4 月 9 日，英特爾代工服務（Intel Foundry Services）宣布重大技術突破，成功研發出全球最薄氮化鎵（GaN）芯粒。其硅襯底厚度僅19 微米，約為人類頭發絲直徑的 1/5。

該芯粒基于300 毫米（12 英寸）硅基氮化鎵晶圓制造，采用英特爾自研隱切減薄工藝，在實現極致超薄形態的同時，保持結構完整性與性能穩定性。

更具突破性的是，團隊首次實現氮化鎵功率晶體管與硅基數字邏輯電路的單片集成。通過將復雜計算功能直接嵌入電源芯粒，無需額外輔助芯片，大幅簡化系統架構并降低組件間能量損耗。

性能測試結果顯示：

• 氮化鎵晶體管耐壓達 78V，射頻截止頻率超 300GHz，可滿足高頻通信應用需求；

• 集成數字邏輯庫運行穩定，反相器開關速度快至33 皮秒，全晶圓性能一致性優異，具備大規模量產潛力；

• 該技術已通過四項行業標準可靠性測試，可在高溫、高壓環境下穩定工作，滿足商用部署要求。

傳統硅基技術在高功率、高頻場景下已逼近物理極限，而氮化鎵作為寬禁帶半導體，具備更高功率密度、更快開關速度、更低能耗等優勢。

英特爾依托 300 毫米硅基氮化鎵晶圓工藝，方案可兼容現有半導體制造基礎設施，有望顯著降低生產成本、加速大規模普及。