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法國 SOITEC 公司與新加坡南洋理工大學的研究人員報道，適度微縮的硅基氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN-on-Si HEMT）在 30GHz 工作時，功率附加效率（PAE）突破 60%。該器件同時實現了低至 1.1d...

硅基氮化鎵 GaN-on-Si 2026-03-04

山東大學和華為技術有限公司在中國使用氟（F）離子注入端接（FIT）在全垂直氮化鎵（GaN）硅基硅（Si）溝槽金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）中實現了1200V擊穿性能[Yuchuan 馬等人，IEEE Ele...

1200V 全垂直 2025-08-13

能達到高分辨率、高對比度、高亮度顯示效果的Micro LED顯示器，早在2012年就已經出現初代樣品，但受限于超高難度的制造過程，至今仍被業界視為「夢幻級產品」。近年來，在大廠領軍推動下，雖然已經有愈來愈多的...

硅基氮化鎵 Micro LED 2022-06-15

意法半導體（STMicroelectronics）和電信、工業、國防和數據中心半導體解決方案供貨商MACOM技術解決方案控股有限公司（那斯達克股票代碼：MTSI」）宣布，已成功制造出射頻硅基氮化鎵（RF GaN-on-S...

意法半導體 MACOM 2022-06-14

5月13日，意法半導體和MACOM宣布宣布成功生產射頻硅基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型。RF GaN-on-Si為5G和6G基礎設施提供了巨大潛力。長期存在的射頻功率技術橫向擴散金屬氧化物半導體(L...

意法半導體硅基氮化鎵 2022-06-14

合作研制先進的硅基氮化鎵功率二極管和晶體管架構,并將其量產利用IRT納電子技術研究所的研究結果，工藝技術將會從Leti的200mm研發線轉到意法半導體的200mm晶圓試產線，2020年前投入運營中國 /&nbs...

意法半導體硅基氮化鎵 2022-06-14

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