Microchip推出全新BZPACK mSiC?功率模塊,專為惡劣環境下高要求應用而設計
Microchip Technology Inc.(微芯科技公司)今日推出BZPACK mSiC?功率模塊,專為滿足嚴苛的高濕、高電壓、高溫反偏(HV-H3TRB)標準而設計。BZPACK模塊可提供卓越可靠性、簡化生產流程,并為最嚴苛的功率轉換應用提供豐富的系統集成方案。該模塊支持多種拓撲結構,包括半橋、全橋、三相及 PIM/CIB 配置,為設計人員提供優化性能、成本與系統架構的靈活空間。
BZPACK mSiC功率模塊通過測試并滿足超過1000小時標準的HV-H3TRB標準,為工業及可再生能源應用部署提供可靠保障。該模塊采用相比漏電起痕指數(CTI)達600V的封裝外殼,在全溫度范圍內具備穩定的導通電阻Rds(on),并可選用氧化鋁(Al?O?)或氮化鋁(AlN)基板,提供出色的絕緣性能、熱管理能力與長期耐用性。
Microchip負責大功率解決方案業務部的副總裁Clayton Pillion表示:“BZPACK mSiC功率模塊的推出,進一步彰顯Microchip致力于為最嚴苛功率轉換環境提供高可靠性和高性能解決方案的承諾。依托先進的mSiC技術,我們能夠為客戶提供一條更簡便的路徑,幫助其在工業和可持續發展市場構建高效且持久的系統。”
為簡化生產并降低系統復雜性,BZPACK模塊采用緊湊無基板設計,配備壓接式無焊端子,并可選配預涂覆導熱界面材料(TIM)。這些靈活的配置選項可實現更快的裝配速度、更高的一致性制造品質,并通過行業標準封裝尺寸實現更便捷的多貨源采購。此外,該模塊采用引腳兼容設計,使用更加簡便。
Microchip的MB與MC系列mSiC MOSFET旨在為工業和汽車應用提供高可靠性解決方案,其中部分產品通過AEC Q101車規認證。這些器件支持通用柵源電壓(VGS ≥ 15V),采用行業標準封裝,易于集成。經過驗證的HV-H3TRB能力有助于降低因潮濕引發漏電或擊穿導致的現場故障風險,保障長期可靠性。此外,MC 系列集成柵極電阻,實現更優的開關控制,保持低開關損耗,并增強多芯片模塊配置穩定性。現有產品提供TO-247-4 Notch封裝及裸片(華夫盤)形式。
Microchip在碳化硅器件及功率解決方案的研發、設計、制造與支持方面擁有逾20年經驗,致力于幫助客戶輕松、快速且放心地采用碳化硅技術。公司mSiC系列產品與解決方案旨在降低系統成本、加快產品上市并降低開發風險。Microchip提供豐富且靈活的碳化硅二極管、MOSFET及柵極驅動器產品。如需了解更多信息,敬請訪問官網:www.microchip.com/sic。











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