- 分子束外延(MBE)技術在生長半導體與超導體疊層的量子計算器件結構方面表現卓越。20 世紀初，伴隨量子理論誕生的第一次量子革命拉開帷幕。如今，人類正立足此次革命的成果邁入第二次量子革命—— 這一時代的核心特征是對量子現象的操控、調控與利用，目標是創造全新的量子技術產品，而量子計算的問世正是這一時代的關鍵標志。量子計算這一重大技術突破備受矚目，相關報道不僅見于專業科技媒體，也頻頻登上主流媒體版面。全球越來越多的實驗室正推動該領域發展，谷歌（字母表公司）、亞馬遜、元宇宙（原臉書）、蘋果、微軟這五大科技巨頭（簡
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分子束外延 MBE 量子比特
分子束外延介紹
分子束外延的英文縮寫為ＭＢＥ，這是一種在晶體基片上生長高質量的晶體薄膜的新技術。在超高真空條件下，由裝有各種所需組分的爐子加熱而產生的蒸氣，經小孔準直后形成的分子束或原子束，直接噴射到適當溫度的單晶基片上，同時控制分子束對襯底掃描，就可使分子或原子按晶體排列一層層地“長”在基片上形成薄膜。該技術的優點是：使用的襯底溫度低，膜層生長速率慢，束流強度易于精確控制，膜層組分和摻雜濃度可隨源的變化而迅速調 [
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