臺(tái)積電、1nm 文章 最新資訊
芯片代工需求強(qiáng)勁 臺(tái)積電交貨期長達(dá)八周
- 由于芯片代工需求強(qiáng)勁,臺(tái)灣TSMC臺(tái)積電將把芯片代工交貨周期延長到8周,并且不排除繼續(xù)延長的可能性。 在6月份和7月份,臺(tái)積電表示,他們可以滿足客戶5周內(nèi)交貨的緊急芯片訂單。在那2個(gè)月當(dāng)中,客戶芯片的高庫存導(dǎo)致向臺(tái)積電代工的需求不強(qiáng),因此臺(tái)積電客戶特別是IC設(shè)計(jì)公司認(rèn)為他們可以等待晶圓價(jià)格下調(diào),再向臺(tái)積電追加訂單。
- 關(guān)鍵字: 代工 單片機(jī) 交貨期 嵌入式系統(tǒng) 臺(tái)積電 通訊 網(wǎng)絡(luò) 無線 芯片
競爭與反制:臺(tái)積電指責(zé)中芯侵權(quán)新理由
- “從內(nèi)容來看,臺(tái)積電的起訴書并沒多少新意,大部分還是上次訴訟理由的匯總。”一位不愿透露姓名的本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)人士說。 不過,該半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)人士表示,臺(tái)積電此次指責(zé)中芯侵權(quán)的新理由“很有味道”,基本上都針對(duì)了中芯一年多來的布局動(dòng)作。 首先,臺(tái)積電認(rèn)為中芯向北美9家國際客戶披露了自己的技術(shù),顯示出它對(duì)中芯搶奪國際高端訂單的憂慮。“臺(tái)積電拿中芯0.13微米及以下技術(shù)做文章,更有針對(duì)性,因?yàn)橹行镜闹髁饔唵螛I(yè)務(wù)正向這一工藝水平集中。”&nb
- 關(guān)鍵字: 單片機(jī) 工業(yè)控制 嵌入式系統(tǒng) 侵權(quán) 臺(tái)積電 中芯 工業(yè)控制
臺(tái)積電令中芯一次性付清1.3億美元和解金
- 臺(tái)積電狀告中芯國際風(fēng)暴持續(xù)擴(kuò)大,臺(tái)積電堅(jiān)持中芯破壞和解約定,要求中芯將先前合約中剩余的1.3億美元和解金一次付清,并索取官司費(fèi)用及因商業(yè)機(jī)密遭不當(dāng)使用所產(chǎn)生損失的加倍賠償,由于臺(tái)積電稱,中芯技術(shù)將會(huì)轉(zhuǎn)移到新建設(shè)的武漢、成都等晶圓廠,因此業(yè)內(nèi)人士估計(jì),若中芯未來不幸敗訴,極可能付出高額代價(jià)。 2006~2010年間分期支付,不過,這次臺(tái)積電稱中芯破壞和解,在雙方協(xié)議生效后,對(duì)方依舊不當(dāng)使用臺(tái)積電的商業(yè)機(jī)密,因此根據(jù)協(xié)議,要求中芯將剩余的1.3億
- 關(guān)鍵字: 單片機(jī) 工業(yè)控制 汽車電子 嵌入式系統(tǒng) 臺(tái)積電 消費(fèi)電子 中芯 工業(yè)控制
臺(tái)積電令中芯一次性付清1.3億美元和解金
- 臺(tái)積電狀告中芯國際風(fēng)暴持續(xù)擴(kuò)大,臺(tái)積電堅(jiān)持中芯破壞和解約定,要求中芯將先前合約中剩余的1.3億美元和解金一次付清,并索取官司費(fèi)用及因商業(yè)機(jī)密遭不當(dāng)使用所產(chǎn)生損失的加倍賠償,由于臺(tái)積電稱,中芯技術(shù)將會(huì)轉(zhuǎn)移到新建設(shè)的武漢、成都等晶圓廠,因此業(yè)內(nèi)人士估計(jì),若中芯未來不幸敗訴,極可能付出高額代價(jià)。 2006~2010年間分期支付,不過,這次臺(tái)積電稱中芯破壞和解,在雙方協(xié)議生效后,對(duì)方依舊不當(dāng)使用臺(tái)積電的商業(yè)機(jī)密,因此根據(jù)協(xié)議,
- 關(guān)鍵字: 單片機(jī) 和解金 嵌入式系統(tǒng) 臺(tái)積電 通訊 網(wǎng)絡(luò) 無線 消費(fèi)電子 中芯 消費(fèi)電子
Spansion擴(kuò)展與臺(tái)積電合作 將量產(chǎn)90nm閃存
- 7月25日消息,閃存解決方案供應(yīng)商Spansion公司昨日宣布擴(kuò)充與代工廠臺(tái)積電簽署的代工,增加采用300mm晶圓的90nm MirrorBit技術(shù)。兩家公司同意,在現(xiàn)有服務(wù)協(xié)議基礎(chǔ)上,即為Spansion的110nm技術(shù)提供代工生產(chǎn),增加了90nm的生產(chǎn)能力。臺(tái)積電從2006年第二季度開始生產(chǎn)采用110nm技術(shù)的閃存晶圓。90nm技術(shù)的目標(biāo)量產(chǎn)時(shí)間為2007年下半年。 Spansion MirrorBit閃存能夠利用一個(gè)基于氮化物的存儲(chǔ)器件,
- 關(guān)鍵字: 90nm閃存 Spansion 臺(tái)積電
臺(tái)積電營收達(dá)到全年計(jì)劃目標(biāo)
- 臺(tái)積電于近日宣布,由于受到客戶需求持續(xù)增長的推動(dòng),今年11月份該公司營收創(chuàng)歷史新高。 臺(tái)積電一度被視為全球技術(shù)行業(yè)的領(lǐng)頭羊,因?yàn)樵摴旧a(chǎn)的芯片廣泛應(yīng)用于游戲機(jī)、手機(jī)、個(gè)人電腦、數(shù)碼相機(jī)以及MP3播放器等產(chǎn)品。 今年11月份,臺(tái)積電營收達(dá)到275億元新臺(tái)幣(合8.225億美元),與去年同期相比,增長了31%,今年10月份,該公司營收達(dá)到262億元新臺(tái)幣。 11月份通常是芯片和配件生產(chǎn)商銷售高峰期,因?yàn)殡娮赢a(chǎn)品生產(chǎn)商需要完
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電
臺(tái)積電和聯(lián)電10月凈收入新高
- 臺(tái)積電10月份的凈銷售額達(dá)到了262.2億新臺(tái)幣(7.947億美元),而其最大的競爭對(duì)手聯(lián)電10月份銷售額為90.3億美元(2.73億美元)。兩個(gè)公司的凈收入都創(chuàng)略錄吐夾賂摺? 臺(tái)積電10月份將收入與9月份比增長4%,與去年同期比增長14.2%。聯(lián)電10月份凈收入與9月份比增長6.29%,但與去年同期比則下降10.2%。臺(tái)積電10月份業(yè)績達(dá)到了該公司262.3億新臺(tái)幣(7.948億美元)這個(gè)銷售額目標(biāo),使得該公司今年頭10個(gè)月實(shí)現(xiàn)總銷售額2096億新臺(tái)幣(63億美
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電
臺(tái)積電將投7億美元提升晶圓產(chǎn)能
- 臺(tái)積電董事長近日批準(zhǔn)了一項(xiàng)計(jì)劃,即該公司將投入7.065億美元來提高其工廠的產(chǎn)能。這筆投入將用于擴(kuò)展該公司12英寸晶圓工廠的65納米技術(shù)產(chǎn)能,擴(kuò)展其8英寸工廠的0.18微米和0.15微米技術(shù)產(chǎn)能。 這一消息是這家按銷售額來說為全球最大的芯片代工制造商在一份聲明中所稱。該公司在臺(tái)灣有兩個(gè)12英寸芯片工廠和五個(gè)8英寸晶圓工廠。臺(tái)積電董事會(huì)還批準(zhǔn)了一項(xiàng)最高可投入7500萬美元資金來建立一個(gè)風(fēng)險(xiǎn)資本基金,并且將委托VentureTech Alliance&nbs
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 其他IC 制程
臺(tái)積電第三季盈利比去年降12.3%
- 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司近日公布2005年第三季財(cái)務(wù)報(bào)告,其中營收約達(dá)新臺(tái)幣692.58億元,稅后純益約為新臺(tái)幣244.88億元,每股盈余為新臺(tái)幣0.99元(換算成美國存托憑證每單位為0.15美元)。 報(bào)告顯示,與上一季相較,臺(tái)積公司今年第三季營收增加了18.4%,稅后純益及每股盈余均增加了33.3%。與去年同期相較,臺(tái)積公司今年第三季營收減少了0.7%,稅后純益及每股盈余則分別減少了12.3%及12.2%。 臺(tái)積公司財(cái)務(wù)長暨發(fā)言人何麗梅副總經(jīng)理表示,第三季的營收較
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電
臺(tái)積電用廣告向臺(tái)當(dāng)局示好否認(rèn)在內(nèi)地建廠
- 北京時(shí)間8月25日消息,據(jù)國外媒體報(bào)道,臺(tái)積電本周三在臺(tái)灣主要報(bào)紙的頭版以半版廣告的形式宣稱,該公司并沒有在內(nèi)地修建12英寸晶圓廠的計(jì)劃,同時(shí)也沒有在內(nèi)地芯片設(shè)計(jì)企業(yè)投資。 此前有臺(tái)灣媒體報(bào)道,臺(tái)積電可能會(huì)投資內(nèi)地芯片設(shè)計(jì)企業(yè)。這一報(bào)道引起了臺(tái)灣當(dāng)局的關(guān)注,同時(shí)也是臺(tái)積電以廣告的形式表為自己澄清的主要原因。為了避免最先進(jìn)的芯片生產(chǎn)技術(shù)外流,臺(tái)灣當(dāng)局對(duì)臺(tái)灣芯片企業(yè)在內(nèi)地投資進(jìn)行了嚴(yán)格的限制,并出臺(tái)了一系列相關(guān)法規(guī)。SinoPac證券公司分析師詹姆斯-黃(James Huang)表示:“臺(tái)積
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電
臺(tái)積電75億建下一代晶圓廠產(chǎn)能每月超10萬
- 據(jù)臺(tái)北報(bào)紙引用一位高科技園區(qū)官員和臺(tái)積電發(fā)言人提供的消息報(bào)道稱,中國臺(tái)灣領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工制造商臺(tái)積電計(jì)劃投入巨資在臺(tái)中建立下一代300毫米晶圓工廠。 報(bào)道表示,根據(jù)設(shè)計(jì),新工廠每月的的最終生產(chǎn)能力將超過10萬片晶圓。新工廠的投資成本是空前的,將達(dá)到75億美元。這一投資數(shù)字是臺(tái)積電現(xiàn)有工廠的三倍。 報(bào)道引用臺(tái)灣中心高科技園區(qū)臨時(shí)辦公室代理綜合主管 Yang Wen-ke 在本周三的講話說,“臺(tái)積電遞交了它的投資建議,我們通過討論將在本周五正式批準(zhǔn)這一建議”。報(bào)告
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 其他IC 制程
臺(tái)積電稱聯(lián)電處理和艦關(guān)系不當(dāng)聯(lián)電表不滿
- 據(jù)國外媒體報(bào)道,臺(tái)聯(lián)電(UMC)周五對(duì)外發(fā)表聲明稱,臺(tái)積電(TSMC)CEO蔡力行(Rick Tsai)對(duì)聯(lián)電處理和艦科技關(guān)系所發(fā)表的評(píng)論屬惡意誹謗行為。 報(bào)道稱,在臺(tái)積電的一次內(nèi)部研討會(huì)上,蔡力行對(duì)員工們表示,聯(lián)電沒能正確處理好與和艦的關(guān)系,并表示臺(tái)積電一向主張誠實(shí)的原則。此言一出,立即招致了聯(lián)電的強(qiáng)烈不滿。聯(lián)電在一份聲明中說:“蔡力行是在發(fā)布誹謗性言論。” 和艦科技于2001年由一名前聯(lián)電高管創(chuàng)立,并于蘇州組建了芯片加工廠。聯(lián)電主席曹興誠此前承認(rèn),公司曾向和艦提供了一些幫助。從今
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電
臺(tái)積電董事長稱下半年半導(dǎo)體將出現(xiàn)高增長
- 臺(tái)積電董事長張忠謀日前稱,半導(dǎo)體業(yè)今年下半年將出現(xiàn)高增長,并且臺(tái)積電第三季度芯片發(fā)貨與第二季度比將增長29%。張忠謀是在周五上午與臺(tái)“行政院長”謝長廷會(huì)見時(shí)說出以上預(yù)期的,會(huì)見在座的還有臺(tái)工商協(xié)進(jìn)會(huì)的官員。 據(jù)媒體周五報(bào)道,臺(tái)積電可能的預(yù)期是其第三季度芯片發(fā)貨與第二季度比增長29%,并且在第四季度還將增長9%。該報(bào)道援引臺(tái)積電的預(yù)期稱,由于通信、電腦和消費(fèi)電子產(chǎn)品用芯片的需求改善,臺(tái)積電的第三季度發(fā)貨將增長至150萬件。臺(tái)積電發(fā)言人曾晉皓對(duì)以
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電
臺(tái)積電12英寸芯片加工廠發(fā)生毒氣泄漏意外
- 7月11日消息,今日,全球晶圓代工龍頭企業(yè)臺(tái)積電位于新竹的12英寸晶圓廠發(fā)生一氧化氮的氣體外泄意外,不過公司表示當(dāng)時(shí)立即做出必要處理,目前警報(bào)已經(jīng)解除,人員也恢復(fù)正常作業(yè)。 路透社報(bào)道,至于是否因氣體外泄造成運(yùn)作的損失,該公司公關(guān)部經(jīng)理曾晉皓表示,“人員僅疏散幾分鐘就回到廠內(nèi),因此還好。” 他表示,也是總公司所在、編號(hào)Fab 12的12英寸晶圓廠,是在上午10:35左右,偵測到有毒氣外泄的信息并發(fā)出警報(bào),當(dāng)時(shí)立刻進(jìn)行人員疏散,并關(guān)閉氣槽,在數(shù)分鐘后重新偵測恢復(fù)
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電
臺(tái)積電、1nm介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條臺(tái)積電、1nm!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)臺(tái)積電、1nm的理解,并與今后在此搜索臺(tái)積電、1nm的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)臺(tái)積電、1nm的理解,并與今后在此搜索臺(tái)積電、1nm的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
