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臺(tái)積電、1nm 文章 最新資訊

產(chǎn)能堪憂：臺(tái)積電40nm制程一波未平一波又起

  • 　　在近日舉辦的Nvidia公司季度財(cái)報(bào)會(huì)議上，公司高管表示Nvidia公司去年第四季度本可售出更多數(shù)量的顯卡產(chǎn)品，不過由于代工商方面的40nm制程 產(chǎn)能有限，因此無法及時(shí)供應(yīng)足夠數(shù)量的顯卡芯片，公司未能達(dá)成預(yù)期的銷售目標(biāo)。Nvidia高管并估計(jì)公司因此而遭受的損失在1-1.5億美元左右。 　　Nvidia公司在會(huì)上表示目前全球40nm制程產(chǎn)品的產(chǎn)能仍較為有限，并且這種產(chǎn)能低下的狀態(tài)可能會(huì)延遲到今年上半年。盡管沒有指明道姓，但作為Nvidia公司第一代工商的臺(tái)積電公司顯然難辭其咎;不過，其客戶Nvidi
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臺(tái)積電宣布驚人之舉 28nm制程節(jié)點(diǎn)將轉(zhuǎn)向Gate-last工藝

  • 　　去年夏季，一直走Gate-first工藝路線的臺(tái)積電公司忽然作了一個(gè)驚人的決定：他們將在其28nm HKMG柵極結(jié)構(gòu)制程技術(shù)中采用Gate-last工藝。不過據(jù)臺(tái)積電負(fù)責(zé)技術(shù)研發(fā)的高級(jí)副總裁蔣尚義表示，臺(tái)積電此番作出這種決定是要“以史為鑒”。以下，便讓我們?cè)谑Y尚義的介紹中，了解臺(tái)積電28nm HKMG Gate-last工藝推出的背景及其有關(guān)的實(shí)現(xiàn)計(jì)劃。 　　Gate-last是用于制作金屬柵極結(jié)構(gòu)的一種工藝技術(shù)，這種技術(shù)的特點(diǎn)是在對(duì)硅片進(jìn)行漏/源區(qū)離子注入操作以及隨后的高溫
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臺(tái)積電取得ASML超紫外光微影設(shè)備以研發(fā)新世代工藝

  • 　　TSMC與荷蘭艾司摩爾(ASML)公司今日共同宣布，TSMC將取得ASML公司TWINSCAN™ NXE:3100 - 超紫外光(Extreme Ultra-violet，EUV)微影設(shè)備，是全球六個(gè)取得這項(xiàng)設(shè)備的客戶伙伴之一。 　　這項(xiàng)設(shè)備將安裝于TSMC的超大晶圓廠(GigaFab™)-臺(tái)積十二廠，用以發(fā)展新世代的工藝技術(shù)。TSMC也將成為全球第一個(gè)可以在自身晶圓廠發(fā)展超紫外光微影技術(shù)的專業(yè)集成電路制造服務(wù)業(yè)者。 　　相較于現(xiàn)行浸潤式微影技術(shù)以193納米波長當(dāng)作光源，超
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臺(tái)積電與MAPPER公司共同開發(fā)計(jì)劃立下新里程碑

  • 　　TSMC與荷蘭商MAPPER公司于19日共同宣布，MAPPER公司安裝在TSMC晶圓十二廠超大晶圓廠的原型機(jī)臺(tái)正不斷地重復(fù)寫出超微小電路元件，系先前使用浸潤式微影技術(shù)所無法達(dá)到的成果。 　　過去幾個(gè)月來，TSMC擴(kuò)充了無光罩微影技術(shù)的研究團(tuán)隊(duì)，并與MAPPER公司的工程師們一同在晶圓十二廠里合力將電子束直寫能力整合至工藝中，以供未來更先進(jìn)的技術(shù)世代使用。 　　TSMC研究發(fā)展資深副總經(jīng)理蔣尚義博士表示：「TSMC在工藝上一直不斷尋求最具成本效益的做法，而使用MAPPER公司機(jī)臺(tái)所得到的成果，不僅符
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臺(tái)積電擴(kuò)大與大陸集成電路產(chǎn)業(yè)化基地和技術(shù)中心合作

  • 　　TSMC今日宣布，擴(kuò)大與中國大陸地區(qū)的集成電路產(chǎn)業(yè)化基地和技術(shù)中心合作，積極推展這種成功的合作模式與經(jīng)驗(yàn)，運(yùn)用TSMC的專業(yè)集成電路制造技術(shù)與服務(wù)支持「孵化器」(incubator)的新一輪發(fā)展，協(xié)助加快中國集成電路設(shè)計(jì)業(yè)的成長步伐。 　　在去年七月，TSMC分別和六家國家級(jí)的集成電路設(shè)計(jì)孵化器簽訂合作協(xié)議，提供業(yè)界最完整、最頻繁的芯片共乘(CybershuttleTM)與流片試產(chǎn)(tape out)服務(wù)，成功建立廣泛的制造服務(wù)與技術(shù)戰(zhàn)略聯(lián)盟，合作成果良好。而這一波的擴(kuò)大合作計(jì)劃中，TSMC繼續(xù)與國
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臺(tái)積電砸4億元購買設(shè)備擴(kuò)產(chǎn)

  • 　　據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)積電今年資本支出48億美元(約新臺(tái)幣1538億元)，創(chuàng)歷史新高，即便正逢中國農(nóng)歷新年期間，臺(tái)積電擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作并未停歇，18日公告取得設(shè)備與廠務(wù)工程約18.9億元新臺(tái)幣(約合人民幣4億元)。 　　應(yīng)用材料(Applied Materials )看好今年市況，顯示臺(tái)積電、聯(lián)電等主要客戶設(shè)備需求強(qiáng)勁，英偉達(dá)(Nvidia)喊出半導(dǎo)體晶圓代工高端產(chǎn)能吃緊，將使今年晶圓雙雄高端制程競逐賽更激烈。 　　臺(tái)積電規(guī)劃，今年12英寸月總產(chǎn)能可突破20萬片，其中新竹12 廠第五期廠房去年底動(dòng)工，今年第三
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臺(tái)積電今年一月營收291億5600萬元新臺(tái)幣

  • 　　TSMC今(10)日公布2010年一月營收?qǐng)?bào)告，就非合并財(cái)務(wù)報(bào)表方面，營收約為新臺(tái)幣291億5,600萬元，較2009年十二月減少了4.3%，較2009年同期則增加了134.4%。 　　就合并財(cái)務(wù)報(bào)表方面，2010年一月營收約為新臺(tái)幣301億3,600萬元，較2009年十二月減少了4.5%，較2009年同期則增加了129.6%。
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臺(tái)積電董事會(huì)擬定每普通股配發(fā)3元現(xiàn)金股息

  • 　　TSMC 9日召開董事會(huì)，會(huì)中擬定今年每普通股配發(fā)現(xiàn)金股息3元，并將提請(qǐng)6月15日上午舉行之股東常會(huì)議決。 　　TSMC發(fā)言人何麗梅副總經(jīng)理表示，董事會(huì)之重要決議如下： 　　一、 核準(zhǔn)2009年?duì)I業(yè)報(bào)告書及財(cái)務(wù)報(bào)表，其中全年合并營收凈額約為新臺(tái)幣2,957億4,000萬元，稅后純益約為新臺(tái)幣892億2,000萬元，每股盈余為新臺(tái)幣3.44元。 　　二、核準(zhǔn)每普通股配發(fā)現(xiàn)金股息3元，將呈送股東會(huì)承認(rèn)。同時(shí)也核準(zhǔn)員工現(xiàn)金獎(jiǎng)金與現(xiàn)金紅利總計(jì)約新臺(tái)幣133億8,000萬元，其中員工現(xiàn)金獎(jiǎng)金約新臺(tái)幣66億
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美紐約州匿名團(tuán)體反對(duì)州政府資助450mm項(xiàng)目

  • 　　日前，一個(gè)匿名群體就美國紐約州對(duì)CNSE/Sematech在Albany N.Y.的450mm晶圓研發(fā)中心進(jìn)行資助表示反對(duì)。這個(gè)群體告訴紐約州的政客們州政府對(duì)450mm研發(fā)項(xiàng)目的任何資助不會(huì)對(duì)州內(nèi)的任何公司產(chǎn)生好處，是浪費(fèi)納稅人的錢。 　　該群體稱關(guān)于資助450mm研發(fā)的一項(xiàng)議案正在準(zhǔn)備中，資助金額達(dá)到數(shù)千萬美元。該群體稱這些錢大部分會(huì)花在設(shè)備上，而設(shè)備供應(yīng)商都是紐約州以外的公司，對(duì)州內(nèi)就業(yè)沒有任何好處。 　　這個(gè)群體還表示，目前公開表示將轉(zhuǎn)向450mm的公司有三家，英特爾、三星和臺(tái)積電。但它們沒
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晶圓雙雄產(chǎn)能計(jì)劃增長 恐致產(chǎn)能過剩

  • 　　最近臺(tái)灣兩家主要的半導(dǎo)體代工商臺(tái)積電和聯(lián)電公司均宣布今年將進(jìn)一步拓展其12英寸晶圓的產(chǎn)能，兩家廠商并宣布將提升今年的資本投資金額。不過有業(yè)者則認(rèn) 為這兩家公司的產(chǎn)能拓展計(jì)劃恐將造成今年12英寸晶圓產(chǎn)品的產(chǎn)能過剩。 　　聯(lián)電公司CEO孫世偉表示對(duì)公司今年的業(yè)務(wù)前景較為樂觀，他并預(yù)計(jì)今年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將實(shí)現(xiàn)13-15%的增長，而芯片制造廠商的增長幅度則有望達(dá)到25-28%左右。 　　針對(duì)業(yè)內(nèi)關(guān)于12英寸晶圓產(chǎn)能過剩的擔(dān)憂，孫世偉表示聯(lián)電公司此前已經(jīng)對(duì)有關(guān)的市場(chǎng)狀況進(jìn)行過較為全面的評(píng)析，評(píng)析的結(jié)果顯示聯(lián)電公
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去年晶圓代工市占率　臺(tái)積電囊括半壁江山

  • 　　2009年最新晶圓代工排名出爐，其中臺(tái)積電符合預(yù)期拿下近50%市場(chǎng)占有率，與聯(lián)電及兩家集團(tuán)成員世界先進(jìn)、蘇州和艦的市占率相加共計(jì)可拿下約65%市場(chǎng)占有率，臺(tái)系晶圓代工廠在全球的舉足輕重地位未變。而全球晶圓(Global Foundries)購并新加坡特許(Chartered)之后，新的全球晶圓市占率已拉開與中芯國際差距，并與聯(lián)電不相上下。 　　ICInsight發(fā)布了2009年全球各大晶圓代工廠的市場(chǎng)報(bào)告，其中臺(tái)積電憑借將近半數(shù)的比重穩(wěn)占半壁江山，若加上集團(tuán)轉(zhuǎn)投資成員世界先進(jìn)則市占率更高。 　　臺(tái)
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臺(tái)積電年中將為Altera試產(chǎn)28nm制程FPGA芯片

  • 　　據(jù)業(yè)者透露，臺(tái)積電公司將于今年中期開始為Altera公司生產(chǎn)28nm制程FPGA芯片產(chǎn)品。這種FPGA芯片將集成有28Gbps收發(fā)器，產(chǎn)品面向云計(jì)算，在線存儲(chǔ)以及移動(dòng)視頻等應(yīng)用，Altera公司兩年前曾推出該系列產(chǎn)品的 40nm制程版本。臺(tái)積電還宣布其28nm制程將為全代制程(full node:即制程升級(jí)時(shí)需要對(duì)芯片電路進(jìn)行重新設(shè)計(jì)),而且年內(nèi)其28nm制程還將具備可按客戶的需求制作出HKMG(High-K絕緣層+金屬柵極)或SiON(SiON絕緣層+硅柵極)這兩種不同柵極結(jié)構(gòu)的能力. 　　臺(tái)積電
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臺(tái)積電擴(kuò)產(chǎn)如火如荼　砸60億新臺(tái)幣添購設(shè)備

  • 　　臺(tái)積電農(nóng)歷春節(jié)年前加緊耗資新臺(tái)幣數(shù)10億元添購機(jī)器設(shè)備，光是2日便一口氣公告約近60億元添購設(shè)備，同時(shí)對(duì)象包括無塵室等廠務(wù)工程以及前段半導(dǎo)體制程微顯影設(shè)備，代表臺(tái)積電擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作才剛要開始，大筆資本支出可望一直延續(xù)讓設(shè)備商2010年過個(gè)好年冬。臺(tái)積電對(duì)于擴(kuò)產(chǎn)也形容，南科Fab 14第4期正如火如荼進(jìn)行，工程進(jìn)度將飛快進(jìn)行。 　　臺(tái)積電2日公告采購機(jī)器設(shè)備總金額將近60億元，其中包括廠房建設(shè)的達(dá)欣工程與無塵室管路建設(shè)業(yè)者漢唐，以及微顯影設(shè)備包括艾斯摩爾(ASML)與尼康(Nikon)。半導(dǎo)體業(yè)者分析，這代
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臺(tái)積電不吞并中芯背后：敗戰(zhàn)換中國半導(dǎo)體江山

  • 　　臺(tái)積電與中芯的專利糾紛自2003年始，其間共有兩次裁定，中芯都輸了。站在國人立場(chǎng)雖有點(diǎn)不服，似乎被欺負(fù)，但也覺得要尊重知識(shí)產(chǎn)權(quán)是共同的商業(yè)法則，中國做半導(dǎo)體要光明磊落，任何“捷徑”是不可取的。從中也反映一個(gè)當(dāng)前中國社會(huì)的價(jià)值規(guī)律，應(yīng)當(dāng)如何來獲取價(jià)值。半導(dǎo)體是高科技,其中工藝的研發(fā)費(fèi)用甚高，因此對(duì)于中國無非有兩條路可走，一是自行研發(fā)，下決心攻克，這樣是長久生存之計(jì)。二是購買技術(shù)授權(quán)，顯然最先進(jìn)技術(shù)別人不會(huì)買給您，由此增加費(fèi)用，減少競爭實(shí)力。不過在自行研發(fā)未取得成功之前，這是一條過
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晶圓雙雄再掀12寸廠投資潮　業(yè)界擔(dān)憂恐造成產(chǎn)能過剩

  • 　　繼臺(tái)積電提高2010年資本支出達(dá)48億美元，晶圓專工大廠聯(lián)電3日亦宣布，提高2010年資本支出達(dá)12億~15億美元，其中約有94%將用于擴(kuò)充12寸先進(jìn)制程產(chǎn)能。聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉表示，聯(lián)電65納米成長會(huì)非常迅速，45/40納米世代占營收比重將增加，同時(shí)良率已很穩(wěn)健。值得注意的是，臺(tái)積電、聯(lián)電紛上看2010年晶圓代工產(chǎn)業(yè)將成長3成，樂觀預(yù)期公司可望同步跟著成長，并加碼資本支出，透露在兩大龍頭廠帶領(lǐng)下，將再度掀起12寸廠投資熱潮。 　　孫世偉表示，對(duì)于2010年展望非常樂觀，預(yù)估半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)可望成長13~1
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