- 據韓媒New Daily援引業界消息，三星電子正以韓國天安園區為核心，加速高帶寬存儲器（HBM）后段制程的產能擴張。根據計劃，三星將在2026年底前實現每月23.1萬顆的熱壓鍵合（TCB）制程產能，同時每月提供1.95萬顆基于混合銅鍵合（HCB）技術的產能。到2029年，三星將把HBM堆疊制程的重心從TCB技術逐步轉移至HCB技術。 三星于2026年2月宣布率先量產HBM4，并在GTC 2026上展示了HBM4E及HCB技術。業界分析認為，HBM市場的競爭重點正從存儲器芯片本身轉向堆疊與鍵合的速
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三星計劃 HBM 后段制程 HCB
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