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氧化鎵鐵電性研究取得突破性進展

近日，北京郵電大學物理科學與技術學院吳真平教授團隊聯合香港理工大學、南開大學等單位，在寬禁帶半導體鐵電性研究領域取得重要突破。團隊通過實驗驗證了主流寬禁帶半導體氧化鎵（Ga2O3）在室溫下的本征鐵電性，為半導體技術發展開...

氧化鎵鐵電性研究 2026-03-02

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