隨著玻璃基板成為下一代 AI 半導體封裝的關鍵材料，相關技術正受到業界高度關注。據韓國電子新聞（ETNews）報道，全南國立大學機械工程系韓承熙（Han Seung?hoe）教授團隊開發出一項名為超短脈沖激光誘導化學氣相沉積（ULCVD） 的新技術。

該技術利用超快飛秒激光，無需掩膜即可在透明基板兩面直接刻寫導電碳基電路，實現全表面靈活、選擇性布線。

報道指出，這一突破有望推動基于 3D 玻璃結構的器件發展，包括基于先進共封裝光學（CPO） 的光電融合半導體，以及高精度量子傳感器。

新技術攻克 CPO 中玻璃基板布線瓶頸

報道稱，玻璃基板在 CPO 領域的重要性持續提升，該技術將進一步加速其普及。下一代 CPO 技術在單芯片上集成電信號與光信號，使得光學性能優異的玻璃基板需求快速增長。

但在玻璃基板上實現玻璃通孔（TGV）、重新布線層（RDL） 等三維互連結構，仍是重大技術難題。

研究團隊證實，飛秒激光可穿透透明玻璃，利用非線性吸收效應，在玻璃基板正反兩面實現靈活選擇性布線。經工藝優化后，導電性能已達到學術界已報道的激光誘導石墨烯（LIG） 布線的最佳水平。

該技術還被證實，在通孔內部互連與復雜 3D 曲面結構布線上具備強大潛力，這對未來先進半導體封裝至關重要。

未來計劃：從碳基擴展到銅、金等金屬布線

韓承熙教授表示，團隊計劃將 ULCVD 工藝從現有碳基電路，擴展到銅（Cu）、金（Au）等多種金屬材料，這些材料預計將成為未來半導體封裝的關鍵材料。

玻璃基板商業化進程正在加速。據《全球經濟》援引消息人士稱，英特爾已規劃 2030 年技術路線圖以搶占領先優勢。韓國企業也在加速布局：為應對英特爾推進，SKC 旗下子公司Absolics正在美國佐治亞州建設全球首座玻璃基板量產工廠。英特爾仍處于研發階段，而 Absolics 目標率先進入大規模量產，搶占材料標準先機。