據(jù)報道，隨著AI芯片需求的持續(xù)增長，全球晶圓代工兩大巨頭臺積電與三星電子在先進制程領(lǐng)域的競爭愈發(fā)激烈。雙方圍繞1納米、2納米制程展開的戰(zhàn)略布局，展現(xiàn)出截然不同的發(fā)展節(jié)奏。

據(jù)臺積電近期發(fā)布的發(fā)展藍圖顯示，公司計劃在2027年實現(xiàn)1納米等級制程的量產(chǎn)，首發(fā)為A16（即1.6納米）制程，隨后在2028年推出A14制程，并于2029年進一步升級至A13和A12制程。其中，A13制程相較于A14能夠縮減6%的芯片面積，同時通過設(shè)計技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（DTCO）提升能源效率與性能表現(xiàn)。而A12制程作為A14的強化版，將專為AI與高效能運算（HPC）領(lǐng)域設(shè)計，并導入背面供電網(wǎng)絡(luò)技術(shù)（BSPDN）“超級電軌”，將供電區(qū)域移至晶圓背面，進一步強化技術(shù)優(yōu)勢。

相比之下，三星電子的策略顯得更為保守。據(jù)三星在2025年“SAFE論壇”上透露，其1.4納米（SF1.4）制程的量產(chǎn)目標已從原定的2027年推遲至2029年。目前，三星正集中資源優(yōu)化2納米制程的良率與性能，計劃在2026年5月的美國SAFE論壇上發(fā)布以2納米制程為核心的戰(zhàn)略規(guī)劃。業(yè)界分析認為，三星希望通過夯實2納米技術(shù)基礎(chǔ)，逐步邁向1納米制程，避免因過快推進而影響產(chǎn)品穩(wěn)定性與盈利能力。

兩大巨頭的戰(zhàn)略差異，反映了對先進制程發(fā)展節(jié)奏的不同判斷。臺積電憑借穩(wěn)定的良率與龐大的客戶資源，選擇加速沖刺1納米制程，以鞏固其在晶圓代工領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。而三星在經(jīng)歷3納米制程的良率挑戰(zhàn)后，則采取更為穩(wěn)健的策略，優(yōu)先確保2納米制程的成熟度，再逐步向更先進制程邁進。