美光宣布 HBM4、SOCAMM2 內存模塊及 PCIe 第六代固態硬盤實現大規模量產
2026 年 3 月 16 日,美光科技在英偉達 GTC 2026 大會上正式發布重磅消息:旗下HBM4 高帶寬內存、SOCAMM2 內存模塊以及業內首款 PCIe 第六代數據中心固態硬盤,均已實現大規模量產并開啟批量出貨,全系列產品均為英偉達 Vera Rubin AI 平臺量身打造,將為智能體 AI、高性能計算等負載提供核心存儲算力支撐。
核心產品量產信息
HBM4 高帶寬內存
首批量產的為 36GB 12 層堆疊版本,已于 2026 年第一季度出貨,引腳速率超 11Gb/s,可提供超 2.8TB/s 的內存帶寬,相較上一代 HBM3E,帶寬提升 2.3 倍,功耗效率優化超 20%;同時美光已向客戶交付 48GB 16 層堆疊版本的 HBM4 樣品,單顆容量較 12 層版本提升 33%,為更高規格算力需求預留性能空間。
192GB 版本率先量產,將應用于英偉達 Vera Rubin NVL72 系統及獨立 Vera CPU 平臺,單顆 CPU 可支持最高 2TB 內存容量與 1.2TB/s 帶寬;該產品線容量覆蓋 48GB 至 256GB,可適配不同規模 AI 服務器配置,兼顧低功耗與大容量需求。
作為業內首款量產的 PCIe 6.0 數據中心 SSD,產品針對英偉達 BlueField-4 STX 架構深度優化,順序讀取速度最高達 28GB/s,隨機讀取性能 550 萬 IOPS,相較 PCIe 5.0 產品讀取性能翻倍,單位功耗性能提升 100%,同時適配液冷環境,完美契合 AI 訓練、推理等低延遲、高吞吐的負載需求。
美光科技執行副總裁兼首席商務官蘇米特?薩達納表示,AI 的下一個時代將由生態協同創新的深度集成平臺定義,美光與英偉達的緊密合作實現了計算與存儲從設計之初的協同擴展;HBM4 作為 AI 算力的核心引擎,結合量產的 SOCAMM2 與 PCIe 6.0 SSD,將成為解鎖下一代 AI 潛力的核心存儲基礎。









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