在 2026 年英偉達(dá) GTC 大會(huì)上，英特爾有望為英偉達(dá)下一代費(fèi)曼系列 GPU 提供先進(jìn)封裝服務(wù)的消息引發(fā)行業(yè)熱議，其嵌入式多芯片互連橋接（EMIB）技術(shù)及馬來(lái)西亞基地的擴(kuò)建計(jì)劃也因此備受關(guān)注。據(jù)《馬來(lái)西亞邊緣報(bào)》消息，英特爾位于馬來(lái)西亞的先進(jìn)封裝基地及封裝測(cè)試產(chǎn)線將于2026 年下半年正式投產(chǎn)。

該報(bào)道援引馬來(lái)西亞總理安華?易卜拉欣的社交媒體發(fā)文稱(chēng)，其已聽(tīng)取英特爾首席執(zhí)行官陳立武及其團(tuán)隊(duì)關(guān)于公司在馬擴(kuò)建計(jì)劃最新進(jìn)展的工作匯報(bào)。報(bào)道還指出，英特爾晶圓代工事業(yè)部執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理納加?錢(qián)德拉塞卡蘭已明確基地一期規(guī)劃，將率先落地先進(jìn)封裝的封裝、測(cè)試產(chǎn)能。

科技動(dòng)力網(wǎng)此前曾報(bào)道，2025 年底英特爾馬來(lái)西亞“塘鵝計(jì)劃”先進(jìn)封裝基地已正式進(jìn)入建設(shè)收尾階段，項(xiàng)目整體完工率達(dá) 99%，英特爾還追加 2 億美元投資用于基地最終落成。值得一提的是，該基地將承接芯片晶圓分選、預(yù)處理等工序，同時(shí)支持 EMIB 和 Foveros 兩種先進(jìn)封裝工藝，能夠更快響應(yīng)客戶(hù)的產(chǎn)能與技術(shù)需求。

英特爾也正聯(lián)合長(zhǎng)期合作的封測(cè)代工廠安靠科技，持續(xù)擴(kuò)大 EMIB 技術(shù)的產(chǎn)能。韓國(guó)電子時(shí)報(bào)早前報(bào)道稱(chēng)，英特爾已在安靠科技韓國(guó)松島 K5 工廠落地其 EMIB 先進(jìn)封裝技術(shù)。

據(jù)韓國(guó)電子時(shí)報(bào)介紹，EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）是一種實(shí)現(xiàn)多半導(dǎo)體芯片互連的 2.5D 先進(jìn)封裝技術(shù)。與英偉達(dá) AI 加速器所采用的傳統(tǒng)硅中介層不同 —— 傳統(tǒng)硅中介層成本高昂，EMIB 技術(shù)將硅橋直接嵌入芯片基板，為實(shí)現(xiàn)高精度 2.5D 封裝提供了更經(jīng)濟(jì)、更高效的解決方案。

英特爾 EMIB 封裝技術(shù)迎來(lái)多重升級(jí)

韓國(guó)電子時(shí)報(bào)最新報(bào)道顯示，英特爾的 EMIB 封裝技術(shù)即將實(shí)現(xiàn)跨越式升級(jí)，首款升級(jí)產(chǎn)品將瞄準(zhǔn)120×120 毫米的封裝尺寸 —— 相較于目前英偉達(dá)黑晶系列等最新 AI 芯片所采用的 100×100 毫米行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)尺寸，這一升級(jí)標(biāo)志著英特爾在先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)領(lǐng)域的重大突破。

報(bào)道還指出，英特爾計(jì)劃為這款 120×120 毫米的封裝產(chǎn)品配備至少 12 層高帶寬內(nèi)存（HBM）堆疊，而傳統(tǒng) 100×100 毫米封裝的標(biāo)配僅為 8 層。英特爾的布局還不止于此，其已制定長(zhǎng)期規(guī)劃，計(jì)劃在 2028 年前推出更大尺寸的120×180 毫米封裝產(chǎn)品，該規(guī)格可支持最多 24 層 HBM 堆疊，內(nèi)存擴(kuò)展能力大幅提升。

值得關(guān)注的是，韓國(guó)電子時(shí)報(bào)提到，英特爾于 2025 年推出了融合硅通孔（TSV）技術(shù)的增強(qiáng)版 EMIB-T 封裝方案，目前正針對(duì)該技術(shù)進(jìn)行優(yōu)化升級(jí)，使其能夠適配存儲(chǔ)廠商正加速量產(chǎn)的下一代 HBM4 高帶寬內(nèi)存。

但報(bào)道也指出，英特爾的技術(shù)升級(jí)仍面臨諸多挑戰(zhàn)：更大的封裝尺寸雖能集成更多 GPU、CPU 及 HBM 內(nèi)存等芯片組件，卻也會(huì)加劇制造難度，導(dǎo)致芯片翹曲風(fēng)險(xiǎn)上升、生產(chǎn)良率受損。