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Vishay推出額定電壓550 V和600 V的193 PUR-SI系列牛角式功率鋁電解電容器
- 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,公司193 PUR-SI系列微型牛角式功率鋁電解電容器陣容新增額定電壓為550 V和600 V的型號。該產品系列在同等大小封裝尺寸下,紋波電流承載能力較標準解決方案提升高達30 %,而且使用壽命更長。 工程師在傳統(tǒng)設計中通常采用三個400 V至450 V電容器串聯(lián),被串聯(lián)的每個電容器還需要并聯(lián)均衡電阻,以應對高達1100 V的DC母線電壓 - 這種方法增加了設計復雜度和潛在失效率。日前發(fā)布的
- 關鍵字: Vishay 額定電壓 193 PUR-SI 牛角式 鋁電解電容器
硅基氮化鎵(GaN-on-Si)HEMT 在 5G 毫米波頻段的優(yōu)勢
- 法國 SOITEC 公司與新加坡南洋理工大學的研究人員報道,適度微縮的硅基氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN-on-Si HEMT)在 30GHz 工作時,功率附加效率(PAE)突破 60%。該器件同時實現(xiàn)了低至 1.1dB 的業(yè)界領先噪聲系數(shù)。研究人員表示:“這些結果表明,結合優(yōu)化的外延結構與工藝,適度微縮即可帶來具備競爭力的技術方案。”研究團隊認為,這類3–6V 低壓射頻器件適用于 5G 高頻毫米波頻段(FR2,24.25–71.0GHz)的單片集成移動收發(fā)(T/R)模塊。5G 低頻段 FR1:410–
- 關鍵字: 硅基氮化鎵 GaN-on-Si HEMT 5G毫米波 SOITEC
Si-Five加入NVLink
- SiFive將集成Nvidia NVLink Fusion,納入其數(shù)據(jù)中心級設計,拓展基于RISC-V構建AI系統(tǒng)的選項。通過將寬且錯序的核心與可擴展的連貫結構和先進的內存層級結合,SiFive 使云服務提供商和系統(tǒng)供應商能夠根據(jù)工作負載需求定制 CPU,同時保持 RISC-V 生態(tài)系統(tǒng)帶來的軟件可移植性。隨著NVLink的加入,SiFive可以通過連貫的高帶寬互連直接連接到Nvidia的GPU和加速器,以降低延遲、更高效地共享數(shù)據(jù),并提升大規(guī)模AI部署的整體系統(tǒng)利用率。英偉達創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官黃仁森表示
- 關鍵字: Si-Five NVLink RISC-V AI Nvidia
復旦大學在Si CMOS+GaN單片異質集成的探索
- 異質異構Chiplet正成為后摩爾時代AI海量數(shù)據(jù)處理的重要技術路線之一,正引起整個半導體行業(yè)的廣泛關注,但這種方法要真正實現(xiàn)商業(yè)化,仍有賴于通用標準協(xié)議、3D建模技術和方法等。然而,以拓展摩爾定律為標注的模擬類比芯片技術,在非尺寸依賴追求應用多樣性、多功能特點的現(xiàn)實需求,正在推動不同半導體材料的異質集成研究。為此,復旦大學微電子學院張衛(wèi)教授、江南大學集成電路學院黃偉教授合作開展了Si CMOS+GaN單片異質集成的創(chuàng)新研究,并在近期國內重要會議上進行報道。復旦大學微電子學院研究生杜文張、何漢釗、范文琪等
- 關鍵字: 復旦大學 Si CMOS GaN 單片異質集成
巴斯夫推出全新抗氧化劑解決方案Irgastab PUR 71
- ■? ? 配方中不含芳香胺,有助于改善環(huán)境、保障人體健康和生命安全■? ?作為優(yōu)質的抗燒焦解決方案,具備卓越的性能并可降低排放水平■? ?可持續(xù)性的解決方案,能夠為多元醇和聚氨酯泡沫生產商帶來競爭優(yōu)勢巴斯夫推出的這款優(yōu)質、合規(guī)且性能卓越的創(chuàng)新型抗燒焦解決方案Irgastab? PUR 71不含芳香胺,有效解決了傳統(tǒng)抗燒焦添加劑的局限性,憑借其出色的環(huán)保、健康和安全性能,該解決方案還可滿足行業(yè)內日益嚴苛的物質分類和可持續(xù)監(jiān)管要求。“Irgastab
- 關鍵字: 巴斯夫 抗氧化劑 Irgastab PUR 71 多元醇 聚氨酯泡沫
ROHM開發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”, 助力減少服務器和AC適配器等的損耗和體積!
- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向數(shù)據(jù)服務器等工業(yè)設備和AC適配器等消費電子設備的一次側電源*1,開發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅動用驅動器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”(BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB)。近年來,為了實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會,對消費電子和工業(yè)設備的電源提出了更高的節(jié)能要求。針對這種需求,GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉換效率和實現(xiàn)器件小型化的器件被寄予厚望。然而,與Si MOSFET相
- 關鍵字: ROHM AC適配器 GaN HEMT Si MOSFET
回顧全球平板顯示行業(yè)的2015:新格局 新常態(tài)
- 2015年,對于顯示面板產業(yè)而言,注定是不平凡的一年。全球來看,產業(yè)進入深度調整和高速發(fā)展期,轉型升級步伐不斷加快,產品競爭日益激烈;國內來看,產業(yè)整體規(guī)模持續(xù)擴大,核心競爭力逐步增強,液晶面板產能過剩卻隱憂暗藏。總之,2015年顯示面板產業(yè)既有技術提升和創(chuàng)新帶來的變革,也有市況與價格戰(zhàn)帶來的重重考驗;既有順應市場需求而快速崛起的新勢力,也有停滯不前而瀕臨淘汰的落后者。在新年伊始,我們對行業(yè)進行梳理和總結,通過七個關鍵詞來回顧全球顯示面板產業(yè)不平凡的2015年, 同時提煉產業(yè)的發(fā)展趨勢,以窺2016。
- 關鍵字: 平板 a-Si
世強啟動Silicon Labs 2014創(chuàng)新技術巡回研討會
- 由中國最大本土分銷企業(yè)世強攜手業(yè)界領先的高性能混合信號IC供應商Silicon?Labs舉辦的創(chuàng)新技術巡回研討會將于近期全面啟動。本次研討會主要針對在職研發(fā)工程師,Silicon?Labs的資深技術專家將親臨現(xiàn)場,帶來處于創(chuàng)新最前沿的設計技術。 本次會議主題涉及: 1、應用全球最節(jié)能的ARM?Cortex?MCU實現(xiàn)超低功耗設計(最低待機功耗900nA) 2、100MIPS?的8位MCU創(chuàng)新設計與應用 3、使用任意頻點可編程時鐘縮短產品上市時間
- 關鍵字: 世強 SI ARM MCU GPS
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