- 比利時微電子研究中心（imec）證實，在極紫外光刻（EUV）的曝光后烘烤（PEB）環節，將氧濃度提升至大氣水平以上，可顯著提高金屬氧化物光刻膠（MOR）的感光速度。感光速度加快意味著光刻膠能以更低的 EUV 曝光劑量達到目標圖形尺寸，這將直接提升 EUV 光刻機的產能，并降低曝光工序成本。此前，行業并未將曝光后烘烤腔室的氣體成分作為 EUV 光刻的重要優化方向，因此該研究成果具有重要意義，但其產業化前景仍有待觀察。imec 的科研人員發現，在 EUV 曝光后烘烤環節，將氧濃度從空氣環境中的 21% 提升至
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IMEC 曝光后烘烤 EUV 先進芯片產能 光刻膠
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