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20C充電速率陰極實(shí)現(xiàn)電動(dòng)車三分鐘滿充電
- 制約電動(dòng)汽車（EV）普及的一大長(zhǎng)期障礙就是充電速度。目前的快充技術(shù)，充電耗時(shí)仍遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)燃油車加油，這讓不少潛在消費(fèi)者猶豫不決。在充電性能方面，現(xiàn)有方案與理想狀態(tài)相去甚遠(yuǎn)。電動(dòng)汽車的充電速度因充電器類型而異：特斯拉車型使用最新 V3 或 V4 超充樁，充電 15 分鐘大約可補(bǔ)充 200 英里續(xù)航；直流快充樁 30 分鐘可補(bǔ)充 100~300 + 英里續(xù)航；二級(jí)家用充電樁每小時(shí)增加 10~20 英里續(xù)航；而普通家用墻插（一級(jí)充電）每小時(shí)僅能增加約 5 英里續(xù)航。OMI 基于 LnFP 技術(shù)的重大突破在這一領(lǐng)
- 關(guān)鍵字： OMI LnFP 材料 電動(dòng)汽車 快充 20C
中美研究人員聯(lián)合在新型芯片材料領(lǐng)域取得突破
- 據(jù)新華社報(bào)道，由中國(guó)科技大學(xué)（USTC）張樹辰教授領(lǐng)導(dǎo)的研究團(tuán)隊(duì)，與美國(guó)普渡大學(xué)和上海科技大學(xué)的研究人員合作，在新型半導(dǎo)體材料領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)展。團(tuán)隊(duì)首次實(shí)現(xiàn)了在二維離子軟晶格材料中可控制造面內(nèi)、可編程、原子平坦“馬賽克”異質(zhì)結(jié)，開辟了下一代高性能發(fā)光和集成器件開發(fā)的新路徑。研究結(jié)果于1月15日發(fā)表在《自然》雜志上。離子軟晶格半導(dǎo)體，以二維鹵化物鈣鈦礦表示，具有柔性但結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定的晶格。傳統(tǒng)制造技術(shù)如光刻通常涉及激進(jìn)的加工步驟，可能損壞材料，難以實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的橫向異質(zhì)整合。因此，如何在此類材料中實(shí)現(xiàn)精確、可控
- 關(guān)鍵字： 材料 半導(dǎo)體
黃金和CCL價(jià)格飆升擠壓基材制造商，AI推動(dòng)了對(duì)高價(jià)值PCB的需求
- 原材料價(jià)格上漲，半導(dǎo)體基板行業(yè)感受到壓力，關(guān)鍵投入成本持續(xù)上升。據(jù)ZDNet報(bào)道，韓國(guó)基材制造商正面臨原材料價(jià)格急劇上漲帶來(lái)的日益增長(zhǎng)壓力。報(bào)告援引業(yè)內(nèi)消息指出，2025年主要半導(dǎo)體基材價(jià)格——包括黃金和銅包層壓板（CCL）——大幅上漲。黃金和CCL合計(jì)占印刷電路板（PCB）原材料成本的近一半。報(bào)告補(bǔ)充說(shuō)，PCB是DRAM、SSD模塊和系統(tǒng)半導(dǎo)體中不可或缺的組成部分。PGC和CCL成本上漲滿足高端PCB材料需求的激增報(bào)告指出，金氰化鉀（PGC）是基底中最關(guān)鍵的金基材料。據(jù)報(bào)道，韓國(guó)PCB制造商TLB和Si
- 關(guān)鍵字： 金 AI PCB 材料
華為相關(guān)公司推動(dòng)中國(guó)芯片在材料、光刻膠和EDA領(lǐng)域的構(gòu)建
- 隨著中國(guó)加倍強(qiáng)調(diào)技術(shù)獨(dú)立，華為及其合作伙伴生態(tài)系統(tǒng)在這一努力中發(fā)揮了關(guān)鍵作用。據(jù)日經(jīng)報(bào)道，2019年美國(guó)制裁華為后，成立了包括全資子公司哈勃在內(nèi)的投資部門，支持60多家半導(dǎo)體公司。這些與華為有關(guān)聯(lián)的芯片公司正加快收購(gòu)和擴(kuò)產(chǎn)，努力構(gòu)建自給自足的國(guó)內(nèi)供應(yīng)鏈。報(bào)告指出，雖然華為未直接參與其支持企業(yè)的投資，但這些舉措正在加強(qiáng)其供應(yīng)鏈，符合中國(guó)國(guó)家戰(zhàn)略。以下是華為相關(guān)公司的一些重要舉措。華為支持的HHCK著手整合中國(guó)包裝材料市場(chǎng)據(jù)日經(jīng)報(bào)道，華為持有2%股份的江蘇HHCK先進(jìn)材料，一家芯片封裝材料制造商，已完成以16
- 關(guān)鍵字： 華為 芯片 材料 EDA 光刻膠
研究人員巧用制造技術(shù)推動(dòng)半導(dǎo)體進(jìn)步
- 從熱退火到原子級(jí)剝離，研究人員正在重新思考制造瓶頸，以解鎖半導(dǎo)體新的性能上限。密歇根大學(xué)、麻省理工學(xué)院、威斯康星大學(xué)麥迪遜分校和多倫多大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)最近展示了如何通過新穎的工藝調(diào)整，而不僅僅是新材料，來(lái)顯著提高設(shè)備性能和可擴(kuò)展性。這些制造技術(shù)可以推動(dòng)從壓電傳感、紅外成像到太陽(yáng)能能的應(yīng)用。 熱處理技術(shù)大幅提升壓電薄膜性能密歇根大學(xué)的工程師們通過簡(jiǎn)單的生長(zhǎng)后熱退火步驟，將鈧鋁氮化物（ScAlN）的壓電響應(yīng)提高了八倍——這種材料已被視為傳統(tǒng)陶瓷如 PZT 的繼任者。轉(zhuǎn)折點(diǎn)？將材料加熱至 700°C 持
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 材料
超越銅和光，一種新的互連技術(shù)瞄準(zhǔn)下一代數(shù)據(jù)中心
- 銅和光互連作為下一代數(shù)據(jù)中心的選擇都面臨局限性。了解第三種選擇如何承諾在未來(lái)多年里支持?jǐn)?shù)據(jù)中心中 AI 集群的擴(kuò)展。在未來(lái)幾年里，數(shù)據(jù)中心中 AI 加速器集群的擴(kuò)展將面臨復(fù)合挑戰(zhàn)。系統(tǒng)架構(gòu)師將需要同時(shí)應(yīng)對(duì)三個(gè)挑戰(zhàn)：提供更好的性能以滿足飆升的帶寬需求。在計(jì)算能力和復(fù)雜性的擴(kuò)展中控制成本。繼續(xù)提高能源效率。這三個(gè)挑戰(zhàn)讓網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營(yíng)商夜不能寐。雖然新技術(shù)的出現(xiàn)為創(chuàng)新創(chuàng)造了機(jī)會(huì)，但也讓數(shù)據(jù)中心不堪重負(fù)。新的 AI 和機(jī)器學(xué)習(xí)工作負(fù)載，如生成式 AI 和大型語(yǔ)言模型（LLMs），正在將數(shù)據(jù)帶寬推向傳統(tǒng)互連之外，速度迅速
- 關(guān)鍵字： 通信 通信原理 材料
芯片制造雙重突破：深紫外固態(tài)激光與熱力學(xué)計(jì)算芯片引領(lǐng)新潮流
- 【EEPW 電子產(chǎn)品世界 訊】在摩爾定律逼近物理極限、全球科技競(jìng)爭(zhēng)加劇的背景下，芯片制造正不斷向更高精度與更高效率邁進(jìn)。近日，中國(guó)與美國(guó)團(tuán)隊(duì)分別在光刻技術(shù)與計(jì)算架構(gòu)領(lǐng)域取得重要進(jìn)展，為半導(dǎo)體行業(yè)注入新的活力。中國(guó)科學(xué)院實(shí)現(xiàn)193nm固態(tài)深紫外激光器來(lái)自中國(guó)科學(xué)院的一項(xiàng)最新研究成功開發(fā)出可發(fā)射193納米波長(zhǎng)光的固態(tài)深紫外（DUV）激光器，這一波段是先進(jìn)芯片光刻的關(guān)鍵技術(shù)。目前，商用光刻系統(tǒng)普遍采用氟化氬（ArF）準(zhǔn)分子激光器作為光源，存在體積大、系統(tǒng)復(fù)雜和運(yùn)維成本高等問題。與之相比，固態(tài)激光器結(jié)構(gòu)緊湊、穩(wěn)定
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臺(tái)積電宣布計(jì)劃推出共同封裝光學(xué)（CPO）技術(shù)，引領(lǐng)未來(lái)高速傳輸革命
- 臺(tái)積電（TSMC）近日正式宣布，將在2026年推出全新的共同封裝光學(xué)（CPO）技術(shù)，融合其業(yè)界領(lǐng)先的Chip-on-Wafer-on-Substrate（CoWoS）封裝技術(shù)與硅光子（Silicon Photonics）技術(shù)。此舉旨在滿足人工智能（AI）與高性能計(jì)算（HPC）領(lǐng)域?qū)Ω咚贁?shù)據(jù)傳輸和低能耗的迫切需求，同時(shí)引領(lǐng)下一代數(shù)據(jù)中心的技術(shù)潮流。COUPE：臺(tái)積電CPO戰(zhàn)略的核心技術(shù)在此次技術(shù)布局中，臺(tái)積電緊湊型通用光子引擎（Compact Universal Photonic Engine，COUPE）
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電位器的全面解析
- 什么是電位器？電位器（Potentiometer），簡(jiǎn)稱“Pots”，是工程師中常用的稱謂，實(shí)際上是一種帶有機(jī)械調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)的電阻器，可以手動(dòng)調(diào)節(jié)其阻值。電阻器本身提供固定的阻值，用于阻止或“限制”電路中的電流流動(dòng)。而電位器的本質(zhì)是一種可變電阻。電位器的工作原理是通過分壓器調(diào)節(jié)輸出電壓，并能夠精確測(cè)量（即“計(jì)量”）電勢(shì)，這也是“電位器”名稱的由來(lái)。它們產(chǎn)生的輸出信號(hào)與電刷在電阻元件上的物理位置成比例，具有連續(xù)可變性。作為被動(dòng)元件，電位器無(wú)需額外電源或電路即可運(yùn)行。電位器的簡(jiǎn)史在19世紀(jì)初電力研究和開發(fā)快速發(fā)展
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透明新材料為先進(jìn)電子和量子設(shè)備鋪平道路
- 明尼蘇達(dá)大學(xué)的研究人員開發(fā)出一種透明的導(dǎo)電材料，大大提升了電子在高功率電子設(shè)備中的移動(dòng)速度和效率，為人工智能、計(jì)算機(jī)技術(shù)和量子技術(shù)等領(lǐng)域帶來(lái)了潛在變革。該材料能夠在可見光和紫外光下保持透明，同時(shí)實(shí)現(xiàn)前所未有的高性能，這是半導(dǎo)體設(shè)計(jì)中的一項(xiàng)重要突破，有望推動(dòng)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。半導(dǎo)體是智能手機(jī)和醫(yī)療設(shè)備等電子產(chǎn)品的核心。為滿足新技術(shù)需求，科學(xué)家不斷研發(fā)超寬帶隙材料，這些材料能在極端條件下高效傳導(dǎo)電力，適用于更耐用的電子設(shè)備。本研究通過增大材料的“帶隙”來(lái)提升透明度和導(dǎo)電性，為高性能計(jì)算、智能手機(jī)，甚至量子
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生物電子學(xué)的突破：科學(xué)家成功研發(fā)柔性半導(dǎo)體材料
- 芝加哥大學(xué)的科學(xué)家們開發(fā)出一種新型凝膠材料，既具備傳輸信息的半導(dǎo)體功能，又能在活體組織和機(jī)器之間構(gòu)建穩(wěn)固連接。這一創(chuàng)新為生物電子學(xué)領(lǐng)域開辟了廣闊前景，或?qū)⑼苿?dòng)起搏器和其他植入式設(shè)備的發(fā)展。芝加哥大學(xué)普利茲克分子工程學(xué)院的研究表明，這種新材料或可用于改進(jìn)腦機(jī)接口、生物傳感器和心臟起搏器等設(shè)備。理想的生物電子接口材料應(yīng)當(dāng)柔軟、可拉伸，并與人體組織一樣具有親水性，因此水凝膠被認(rèn)為是最佳候選材料。然而，用于制造生物電子設(shè)備的核心材料——半導(dǎo)體——傳統(tǒng)上卻表現(xiàn)出剛硬、易碎且疏水的特性。在《科學(xué)》期刊上發(fā)表的芝加哥大
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創(chuàng)新的極紫外光刻技術(shù)極大地造福了半導(dǎo)體制造
- 沖繩科學(xué)技術(shù)研究所（OIST）的Tsumoru Shintake教授提出了一種超越半導(dǎo)體制造標(biāo)準(zhǔn)的極紫外（EUV）光刻技術(shù)。基于此設(shè)計(jì)的EUV光刻可以使用更小的EUV光源，降低成本并顯著提高機(jī)器的可靠性和壽命。它的功耗也不到傳統(tǒng)EUV光刻機(jī)的十分之一，有助于半導(dǎo)體行業(yè)變得更加環(huán)保可持續(xù)。通過解決兩個(gè)以前被認(rèn)為在該領(lǐng)域不可克服的問題，這項(xiàng)技術(shù)得以實(shí)現(xiàn)。第一個(gè)問題涉及一種僅包含兩個(gè)鏡子的全新光學(xué)投影系統(tǒng)。第二個(gè)問題涉及一種新的方法，可以有效地將EUV光引導(dǎo)到平面鏡（光掩模）上的邏輯圖案，而不會(huì)阻擋光學(xué)路徑。E
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中國(guó)團(tuán)隊(duì)研究解決了減少傳統(tǒng)硅基芯片尺寸的關(guān)鍵障礙
- 中國(guó)科學(xué)家們研發(fā)出一種超薄半導(dǎo)體材料，這一進(jìn)展可能會(huì)帶來(lái)更快、更節(jié)能的微芯片。由北京大學(xué)的劉開輝、人民大學(xué)的劉燦和中國(guó)科學(xué)院物理研究所的張光宇領(lǐng)導(dǎo)的團(tuán)隊(duì)，開發(fā)了一種制造方法，可以生產(chǎn)厚度僅為0.7納米的半導(dǎo)體材料。研究人員的發(fā)現(xiàn)于7月5日發(fā)表在同行評(píng)議期刊《科學(xué)》上，解決了減少傳統(tǒng)硅基芯片尺寸的關(guān)鍵障礙——隨著設(shè)備的縮小，硅芯片遇到了影響其性能的物理極限。這些科學(xué)家探討了二維（2D）過渡金屬二硫化物（TMDs）作為硅的替代品，其厚度僅為0.7納米，而傳統(tǒng)硅芯片的厚度通常為5-10納米。TMDs還消耗更少的
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美國(guó)國(guó)家實(shí)驗(yàn)室證明半導(dǎo)體可以在核反應(yīng)堆附近生存
- 2024年6月25日，美國(guó)國(guó)家核能辦公室發(fā)表聲明，橡樹嶺國(guó)家實(shí)驗(yàn)室（ORNL）的一項(xiàng)新研究證明氮化鎵半導(dǎo)體可以在核反應(yīng)堆核心附近的惡劣環(huán)境中成功存活。研究發(fā)現(xiàn)這一發(fā)現(xiàn)可能使得在運(yùn)行中的反應(yīng)堆中將電子元件放置得更靠近傳感器成為可能，從而實(shí)現(xiàn)更精確的測(cè)量和更緊湊的設(shè)計(jì)。這些研究結(jié)果可能有一天會(huì)導(dǎo)致在核反應(yīng)堆中使用無(wú)線傳感器，包括目前正在開發(fā)的先進(jìn)小型模塊化和微型反應(yīng)堆設(shè)計(jì)。更靠近核心傳感器用于從核反應(yīng)堆中收集信息，可以在設(shè)備故障發(fā)生前識(shí)別潛在問題。這有助于防止計(jì)劃外停機(jī)，每天可能導(dǎo)致公司損失數(shù)百萬(wàn)美元的發(fā)電收
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一種研究半導(dǎo)體缺陷的新實(shí)驗(yàn)方法
- 在凝聚態(tài)物理實(shí)驗(yàn)室（PMC*），一個(gè)團(tuán)隊(duì)成功確定了與半導(dǎo)體中原子排列缺陷存在相關(guān)的自旋依賴電子結(jié)構(gòu)。這是首次測(cè)量到這種結(jié)構(gòu)。研究結(jié)果發(fā)表在《物理評(píng)論快報(bào)》上。研究像所有晶體材料一樣，半導(dǎo)體由在空間中完美規(guī)則排列的原子組成。但實(shí)際上材料從未完美，即使使用最先進(jìn)的工藝進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)，半導(dǎo)體仍然存在缺陷。這些缺陷會(huì)改變材料的局部電子結(jié)構(gòu)，可能產(chǎn)生負(fù)面影響，也可能對(duì)應(yīng)用有益。這就是為什么理解它們背后的基本物理原理如此重要。這正是PMC團(tuán)隊(duì)所完成的工作，得益于阿加莎·烏利巴里在其論文期間的研究，并發(fā)表在《物理評(píng)論快
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