戰略與國際研究中心（CSIS）3 月初發布的報告顯示，2014 至 2023 年間，中國半導體產業政策投入總額約1420 億美元，約為美國同期承諾的390 億美元的3.6 倍People's Daily Online。報告認為，中國巨額科技投入使其在國際舞臺上的影響力與實力地位提升，并建議 “其他政府需務實應對，以降低負面成本”。

數據源自波士頓咨詢集團（BCG）與美國半導體產業協會（SIA）編制的圖表。報告作者、CSIS 高級顧問兼中國商務與經濟信托基金主席斯科特?肯尼迪稱，北京的芯片攻勢在先進制程領域仍屬他所說的 “破壞性失敗”。

該統計覆蓋半導體全價值鏈的直接產業政策支持。韓國以 550 億美元位居第二，歐盟 470 億美元、日本 175 億美元、中國臺灣 160 億美元緊隨其后。不過，報告統計區間 2014–2023 年早于美國 2022 年 8 月簽署的《芯片與科學法案》大部分資金撥付時間，也未計入中國 2024 年 5 月啟動、規模約 475 億美元的國家集成電路產業投資基金三期（大基金三期）。

報告援引 2025 年 SIA 數據稱，巨額投入并未帶來先進制程突破。按總部所在地統計，美國芯片企業全球出貨占比仍超 50%，中國企業僅 4.5%。

報告稱，截至 2025 年年中，中芯國際全球晶圓代工份額約 6%，位列臺積電、三星之后排名第三。分析師評估，中芯國際至少落后臺積電 2–3 代工藝：其 5nm 良率僅約 20%，7nm 為 25%–46%；而英特爾、三星、臺積電已推進至 2nm，良率最高可達 90%。

報告指出，若無法獲得阿斯麥（ASML）的 EUV（未來可能還包括 DUV）光刻設備，中芯國際實際上無法突破 7nm 以下節點；肯尼迪認為，與頂尖水平的差距可能擴大而非縮小。中國實驗室嘗試拼湊逆向工程 EUV 設備，但尚未產出一顆芯片。設計端，英偉達全球 GPU 市占率超 90%，華為昇騰、阿里平頭哥、寒武紀、摩爾線程等中國廠商在算力性能上均落后。肯尼迪還提到，研發強度是另一制約因素：美國芯片企業平均將17.7%銷售額投入研發，中國同行僅9.2%。

2024 年啟動的中國大基金三期，旨在補齊晶圓設備、EDA 軟件、AI 加速器等短板。報告引述分析師吉米?古德里奇觀點稱，在可預見未來，中國大概率仍將是 “最快速跟隨者”，難以持續跟上全球領先者步伐。面對美國對先進光刻的出口管制與持續擴大的研發投入差距，肯尼迪認同這一結論。