3 月 9 日消息，參考韓媒 inews24 的報(bào)道，三星電子高管代表在出席韓國(guó)當(dāng)?shù)貢r(shí)間本月 5 日舉行的摩根大通投資者會(huì)議時(shí)表示，其 2nm 先進(jìn)制程的良率爬坡進(jìn)展好于此前預(yù)期，同時(shí)考慮將產(chǎn)能利用率低的生產(chǎn)線轉(zhuǎn)移至先進(jìn)封裝方向。

對(duì)于三星電子位于美國(guó)得州泰勒的晶圓廠，企業(yè)高管表示該項(xiàng)目當(dāng)前處于設(shè)備安裝階段，預(yù)計(jì)首批晶圓流片將在 2026 年底前完成（考慮到后續(xù)工序的用時(shí)，對(duì)應(yīng)的首批出貨時(shí)間將落在 2027 年）。

而在 HBM 相關(guān)業(yè)務(wù)方面，代表重申了 2026 年銷售額較 2025 年增長(zhǎng) 3 倍、市占超越 30% 的目標(biāo)，此外還稱 HBM3E 的價(jià)格今年可能會(huì)有所改善。三星電子將包含先進(jìn)制程、存儲(chǔ)器、先進(jìn)封裝的“交鑰匙”解決方案視為其后 HBM4 世代的關(guān)鍵增長(zhǎng)點(diǎn)，同時(shí)計(jì)劃擴(kuò)大與代工廠伙伴的邏輯芯片定制合作。