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SK海力士與閃迪聯合發布高帶寬閃存(HBF) 高速標準瞄準人工智能推理服務器

作者: 時間:2026-02-27 來源: 收藏

固態硬盤(SSD)中常用的 NAND 芯片,其速度和容量一直在穩步提升,當前服務器級產品的單芯片速度已能達到 28GB/s。但即便如此,這一性能在人工智能領域仍顯不足。為此,SK 海力士與聯合宣布推出,High Bandwidth Flash),專為下一代打造。

官方新聞稿的細節披露極為有限,但提及 將定位為高帶寬內存(HBM DRAM)與閃存固態硬盤之間的中間層級。鑒于當前一代 HBM3E 內存堆的速度約為 1.2TB/s,我們可以推測,單顆 芯片的目標速度至少為 10GB/s(甚至更高),這樣多芯片組合后的總速度可達到數百 GB/s。畢竟,若速度提升不顯著,耗費資源打造一套全新標準便失去了實際意義。

標準制定方顯然也關注功耗效率 —— 在數據中心耗電量巨大的當下,這一考量合情合理。以美光 9650 高端固態硬盤為例,其滿負載運行時功耗為 25 瓦,而在包含數萬個硬盤的艾字節級部署場景中,總功耗將急劇攀升,帶來巨大的能耗壓力。

目前尚無關于這款新型 HBF 如何與系統交互的具體信息,但新聞稿中 “支撐層級” 這一模糊表述,可能意味著它類似固態硬盤上的緩存,但容量要大得多;也可能是一種類似傲騰(Optane)的超高速塊存儲設備,需要對應用程序和 / 或操作系統進行優化才能高效使用。

該公告未給出明確的發布時間表,但提到 “到 2030 年左右,包括 HBF 在內的復雜存儲解決方案的需求將迎來增長”,因此這一時間點可作為量產發布的合理預估。該標準將由開放計算項目(Open Compute Project)負責管理。兩家公司將 HBF 的目標市場鎖定在,原因在于聊天機器人等應用產生的輸出數據需要存儲載體,且這類存儲需求預計將呈指數級增長。


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