50 億砸向硅谷！半導體巨頭組團搞大事。

應用材料（AMAT）正在美國硅谷建設名為 EPIC 中心的研發基地，并于當地時間 10 日宣布，SK 海力士與美國美光科技將作為創始合作伙伴加入該中心。這一合作消息緊隨上月三星電子確認加入之后發布，標志著全球三大存儲芯片巨頭已悉數集結于這一前沿研發平臺，形成半導體行業強強聯合的創新格局。作為全球半導體設備領域的領軍企業，應用材料此次打造的 EPIC 中心（設備和工藝創新與商業化中心）總投資高達 50 億美元（約合人民幣 343.83 億元），創下美國先進半導體設備研發領域單筆投資規模的紀錄。

頭圖左起：應用材料韓國區社長樸光善、應用材料半導體產品事業部總裁普拉布?拉賈、SK 海力士社長兼 CEO 郭魯正、SK 海力士副社長姜裕鐘。

EPIC 中心預計今年正式啟用，是一座由半導體制造廠工程師與設備研發人員共同開展聯合研發的設施。該中心采用開放式創新架構，打破了以往設備廠商與制造企業之間「研發-采購」的單向合作模式，構建起「共同研發、數據共享、協同優化」的雙向互動機制。應用材料公司表示，EPIC 中心的核心目標是通過產學研深度融合，將前沿半導體技術從實驗室原型到規?；慨a的轉化周期縮短 30% 以上，這一效率提升對于追趕技術迭代節奏、降低研發風險具有關鍵意義。與傳統模式——設備廠商完成開發后，再由制造廠采購、適配、調試——相比，這種「并肩作戰」的聯合研發模式能夠讓設備研發更貼合實際生產需求，提前解決技術落地過程中的兼容性、穩定性等問題，從而大幅縮短半導體技術的商用化周期，為企業搶占市場先機提供有力支撐。

值得注意的是，EPIC 中心并非封閉的合作平臺，除了目前已確定的三大存儲芯片巨頭作為創始合作伙伴外，未來還將吸納更多材料供應商、晶圓代工廠及系統集成商參與。這種多元化的產業聯盟模式被分析人士認為將重塑全球半導體設備研發格局，特別是在 EUV 光刻膠、原子層沉積、3D 封裝等關鍵技術領域，有望通過集中行業優質資源催生新的行業標準，推動整個產業鏈的協同升級。應用材料半導體產品事業部總裁普拉布?拉賈表示，EPIC 中心的建立是應對摩爾定律放緩的重要突破口，將為 3 納米以下先進制程工藝的商業化進程注入強大動力。

SK 海力士的研究人員將進駐 EPIC 中心，重點圍繞高帶寬內存（HBM）領域的先進 3D 封裝技術展開研發。作為人工智能、高性能計算等領域的核心存儲器件，HBM 的性能提升直接關系到終端產品的運算效率。當前，隨著 AI 大模型的快速發展，數據處理量呈指數級增長，內存速度與處理器性能之間的「性能鴻溝」日益凸顯，成為制約 AI 技術進一步突破的關鍵瓶頸。SK 海力士在 HBM 領域擁有深厚的技術積累，此次與應用材料的合作，將借助設備廠商在工藝裝備上的研發優勢，加速先進 3D 封裝技術的迭代，提升 HBM 的帶寬、容量與可靠性。

SK 海力士 CEO 郭魯正表示：「人工智能發展面臨的最大障礙之一，是內存速度與處理器發展之間的差距正在不斷擴大。通過在 EPIC 中心與應用材料合作，我們希望打造一條創新路線圖，推出專為人工智能優化的下一代內存解決方案?！乖诩夹g路線選擇上，SK 海力士采取漸進式擴張策略，通過與應用材料合作開發混合式光刻方案，試圖在技術性能與成本控制之間實現平衡。此次進駐 EPIC 中心，SK 海力士將重點攻克 3D 封裝中的堆疊密度、互連可靠性等關鍵技術難題，推動 HBM 產品向更高世代演進，以滿足 AI 時代對高性能存儲的迫切需求。

作為另一家創始合作伙伴，美國美光科技的加入進一步豐富了 EPIC 中心的研發維度。美光在存儲芯片領域擁有獨特的技術路徑，尤其在 DRAM 制程研發中采取「有限 EUV」策略，僅在關鍵層使用極紫外光刻技術，其余工序依賴成熟的氟化氬浸沒式（ArFi）設備和多重圖案化工藝，其核心邏輯是通過最小化先進設備投入，利用現有產線加速量產進程。此次參與 EPIC 中心的聯合研發，美光有望將其在成熟工藝上的量產經驗與應用材料的先進設備技術相結合，探索兼顧成本與性能的創新方案，同時提前布局下一代存儲技術，鞏固其在全球存儲市場的競爭地位。

三星電子上月也曾宣布，將加入 EPIC 中心，圍繞先進工藝節點微縮、下一代內存架構以及加速 3D 集成等方向，開展包括材料工程創新在內的研發工作。作為全球半導體行業的領軍企業，三星在 EUV 技術應用上布局較早，已在先進 DRAM 制程中引入超過五層 EUV 工藝，并持續擴大應用范圍。此次加入 EPIC 中心，三星將聚焦先進工藝節點微縮等核心方向，通過與應用材料的協同研發，攻克 EUV 光刻中的掩模缺陷控制、光刻膠靈敏度優化等技術難題，進一步提升先進制程的良率與產能。同時，三星還計劃在 EPIC 中心推進材料工程創新，加快關鍵材料的本土化替代進程，降低供應鏈風險，增強技術與供應鏈的雙重競爭力。

三大存儲巨頭的悉數加入，使得 EPIC 中心成為全球半導體技術創新的「核心樞紐」。不同企業在技術路線、研發重點上的差異化布局，將在 EPIC 中心形成互補協同的創新生態，既有助于企業各自攻克技術瓶頸，也能推動整個行業形成多元包容的技術發展格局。當前，全球半導體產業正處于技術變革與格局調整的關鍵時期，摩爾定律的演進速度逐漸放緩，先進制程的研發成本持續攀升，單一企業僅憑自身力量已難以應對日益復雜的技術挑戰。EPIC 中心所代表的聯合研發模式，通過整合設備廠商、制造企業、材料供應商等產業鏈各環節的資源與優勢，為行業提供了一種高效的創新解決方案。