Rapidus獲17 億美元融資,用于2納米芯片量產
這家位于北海道的晶圓廠已建成試運行產線,且正與 60 余家潛在客戶進行洽談。
日本政府支持的芯片企業 Rapidus 宣布,已完成 2500 億日元(約 16 億美元)融資,投資方包括日本政府以及索尼、豐田、軟銀、佳能、富士通、電裝、鎧俠、精工愛普生等 30 家私營企業。此次融資將助力該公司于 2027 財年,在其位于北海道千歲市的 IIM-1 晶圓廠實現 2 納米芯片的大規模量產。
據彭博社報道,根據融資協議,日本政府初期將持有 Rapidus 約 10% 的有投票權股份,同時持有其多數無投票權股份;若該公司陷入財務危機,政府有權將無投票權股份轉換為有投票權股份,從而取得多數控股權。日本經濟產業省官員南部智成向記者透露,政府還獲得了帶有 “黃金股” 性質的股份,擁有對該公司重大經營決策的否決權。
日本經濟產業省還計劃將下一財年(4 月起)針對先進半導體和人工智能研發的預算支持提升至約 1.23 萬億日元,較此前近乎翻四倍。日本高市早苗政府并非單獨倚重 Rapidus,近期還促成臺積電承諾升級其在日本的技術與工廠。
2 月 26 日周四,Rapidus 社長小池厚義在新聞發布會上表示,公司目前正與 60 余家企業展開積極洽談,這些企業計劃為人工智能、機器人和邊緣計算領域設計芯片。“今年年初以來,客戶對尖端芯片的需求激增。” 小池厚義稱,市場對 2 納米芯片的關注度尤為高漲,公司還計劃在 2 納米之后,進一步向 1.4 納米和 1 納米制程節點邁進。
此次政府注資的背后,是 Rapidus 實打實的技術突破。2025 年 4 月,該公司正式啟用 2 納米芯片試運行產線;同年 7 月,便成功研制出可正常工作的 2 納米全環繞柵極(GAA)晶體管。與鰭式場效應晶體管(FinFET)架構相比,全環繞柵極晶體管從四個方向包裹晶體管溝道(傳統架構為三個方向),能更好地控制電流,同時減少漏電。Rapidus 在北海道的工廠配備了阿斯麥(ASML)的高數值孔徑極紫外(High-NA EUV)光刻設備;據悉,作為技術轉讓合作的一部分,IBM 已派遣約 10 名工程師駐廠支持。
據本報本月早些時候報道,Rapidus 計劃初期以每月 6000 片 12 英寸晶圓的產能啟動 2 納米芯片量產,并在投產首年將產能提升至每月約 25000 片。該公司實現這一產能目標的總投資預計約 4 萬億日元,截至目前,各方已承諾的投資約 1.7 萬億日元。


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