據韓國至頂網（ZDNET Korea）2月4日報道，三星電子旗下晶圓代工業務擬對部分制程價格進行調整，主要涉及4nm與8nm工藝，預計漲幅約在10%左右。業內人士透露，這兩項工藝已進入成熟階段，良率趨于穩定，且被認為接近“實際產能極限”。其中，注重性能的客戶更傾向于選擇4nm工藝，而對價格敏感的客戶則偏向8nm工藝。具體漲幅可能因客戶類型和工藝不同而有所差異。通過此次價格調整，三星電子晶圓代工部門有望為自身工藝研發提供資金支持，同時提升中長期盈利能力。與此同時，臺積電此前已多次上調工藝價格，主要原因是AI
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三星電子 4nm 8nm
1月28日消息，去年5月，小米正式推出自主研發的旗艦SoC——玄戒O1，這顆芯片由玄戒團隊自主設計，采用臺積電第二代3nm工藝，CPU和GPU都采用了Arm方案，多核跑分成績超過9000分，躋身行業第一梯隊。但小米并未大范圍在其自家產品上應用玄戒O1，僅小米15S Pro及小米平板7 Ultra等少量產品搭載。小米創辦人雷軍曾在接受采訪時表示，研芯片需要有三到四年的研發周期，第一代是在驗證技術，所以預定數量少，下一步我們會全部自研四合一的域控制，為將來小米自研芯片上車做好準備。進入2026年，小米玄戒O2
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小米 旗艦芯片 玄戒O2 臺積電 3nm 工藝
經濟新聞日報》道，臺積電將于 10 月破土動工，耗資 490 億美元的 Fab 25 工廠用于其 1.4 納米工藝。1.4nm 的試生產計劃于 2027 年底在構成 Fab 25 的四個晶圓廠中的第一個進行。Fab 25 將在臺中市附近的臺灣中部科學園區舉行。所有四個晶圓廠都將運行 1.4nm 工藝，能夠生產 50k wpm。該工廠將容納四家工廠，最初的晶圓廠計劃于 2027 年底開始試生產，并于 2028 年下半年量產。臺積電的第二代 GAA 工藝 1.4nm 工藝與 20nm 工藝相比，邏輯密度超過
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臺積電 1.4nm 晶圓廠
隨著英特爾暫緩向客戶推廣該公司的18A制造工藝（1.8納米級），轉而將精力轉向下一代14A制造工藝（1.4納米級），英特爾14A的工藝進展就成為業界關注的新焦點。該節點預計將于2027年做好風險生產準備，并于2028年做好量產準備。 英特爾在半導體代工領域的未來極有可能取決于下一代英特爾14A工藝節點能否獲得蘋果和英偉達等主要客戶的認可，首席執行官陳立武強調了客戶合作在14A工藝研發過程中的重要意義，并警告說如果沒有重大承諾，英特爾可能會停止 14A 的開發，并有可能退出代工業務。如果英特爾真的
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英特爾 14A 工藝 代工
據報道，隨著主要競爭對手臺積電和英特爾的目標是在 2025 年下半年實現 2nm 和 18A 的量產，三星也在調整其業務戰略。據 ZDNet 稱，它現在專注于提高和優化其當前先進節點的良率，尤其是 2nm 和 4nm。值得注意的是，雖然沒有給出修改后的時間表，但該報告表明，三星的 1.4nm 生產現在不太可能在 2028 年甚至 2029 年之前開始。據 ZDNet 稱，該更新是在 6 月初的三星“SAFE（三星高級代工生態系統）論壇 2025”期間發布的。據報道，在此次活動中，三星透
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三星 2nm 4nm 1.4nm
2025 年 6 月 13 日，CellWise 發布了一份關于重大資產出售的草案報告摘要，稱其計劃將其全資子公司 Silex Sweden 的控制權轉讓給包括 Bure 和 Creades 在內的七家買家。具體而言，CellWise 的全資子公司將向 Silex Sweden 轉讓 441,0115 股——相當于交易后總股本的 45.24%——以現金形式進行。根據公告，該交易的定價為23.75億瑞典克朗。交易前，CellWise 通過其子公司持有 Silex Sweden 的 100%股權，使 Sile
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工藝 制程 半導體制造
X-FAB 硅晶圓廠 SE 在其 180nm XH018 半導體工藝中發布了一種新的隔離類別，該工藝支持更緊湊和高效的單光子雪崩二極管（SPAD）實現。新的隔離類別可以實現更緊密的功能集成、更高的像素密度和更高的填充因子，從而減小芯片面積。SPAD 是許多新興應用中的關鍵組件，包括自動駕駛汽車的激光雷達、3D 成像、AR/VR 系統的深度感知、量子通信和生物醫學傳感。X-FAB 已經在其 180nm XH018 平臺上提供多個 SPAD 器件，其有效面積從 10 μm 到 20 μm 不等。這包括一個近紅
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工藝 隔離 半導體制造
據韓媒etnews于6月18日報道，三星電子近期在高性能計算（HPC）和人工智能（AI）領域取得重要突破。其基于4nm工藝制造的SF4X UCIe原型芯片成功完成首次性能評估，傳輸帶寬達到24Gbps。這一成果標志著三星在芯粒互聯技術上的顯著進展。UCIe（統一芯粒互聯接口）是一種通用的芯粒互聯標準，能夠實現不同來源和工藝的芯粒之間的互聯通信，從而將分散的芯粒生態系統整合為統一平臺。三星早在去年就對其工藝進行了優化，以支持UCIe IP的開發。此次原型芯片的成功運行，表明其技術已具備向商業量產邁進的能力。
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三星 4nm UCIe 傳輸帶寬 24Gbps
據臺媒報道，臺積電位于美國亞利桑那州的晶圓廠已經完成了為蘋果、英偉達（NVIDIA）和AMD制造的第一批芯片，數量達到了2萬片晶圓，目前這些芯片已經送往中國臺灣進行封裝。這批在臺積電亞利桑那州晶圓廠生產的4nm制程晶圓，其中包括了英偉達Blackwell AI GPU、蘋果公司面向iPhone的A系列處理器和AMD第五代EPYC數據中心處理器。由于臺積電目前在美國沒有封裝廠，因此這些晶圓還需要發送到中國臺灣的臺積電的先進封裝廠利用CoWoS技術進行先進封裝。雖然臺積電也計劃在美國建設兩座先進封裝廠，但是目
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臺積電 4nm 晶圓 封裝
日本的研究人員開發了一種聚合物波導，其性能與現有復雜芯片封裝中的共封裝光學（CPO）方法相似。這可以降低將光學連接添加到芯片封裝中的成本，以減少功耗并提高數據速率。CPO 系統需要激光源才能運行，該激光源可以是直接集成到硅光子芯片（PIC）中，也可以是外部提供。雖然集成激光源允許更多連接，但確保一致性可靠性可能具有挑戰性，這可能影響整體系統魯棒性。另一方面，在 CPO 中使用外部激光源（ELS）可以提高系統可靠性。由日本國立先進工業科學技術研究所的 Satoshi Suda 博士領導的研究團隊測試了在玻璃
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工藝 封裝
隨著臺積電準備在今年晚些時候開始采用其 N2（2nm 級）工藝技術制造芯片，關于 N2 晶圓定價以及后續節點定價的傳言已經出現。我們已經知道，據報道，臺積電計劃對使用其 N30,000 技術加工的晶圓收取高達 2 美元的費用，但現在《中國時報》報道稱，該公司將對“更先進的節點”收取每片晶圓高達 45,000 美元的費用，據稱這指向該公司的 A16（1.6nm 級）節點。2nm 生產成本高“臺積電的 2nm 芯片晶圓代工價格已飆升至每片晶圓 30,000 美元，據傳 [更多] 先進節點將達到 45,000
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臺積電 1.6nm 工藝 晶圓
臺積電在阿姆斯特丹舉行的歐洲技術研討會上重申了其對下一代高數值孔徑 EUV 光刻工具的長期立場。該公司的下一代工藝技術不需要這些最高端的光刻系統，包括 A16（1.6 納米級）和 A14（1.4 納米級）工藝技術。為此，TSMC 不會為這些節點采用 High-NA EUV 工具。“當臺積電使用 High-NA 時，人們似乎總是很感興趣，我認為我們的答案非常簡單，”副聯席首席運營官兼業務發展和全球銷售高級副總裁 Kevin Zhang 在活動中說。“每當我們看到 High-NA 將提供有意義、可衡
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臺積電 1.4nm 高數值孔徑 EUV
電子集成技術分為三個層次，芯片上的集成，封裝內的集成，PCB板級集成，其代表技術分別為SoC，SiP和PCB（也可以稱為SoP或者SoB）芯片上的集成主要以2D為主，晶體管以平鋪的形式集成于晶圓平面；同樣，PCB上的集成也是以2D為主，電子元器件平鋪安裝在PCB表面，因此，二者都屬于2D集成。而針對于封裝內的集成，情況就要復雜得多。電子集成技術分類的兩個重要依據：1.物理結構，2.電氣連接(電氣互連)。目前先進封裝中按照主流可分為2D封裝、2.5D封裝、3D封裝三種類型。2D封裝012D封裝是指在基板的表
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電子集成 工藝 制程
4 月 30 日消息，英特爾新任 CEO 陳立武今日在美國加州圣何塞舉行的 Intel Foundry Direct Connect2025 活動中亮相，概述了公司在晶圓廠代工項目上的進展。陳立武宣布，公司現在正在與即將推出的 14A 工藝節點（1.4nm 等效）的主要客戶進行接觸，這是 18A 工藝節點的后續一代。英特爾已有幾個客戶計劃流片 14A 測試芯片，這些芯片現在配備了公司增強版的背面電源傳輸技術，稱為PowerDirect。陳立武還透露，公司的關鍵 18A 節點現在處于風險生產階段，預計今年晚
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英特爾 X3D 18A-PT 芯片工藝 14A 晶圓廠代工 1.4nm
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