隨著片上系統(tǒng)（SoC）向先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)邁進(jìn)，加之人工智能、新型傳感器技術(shù)帶來的全新需求以及嚴(yán)苛的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)要求，非易失性存儲(chǔ)器的選型難度正不斷加大。

2025 年第二屆非易失性存儲(chǔ)器行業(yè)年度調(diào)研于去年 12 月完成，調(diào)研結(jié)果顯示，當(dāng)前市場(chǎng)仍以成熟技術(shù)為主導(dǎo)，但為應(yīng)對(duì)這些新的設(shè)計(jì)與生產(chǎn)約束，行業(yè)正愈發(fā)積極地測(cè)試各類替代技術(shù)。

超 80% 的受訪者表示正在使用或評(píng)估嵌入式非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，20% 的受訪者目前正尋求合適的非易失性存儲(chǔ)器方案，近 30% 的受訪者計(jì)劃在未來一年內(nèi)選定非易失性存儲(chǔ)器知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）方案。綜合來看，這一市場(chǎng)的從業(yè)者不僅具備豐富經(jīng)驗(yàn)，且市場(chǎng)活躍度較高。仍有相當(dāng)一部分近期待決的選型決策，意味著各類競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)仍有較大的市場(chǎng)爭(zhēng)奪空間。

圖表：受訪者計(jì)劃選定非易失性存儲(chǔ)器的時(shí)間節(jié)點(diǎn)

嵌入式閃存依舊是認(rèn)知度最高的技術(shù)，超 80% 的受訪者表示了解該技術(shù)，這也反映出其長(zhǎng)期作為默認(rèn)選型的行業(yè)地位。但調(diào)研同時(shí)顯示，行業(yè)對(duì)閃存之外其他技術(shù)的認(rèn)知度正不斷提升：鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（FRAM）、磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）和阻變存儲(chǔ)器（ReRAM）的認(rèn)知度均超四分之一，這表明非易失性存儲(chǔ)器替代技術(shù)已進(jìn)入行業(yè)主流視野。

廠商的認(rèn)知度分布也呈現(xiàn)出相似趨勢(shì)：少數(shù)幾家供應(yīng)商憑借較高的行業(yè)認(rèn)知度脫穎而出，按排名依次為主營(yíng)嵌入式閃存的超捷半導(dǎo)體（SST）、主營(yíng)硅 - 氧化物 - 氮化物 - 氧化物 - 硅存儲(chǔ)器（SONOS）的英飛凌，以及主營(yíng)阻變存儲(chǔ)器的微位納米公司（Weebit Nano）。

當(dāng)被問及嵌入式非易失性存儲(chǔ)器選型標(biāo)準(zhǔn)的重要性時(shí)，受訪者的回答凸顯了實(shí)用性導(dǎo)向。可靠性、耐久性和數(shù)據(jù)保持能力的加權(quán)平均分均遠(yuǎn)高于 4 分制的 3.0 分，位列所有標(biāo)準(zhǔn)首位，這證實(shí)了三者仍是嵌入式非易失性存儲(chǔ)器選型的核心要求。工藝可擴(kuò)展性緊隨其后，得分同樣超過 3.0 分，反映出傳統(tǒng)嵌入式閃存在向先進(jìn)制程延伸時(shí)面臨的難度日益加大 —— 嵌入式閃存已無法適配更先進(jìn)的制程工藝。電源效率的得分也突破 3.0 分，集成風(fēng)險(xiǎn)和長(zhǎng)期可預(yù)測(cè)性的得分僅略低一籌，這表明制造成熟度和產(chǎn)品生命周期穩(wěn)定性，如今已被視作與核心技術(shù)性能幾乎同等重要的考量因素。這一結(jié)果印證了市場(chǎng)的成熟：行業(yè)從業(yè)者普遍認(rèn)可新型非易失性存儲(chǔ)器的核心技術(shù)能力，但集成過程中的風(fēng)險(xiǎn)與成本正成為切實(shí)的顧慮，在嵌入式閃存已無集成可能的先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)，這一問題尤為突出。

調(diào)研中關(guān)于行業(yè)風(fēng)險(xiǎn)與痛點(diǎn)的數(shù)據(jù)進(jìn)一步印證了這一觀點(diǎn)。可擴(kuò)展性限制和功耗 - 性能權(quán)衡成為最突出的兩大問題，加權(quán)平均分均超 4 分制的 3.0 分，這表明二者是當(dāng)前非易失性存儲(chǔ)器部署過程中，尤其是在先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)中面臨的關(guān)鍵制約因素。可靠性顧慮和成本不確定性緊隨其后，得分同樣處于高位，意味著對(duì)許多設(shè)計(jì)而言，技術(shù)的長(zhǎng)期可預(yù)測(cè)性和經(jīng)濟(jì)層面的風(fēng)險(xiǎn)仍是尚未解決的難題。綜合來看，這些行業(yè)壓力也解釋了為何即便市場(chǎng)對(duì)替代技術(shù)的采用仍持謹(jǐn)慎態(tài)度，其認(rèn)知度卻在持續(xù)提升。

圖表：各類痛點(diǎn)的重要性排名

設(shè)計(jì)端的需求壓力增長(zhǎng)速度，已超過傳統(tǒng)存儲(chǔ)器技術(shù)的適配能力。與去年的調(diào)研結(jié)果相比，行業(yè)并非對(duì)嵌入式閃存失去信心，而是其面臨的市場(chǎng)壓力明顯加劇。如今，越來越多的研發(fā)團(tuán)隊(duì)評(píng)估替代技術(shù)并非出于好奇，而是因?yàn)榭蓴U(kuò)展性、功耗和長(zhǎng)期可預(yù)測(cè)性，正成為制約未來產(chǎn)品設(shè)計(jì)的硬性因素。

總體而言，2025 年的調(diào)研結(jié)果并未顯示出行業(yè)會(huì)突然放棄嵌入式閃存，但表明傳統(tǒng)存儲(chǔ)器技術(shù)的替代進(jìn)程已進(jìn)入更關(guān)鍵的階段；且隨著產(chǎn)品設(shè)計(jì)向先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)轉(zhuǎn)型 —— 這些節(jié)點(diǎn)因技術(shù)要求必須采用新型非易失性存儲(chǔ)器，這一替代進(jìn)程或?qū)⑦M(jìn)一步加快。目前，行業(yè)對(duì)非易失性存儲(chǔ)器替代技術(shù)的認(rèn)知度持續(xù)提升、評(píng)估范圍不斷擴(kuò)大，還有相當(dāng)一部分研發(fā)團(tuán)隊(duì)計(jì)劃在未來一年內(nèi)敲定具體的知識(shí)產(chǎn)權(quán)方案。

圖表：各制程節(jié)點(diǎn)的計(jì)劃設(shè)計(jì)啟動(dòng)情況

外部市場(chǎng)預(yù)測(cè)也得出了相同的結(jié)論：法國(guó)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) Yole 集團(tuán)的展望顯示，在磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、相變存儲(chǔ)器（PCM）和阻變存儲(chǔ)器等技術(shù)被廣泛應(yīng)用于下一代微控制器（MCU）和片上系統(tǒng)的推動(dòng)下，2030 年嵌入式新興非易失性存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到 33 億美元。

與去年的調(diào)研結(jié)果相比，行業(yè)的發(fā)展方向愈發(fā)清晰：如今的問題已不再是嵌入式閃存能否進(jìn)一步延伸適配更先進(jìn)制程，而是其還能在多長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)同時(shí)滿足可擴(kuò)展性、電源效率、可靠性和成本可預(yù)測(cè)性的綜合需求。

核心結(jié)論

對(duì)于眾多片上系統(tǒng)研發(fā)團(tuán)隊(duì)而言，非易失性存儲(chǔ)器的選型已從以往默認(rèn)的基礎(chǔ)環(huán)節(jié)，轉(zhuǎn)變?yōu)橛绊懴乱淮a(chǎn)品市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的緊急架構(gòu)決策。