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晶圓代工與存儲(chǔ)芯片廠商資本支出（CapEx）大幅上調(diào)
- 核心要點(diǎn)2025 年全球半導(dǎo)體行業(yè)資本支出1660 億美元，同比增長(zhǎng) 7%。預(yù)計(jì) 2026 年將達(dá)到2000 億美元，同比大增 20%。臺(tái)積電、三星、美光、SK 海力士領(lǐng)銜擴(kuò)產(chǎn)，AI 與高性能計(jì)算是主要驅(qū)動(dòng)力。馬斯克宣布自建Terafab 晶圓廠，投資 200–250 億美元，瞄準(zhǔn) 2nm 工藝。存儲(chǔ)廠商成為 2026 年資本支出最大板塊，占比45%。IDM（整合元件廠）資本支出持續(xù)下滑，英特爾被美光、SK 海力士超越。半導(dǎo)體行業(yè)咨詢機(jī)構(gòu) Semiconductor Intelligence 預(yù)測(cè)：202
- 關(guān)鍵字： 晶圓代工 存儲(chǔ)芯片 資本支出 CapEx
NAND閃存景氣回升 CAPEX將增40%至310億美元
- 近日，據(jù)IC Insights的數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)，2018年NAND Flash行業(yè)的資本支出(CAPEX)將比預(yù)期產(chǎn)量增加40%以上，從2017年的220億美元增至2018年的310億美元，屬于近8年來(lái)的最大增幅。 其中，3D NAND的市場(chǎng)需求，成為驅(qū)動(dòng)NAND閃存資本支出激增的主要因素之一。3D NAND閃存技術(shù)采用堆疊的方式處理設(shè)備層關(guān)系，可以使得每顆芯片的儲(chǔ)存容量增加，從而實(shí)現(xiàn)更大的結(jié)構(gòu)和單元間隔，利于增加產(chǎn)品的耐用性、降低生產(chǎn)成本。因此深受NAND閃存廠商的追捧，目前已成為NAND閃存廠商的
- 關(guān)鍵字： NAND CAPEX
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