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mocvd 文章 最新資訊

璨圓聯(lián)貸5000萬(wàn)美元為璨揚(yáng)光電增購(gòu)MOCVD

  • 　　臺(tái)廠璨圓光電考慮大陸已成為L(zhǎng)ED TV布局重點(diǎn)區(qū)域，且未來將可就近供應(yīng)LGD、瑞軒、東貝等芯片需求，因此，璨圓持續(xù)為轉(zhuǎn)投資公司江蘇璨揚(yáng)光電增購(gòu)MOCVD等相關(guān)設(shè)備，以持續(xù)提升產(chǎn)能及增加競(jìng)爭(zhēng)力。 　　
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韓國(guó)MOCVD擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃喊停

  • 　　據(jù)LED設(shè)備廠透露，韓國(guó)兩大電子集團(tuán)的LED大擴(kuò)廠計(jì)劃喊停，原訂韓國(guó)有機(jī)金屬化學(xué)汽相沉積(MOCVD)機(jī)臺(tái)的數(shù)量，從600臺(tái)大降到150臺(tái)，此舉可望化解LED產(chǎn)能過剩疑慮。 　　
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IMEC利用CMOS工藝制程GaN MISHEMTs

  • 　　歐洲微電子研究中心(Interuniversity Microelectronics Centre。即IMEC)與其合作伙伴共同開發(fā)了在200毫米硅芯片上生長(zhǎng)GaN/AlGaN的技術(shù)。 　　借助這項(xiàng)新技術(shù)，GaN MISHEMTs( metal-insulator semiconductor high-electron mobility transistors，無金屬高電子遷移率晶體管)能夠嚴(yán)格按照CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，
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政府支持LED產(chǎn)業(yè)上游發(fā)展

  • 　　據(jù)DIGITIMES Research，中國(guó)十二五規(guī)劃著重LED上游發(fā)展，特別是芯片制造，更是政府補(bǔ)助及廠商投資的重點(diǎn)。 　　以江蘇省揚(yáng)州市政府為例，提供每臺(tái)藍(lán)光MOCVD機(jī)臺(tái)人民幣1,000萬(wàn)元(約154萬(wàn)美元)的現(xiàn)金補(bǔ)助，吸引許多芯片廠商前來設(shè)廠，包括真明麗、乾照光電、德豪潤(rùn)達(dá)、中科半導(dǎo)體等主要大陸芯片廠。而江蘇省除揚(yáng)州市外，南通及張家港也均有廠商投資建設(shè)LED芯片廠房，形成生產(chǎn)LED芯片的主要省分。
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AIXTRON第2000臺(tái)MOCVD安裝完成

  • 　　5月26日，AIXTRON宣布其第2000臺(tái)MOCVD已經(jīng)安裝完成。第2000臺(tái)MOCVD由廈門乾照購(gòu)買。雙方的合作源自2006年2月。此批設(shè)備為60x2英寸 AIX 2800G4-R系統(tǒng)，由當(dāng)?shù)毓ぷ魅藛T安裝調(diào)試。廈門乾照是AIX 2800G4的首家用戶，2010年乾照的廈門工廠和揚(yáng)州分廠完成安裝多臺(tái)AIXTRON G3、G4 MOCVD系統(tǒng)。　
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全球LED市場(chǎng)分析

  • 　　從2010年開始，中國(guó)購(gòu)買MOCVD的數(shù)量急速增長(zhǎng)。2009年全球出貨228臺(tái)，其中中國(guó)大陸僅占12%，韓國(guó)42%，臺(tái)灣地區(qū)35%;2010年全球出貨增至800臺(tái)，中國(guó)大陸上升至32%，韓國(guó)和臺(tái)灣地區(qū)分別為33%和26%，據(jù)Veeco估計(jì)，2011年MOCVD出貨量為850-1100臺(tái)，中國(guó)大陸將占據(jù)60%份額，韓國(guó)進(jìn)一步下降至10%，臺(tái)灣地區(qū)23%。全球2011-2015出貨量為4000-7000臺(tái)。　
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Veeco MOCVD設(shè)備過半供應(yīng)中國(guó)市場(chǎng)

  • 　　近日，Veeco全球首席執(zhí)行官JohnR.PeELer向高工led記者透露，2011年全球MOCVD設(shè)備出貨量將在850臺(tái)至1100臺(tái)之間，預(yù)計(jì)中國(guó)市場(chǎng)將占據(jù)60%的出貨量。 　　
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揚(yáng)州或?qū)⑷∠鸏ED財(cái)政補(bǔ)貼

  • 　　今年7月，揚(yáng)州市將停止對(duì)LED外延片生產(chǎn)用MOCVD設(shè)備的購(gòu)置補(bǔ)助資金。這對(duì)當(dāng)?shù)氐腖ED生產(chǎn)企業(yè)來說，無疑是一個(gè)利空消息，因?yàn)橐慌_(tái)設(shè)備最高1000萬(wàn)元補(bǔ)貼的好日子馬上要到頭了。 　
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LED市場(chǎng)將會(huì)出現(xiàn)爆炸式增長(zhǎng)

  • 　　根據(jù)The Information Network基于降低生產(chǎn)成本的市場(chǎng)觀察和分析，LED市場(chǎng)將會(huì)出現(xiàn)爆炸式的增長(zhǎng)。2011年的芯片出貨量將比2010年增長(zhǎng)40%以上;而到了2013年，LED的芯片出貨量將達(dá)到2010年的兩倍。 　　
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2011年LED芯片出貨量將增長(zhǎng)40%

  • 　　根據(jù)The Information Network基于降低生產(chǎn)成本的市場(chǎng)觀察和分析， LED市場(chǎng)將會(huì)出現(xiàn)爆炸式的增長(zhǎng)。2011年的芯片出貨量將比2010年增長(zhǎng)40%以上;而到了2013年，LED的芯片出貨量將達(dá)到2010年的兩倍。 　　
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中國(guó)LED投資熱持續(xù)

  • 　　據(jù)報(bào)道，中國(guó)大陸2009年LED產(chǎn)業(yè)投資升溫，投資計(jì)劃金額為人民幣220億元，2010年上市公司的計(jì)劃投資額為人民幣300億元。盡管投資持續(xù)暢旺，但是國(guó)內(nèi)LED企業(yè)仍集中在中下游，獲利最為豐厚的高端LED芯片產(chǎn)品。 　
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大陸LED商猛擴(kuò)產(chǎn)

  • 　　為因應(yīng)持續(xù)增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求，發(fā)光二極體(LED)的制造商正積極擴(kuò)充新的產(chǎn)能，連帶使得LED的關(guān)鍵制程設(shè)備──有機(jī)化學(xué)氣相沉積法(MOCVD)機(jī)臺(tái)出貨量不斷攀升。市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IMS的Reseach指出，盡管2010年下半年的LED市場(chǎng)需求減弱，但第三、四季氮化鎵(氮化鎵)金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積機(jī)臺(tái)的出貨數(shù)目仍分別創(chuàng)下230與232臺(tái)的新紀(jì)錄。預(yù)估在中國(guó)大陸的LED廠不斷加碼擴(kuò)產(chǎn)的驅(qū)動(dòng)下，2011年金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積機(jī)臺(tái)總出貨量可望突破一千臺(tái)大關(guān)。
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美國(guó)應(yīng)用材料計(jì)劃研發(fā)MOCVD降低LED成本

  • 　　美國(guó)應(yīng)用材料公司(AppliedMaterials)計(jì)劃改進(jìn)LED制造工藝研究項(xiàng)目，通過改進(jìn)生產(chǎn)設(shè)備、改善制造工藝，尤其是MOCVD的研制，實(shí)現(xiàn)降低生產(chǎn)成本40%的目標(biāo)。 　　
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2011年全球MOCVD需求上看千臺(tái)

  • 　　據(jù)臺(tái)灣媒體消息，根據(jù)DIGITIMES統(tǒng)計(jì)，2010年全球MOCVD機(jī)臺(tái)需求量為800臺(tái)，較2009年大幅成長(zhǎng)277%,DIGITIMES Research分析師兼項(xiàng)目經(jīng)理林芬卉分析，該年度成長(zhǎng)主要來自南韓、臺(tái)灣、大陸地區(qū)貢獻(xiàn)。 　　
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華延芯光鄂爾多斯30臺(tái)MOCVD項(xiàng)目即將開工建設(shè)

  • 　　據(jù)了解，蒙西LED光電產(chǎn)業(yè)集群區(qū)將計(jì)劃于4月18日在鄂爾多斯新能源產(chǎn)業(yè)示范區(qū)新興產(chǎn)業(yè)園區(qū)舉行奠基慶典。按照此前的項(xiàng)目環(huán)評(píng)公示，其中LED外延、芯片項(xiàng)目建設(shè)年限為2011-2013年，項(xiàng)目建設(shè)規(guī)模為年產(chǎn)3英寸GaN-LED外延片720萬(wàn)片。 　　
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mocvd 介紹

MOCVD 　　MOCVD是金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相淀積(Metal-organic Chemical Vapor DePosition)的英文縮寫。MOCVD是在氣相外延生長(zhǎng)(VPE)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長(zhǎng)技術(shù).它以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機(jī)化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長(zhǎng)源材料，以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進(jìn)行氣相外延，生長(zhǎng)各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體 [ 查看詳細(xì) ]

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