三星主導(dǎo)垂直芯片研發(fā)：目標(biāo)將HBM的 I/O 提升10倍、帶寬提升 4 倍

• 盡管 JEDEC 計(jì)劃放寬 HBM 高度限制，將 HBM4 的上限從 775 微米上調(diào)至約 900 微米，行業(yè)仍在持續(xù)尋求突破傳統(tǒng) HBM 架構(gòu)的結(jié)構(gòu)瓶頸。據(jù)《ET News》報(bào)道，三星電子未來(lái)技術(shù)研究項(xiàng)目下一項(xiàng)基于垂直芯片（Vertical Die） 的先進(jìn)封裝研發(fā)已取得實(shí)質(zhì)性進(jìn)展。值得關(guān)注的是，該方案據(jù)稱可將I/O 密度提升最高 10 倍、帶寬提升約 4 倍。報(bào)道稱，該項(xiàng)目由韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院（KAIST）權(quán)志旼教授擔(dān)任首席研究員，已取得重要學(xué)術(shù)里程碑：一篇關(guān)于 Vertical Die 架構(gòu)的論文已被
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