該公司已經(jīng)成功開發(fā)出了全球最薄的Multi-die堆疊封裝技術(shù)，將8顆閃存晶片(Die)層疊封裝在一顆芯片內(nèi)，厚度僅為0.6mm，比目前常見的8層封裝技術(shù)厚度降低一半。三星的這項技術(shù)最初是為32GB...

三星封裝 2009-11-06

Vertical Die專欄

算力擴展場景下，為什么Chiplet IO Die架構(gòu)優(yōu)于傳統(tǒng)SoC集成？

算力擴展場景下，為什么Chiplet IO Die架構(gòu)優(yōu)于傳統(tǒng)SoC集成？在大模型訓練與推理場景中，AI基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展已經(jīng)從傳統(tǒng)的“算力競爭”全面轉(zhuǎn)向“互聯(lián)競爭”。隨著模型參數(shù)量的激增，計算核心對內(nèi)存容量和帶...

Chiplet IO 2026-04-03