據韓媒New Daily援引業界消息，三星電子正以韓國天安園區為核心，加速高帶寬存儲器（HBM）后段制程的產能擴張。根據計劃，三星將在2026年底前實現每月23.1萬顆的熱壓鍵合（TCB）制程產能，同時每月提供1.95萬顆基于混合銅鍵合（HCB）技術的產能。到2029年，三星將把HBM堆疊制程的重心從TCB技術逐步轉移至HCB技術。 

三星于2026年2月宣布率先量產HBM4，并在GTC 2026上展示了HBM4E及HCB技術。業界分析認為，HBM市場的競爭重點正從存儲器芯片本身轉向堆疊與鍵合的速度和穩定性。目前，TCB技術仍是HBM量產的核心，但HCB技術以直接銅鍵合為基礎，可實現更高的堆疊層數和更精細的線距，因此備受關注。 

三星表示，HCB技術相比TCB技術能夠改善20%以上的熱阻，同時支持16層以上的高堆疊。HBM4的傳輸速度已穩定達到11.7Gbps，最高可達13Gbps，帶寬最高為3.3TB/s；而HBM4E的目標是實現16Gbps的傳輸速度和4.0TB/s的帶寬。業界認為，三星在前段制程性能競爭中已邁入新階段，后續的關鍵在于能否以客戶所需的良率和時間表完成芯片封裝并交付。 

隨著HBM4、HBM4E以及定制化HBM的發展，客戶需求已從單純關注規格轉向封裝完成度和供應穩定性。例如，像NVIDIA這樣的客戶更傾向于選擇能夠穩定供應的高層堆疊封裝產品，而非單一高性能芯片。因此，天安園區的擴產計劃不僅意味著產量的提升，更被視為三星將HBM市場劃分為“現在”與“未來”兩個戰場的信號。