阿斯麥（ASML）宣布將極紫外光刻（EUV）設備的核心光源功率提升至1000 瓦，這一技術突破將直接推動先進制程芯片的生產良率提升，同時有效降低單顆芯片的制造成本，成為先進半導體制造領域的又一重要技術進展。

在極紫外光刻技術中，光源功率是決定光刻機生產效率與芯片良率的核心指標之一。更高的光源功率能夠讓光刻機在晶圓曝光過程中，實現更快的光刻速度與更穩定的圖案轉移效果：一方面，更高的功率可縮短單晶圓的曝光時間，提升光刻機的單位時間產能；另一方面，穩定的高功率光源能減少光刻過程中的圖案偏差、線寬不均勻等問題，大幅提升芯片生產的良率，而良率的提升是降低先進制程芯片單位成本的關鍵因素。

此前，阿斯麥的新一代極紫外光刻機（如 High-NA EUV）主流光源功率多處于 600-800 瓦區間，此次突破至 1000 瓦，針對的是 3 納米及以下先進邏輯芯片、高帶寬存儲芯片（HBM）等高端制程的量產需求。對于臺積電、三星、英特爾等全球先進芯片制造企業而言，該技術升級將幫助其在先進制程量產中進一步優化生產效率，攤薄高額的設備與制造成本，同時為后續 2 納米、1 納米等更先進制程的研發與量產奠定光刻技術基礎。

極紫外光刻是目前全球先進芯片制造的核心技術，阿斯麥作為全球唯一的 EUV 光刻機供應商，其技術迭代直接主導著先進半導體制程的發展節奏。此次光源功率的提升，也是阿斯麥針對行業對更高產能、更低成本、更先進制程的需求，做出的關鍵技術升級，將進一步鞏固其在高端光刻設備領域的壟斷地位，同時推動全球先進半導體制造產業的持續發展。