- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，公司193 PUR-SI系列微型牛角式功率鋁電解電容器陣容新增額定電壓為550 V和600 V的型號。該產品系列在同等大小封裝尺寸下，紋波電流承載能力較標準解決方案提升高達30 %，而且使用壽命更長。 工程師在傳統設計中通常采用三個400 V至450 V電容器串聯，被串聯的每個電容器還需要并聯均衡電阻，以應對高達1100 V的DC母線電壓 - 這種方法增加了設計復雜度和潛在失效率。日前發布的
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Vishay 額定電壓 193 PUR-SI 牛角式 鋁電解電容器
- 法國 SOITEC 公司與新加坡南洋理工大學的研究人員報道，適度微縮的硅基氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN-on-Si HEMT）在 30GHz 工作時，功率附加效率（PAE）突破 60%。該器件同時實現了低至 1.1dB 的業界領先噪聲系數。研究人員表示：“這些結果表明，結合優化的外延結構與工藝，適度微縮即可帶來具備競爭力的技術方案。”研究團隊認為，這類3–6V 低壓射頻器件適用于 5G 高頻毫米波頻段（FR2，24.25–71.0GHz）的單片集成移動收發（T/R）模塊。5G 低頻段 FR1：410–
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硅基氮化鎵 GaN-on-Si HEMT 5G毫米波 SOITEC
- SiFive將集成Nvidia NVLink Fusion，納入其數據中心級設計，拓展基于RISC-V構建AI系統的選項。通過將寬且錯序的核心與可擴展的連貫結構和先進的內存層級結合，SiFive 使云服務提供商和系統供應商能夠根據工作負載需求定制 CPU，同時保持 RISC-V 生態系統帶來的軟件可移植性。隨著NVLink的加入，SiFive可以通過連貫的高帶寬互連直接連接到Nvidia的GPU和加速器，以降低延遲、更高效地共享數據，并提升大規模AI部署的整體系統利用率。英偉達創始人兼首席執行官黃仁森表示
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Si-Five NVLink RISC-V AI Nvidia
- 異質異構Chiplet正成為后摩爾時代AI海量數據處理的重要技術路線之一，正引起整個半導體行業的廣泛關注，但這種方法要真正實現商業化，仍有賴于通用標準協議、3D建模技術和方法等。然而，以拓展摩爾定律為標注的模擬類比芯片技術，在非尺寸依賴追求應用多樣性、多功能特點的現實需求，正在推動不同半導體材料的異質集成研究。為此，復旦大學微電子學院張衛教授、江南大學集成電路學院黃偉教授合作開展了Si CMOS+GaN單片異質集成的創新研究，并在近期國內重要會議上進行報道。復旦大學微電子學院研究生杜文張、何漢釗、范文琪等
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復旦大學 Si CMOS GaN 單片異質集成
- ■? ? 配方中不含芳香胺，有助于改善環境、保障人體健康和生命安全■? ?作為優質的抗燒焦解決方案，具備卓越的性能并可降低排放水平■? ?可持續性的解決方案，能夠為多元醇和聚氨酯泡沫生產商帶來競爭優勢巴斯夫推出的這款優質、合規且性能卓越的創新型抗燒焦解決方案Irgastab? PUR 71不含芳香胺，有效解決了傳統抗燒焦添加劑的局限性，憑借其出色的環保、健康和安全性能，該解決方案還可滿足行業內日益嚴苛的物質分類和可持續監管要求。“Irgastab
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巴斯夫 抗氧化劑 Irgastab PUR 71 多元醇 聚氨酯泡沫
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向數據服務器等工業設備和AC適配器等消費電子設備的一次側電源*1，開發出集650V GaN HEMT*2和柵極驅動用驅動器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。近年來，為了實現可持續發展的社會，對消費電子和工業設備的電源提出了更高的節能要求。針對這種需求，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉換效率和實現器件小型化的器件被寄予厚望。然而，與Si MOSFET相
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ROHM AC適配器 GaN HEMT Si MOSFET
- 氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導體材料，其禁帶寬度達到 3.4eV，是最具代表性的第三代半導體材料。除了更寬的禁帶寬度，氮化鎵還具備更高的擊穿電場、更高的熱導率、更高的電子飽和速率，以及更優的抗輻照能力，這些特性對于電力電子、射頻和光電子應用有獨特優勢。GaN 產業上游主要包括襯底與外延片的制備，下游是 GaN 芯片元器件的設計和制造。襯底的選擇對于器件性能至關重要，襯底也占據了大部分成本，因而襯底制備是降低 GaN 器件成本的突破口。襯底GaN 單晶襯底以 2-4 英寸為主，4 英寸已實現商用，6 英寸
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GaN-on-Si 氮化鎵
- 專注于引入新品推動行業創新的電子元器件分銷商貿澤電子 ( Mouser Electronics ) 近日宣布與 Fortebit 簽署全球分銷協議。該公司設計并制造高質量、高性價比的解決方案，用于嵌入式語音識別、語音播放功能和位置服務。簽署此項協議后，貿澤分銷的 Fortebit產品線 包含EasyVR 3 Plus語音識別器件和Polaris汽車物聯網平臺等產品。 EasyVR 3 Plus 是一款多
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SD SV SI
- 知IN，英特爾的自媒體微信賬號。分享英特爾新聞、產品技術和內幕故事；交流行業熱點話題；體味科技與人文的溫度
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SI IA
- 隨著顯示產業的不斷發展，人們對于顯示成像技術的要求不斷提高，這也促使著技術的不斷發展，TFT-LCD這種低成本、高解析度、高亮度、寬視角以及低功耗
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a-Si GZO LTPS
- DIGITIMESResearch觀察觸控與顯示驅動整合(TouchandDisplayDriverIntegration;TDDI)芯片市場發展，由于增加HybridIn-Cell型態產品，以及面板業者導入TDDI動機提升等因素帶動，2017年全球TDDI出貨量將較2016年成長191%，其中，臺系業者市占率將達近4成，從過去由新思(Synaptics)一家獨大局面中突圍。
TDDI芯片又稱IDC(IntegratedDisplayandController)，2017年上半受大中華區智能型手
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a-Si TDDI
- 2015年，對于顯示面板產業而言，注定是不平凡的一年。全球來看，產業進入深度調整和高速發展期，轉型升級步伐不斷加快，產品競爭日益激烈;國內來看，產業整體規模持續擴大，核心競爭力逐步增強，液晶面板產能過剩卻隱憂暗藏。總之，2015年顯示面板產業既有技術提升和創新帶來的變革，也有市況與價格戰帶來的重重考驗;既有順應市場需求而快速崛起的新勢力，也有停滯不前而瀕臨淘汰的落后者。在新年伊始，我們對行業進行梳理和總結，通過七個關鍵詞來回顧全球顯示面板產業不平凡的2015年， 同時提煉產業的發展趨勢，以窺2016。
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平板 a-Si
- TrendForce旗下光電事業處WitsView最新研究報告顯示，2015年全球智能手機面板出貨有機會達到18.2億片，2016年上看19.5億片，年增7%。其中LTPS/Oxide TFT規格的智能手機面板出貨比重將由2015年的29.8%攀升至2016年的34.6%。同時，受三星顯示器積極外賣AMOLED面板的影響，AMOLED規格的智能手機面板出貨比重也有機會由2015年的12.1%，攀升至2016年的14%。
WitsView資深研究經理范博毓表示，FHD機種往中端手機市場擴張的態勢確
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a-Si LTPS
- 1 PMM8713的功能特點
PMM8713是日本三洋電機公司生產的步進電機脈沖分配器。該器件采用DIP16封裝，適用于二相或四相步進電機。PMM8713在控制二相或四相步進電機時都可選擇三種勵磁方式(1相勵磁，2相勵磁，1-2相勵磁三種勵磁方式之一)，每相最小的拉電流和灌電流為20mA，它不但可滿足后級功率放大器的要求，而且在所有輸入端上均內嵌有施密特觸發電路，抗干擾能力很強，其原理框圖如圖1所示。
在PMM8713的內部電路中，時鐘選通部分用于設定步進電機的正反轉脈沖輸入法。PMM8713有兩種脈
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PMM8731 SI-7300
- 由中國最大本土分銷企業世強攜手業界領先的高性能混合信號IC供應商Silicon?Labs舉辦的創新技術巡回研討會將于近期全面啟動。本次研討會主要針對在職研發工程師，Silicon?Labs的資深技術專家將親臨現場，帶來處于創新最前沿的設計技術。 本次會議主題涉及： 1、應用全球最節能的ARM?Cortex?MCU實現超低功耗設計(最低待機功耗900nA) 2、100MIPS?的8位MCU創新設計與應用 3、使用任意頻點可編程時鐘縮短產品上市時間
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世強 SI ARM MCU GPS
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