核心要點

• 2025 年全球半導體行業資本支出1660 億美元，同比增長 7%。

• 預計 2026 年將達到2000 億美元，同比大增 20%。

• 臺積電、三星、美光、SK 海力士領銜擴產，AI 與高性能計算是主要驅動力。

• 馬斯克宣布自建Terafab 晶圓廠，投資 200–250 億美元，瞄準 2nm 工藝。

• 存儲廠商成為 2026 年資本支出最大板塊，占比45%。

• IDM（整合元件廠）資本支出持續下滑，英特爾被美光、SK 海力士超越。

半導體行業咨詢機構 Semiconductor Intelligence 預測：

2025 年全球半導體資本支出（CapEx）達到1660 億美元，較 2024 年增長 7%；預計 2026 年將進一步攀升至2000 億美元，同比增長 20%。

一、晶圓代工廠資本支出

• 臺積電：2024 年支出409 億美元，占全球總支出 25%，為行業第一。

• 臺積電預計 2026 年資本支出520 億–560 億美元，同比增長 27%–37%，主要用于 5G、AI 與高性能計算（HPC）。

• 其他代工廠 2026 年支出基本持平或下滑，格芯（GlobalFoundries）例外，預計增長 70%。

3 月 21 日，埃隆?馬斯克宣布自建晶圓廠 Terafab，為特斯拉、SpaceX、xAI 供應芯片。

• 廠址：美國得克薩斯州奧斯汀

• 總投資：200 億–250 億美元

• 工藝：2nm

• 月產能：100 萬片晶圓

• 預計 2028 年試產，2032 年滿產

• 2026 年主要用于購地、建廠，預計當年資本支出30 億美元

• 歸類為晶圓代工廠（不對外銷售）

二、存儲芯片廠商資本支出（2026 年占比最大，達 45%）

• 三星：2026 年計劃投資超110 萬億韓元（約 740 億美元），以 “鞏固 AI 半導體時代領導地位”。

• 其中約 340 億美元用于研發與非半導體項目

• 半導體資本支出約400 億美元，同比增長 20%

• 美光（Micron）、SK 海力士：2026 年資本支出預計均增長超 40%。

三、IDM（整合元件廠）資本支出持續下滑

• 2025 年 IDM 整體資本支出413 億美元，同比下降 25%。

• 預計 2026 年繼續下降約 9%。

• 下滑主因：AI 芯片市場主要由存儲廠商與英偉達等無晶圓廠公司主導。

重點企業：

• 英特爾：2025 年支出 177 億美元，同比下降 29%；2026 年預計持平或下滑。

• 2025 年被 SK 海力士超越，2026 年將被美光超越。

• 德州儀器（TI）：2026 年計劃支出 20 億–30 億美元，低于      2025 年的 46 億美元。

• 意法半導體、英飛凌：2026 年計劃上調資本支出。

四、半導體資本支出與市場規模比例

半導體市場波動極大，過去 40 年增速區間為 **+46%（1984）至 - 32%（2001）。

新建一座晶圓廠通常需要約2 年 ** 時間，因此行業資本支出節奏會明顯領先于市場。

• 資本支出 / 市場規模比例歷史區間：12%–34%

• 1980–2025 年長期平均：23%

• 2023 年：31.1%（近      45 年僅 7 次超過 30%）

• 2024 年：25%

• 2025 年：21%

• 預計 2026 年：19%

• 五年均值將降至24%

結論：

盡管 2026 年資本支出預計增長 20%，但并未超過半導體市場整體增速。若未來數年市場保持健康增長，行業不會出現產能過剩。