2d nand 文章最新資訊

內(nèi)存價格邁入小時級波動，中小廠商爭搶剩余貨源艱難求生

人工智能引發(fā)內(nèi)存供應(yīng)危機(jī)，DRAM 市場被迫啟用 “小時級定價” 模式 —— 數(shù)萬家中小企業(yè)為生存展開激烈爭奪逾 19 萬家中小型電子企業(yè)正被人工智能浪潮擠出內(nèi)存市場。據(jù)《電子時報》今日發(fā)布的報道，受人工智能需求激增引發(fā)的內(nèi)存短缺問題持續(xù)加劇影響，內(nèi)存價格開始以小時為單位波動。半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)部人士提醒，若中小廠商無法預(yù)付貨款并立即下單，短短數(shù)分鐘內(nèi)報價就可能大幅上漲。報道指出，當(dāng)前內(nèi)存市場已明顯分化：約 100 家頭部采購商憑借議價能力牢牢掌握貨源，而超過 19 萬家中小企業(yè)只能爭搶剩余的少量庫存。人工智能
關(guān)鍵字：內(nèi)存 DRAM NAND

NAND閃存供應(yīng)緊張群聯(lián)電子要求客戶縮短賬期并預(yù)付貨款

NAND 閃存供應(yīng)商的經(jīng)營壓力，終于傳導(dǎo)至群聯(lián)電子。就在幾周前，群聯(lián)電子首席執(zhí)行官還透露，已有至少一家 NAND 閃存晶圓代工廠要求客戶預(yù)付貨款。如今，這家企業(yè)自身也難逃供應(yīng)緊張帶來的壓力。據(jù)《電子時報》亞洲版報道，群聯(lián)電子已開始要求旗下客戶采用預(yù)付貨款或縮短付款周期的結(jié)算方式。群聯(lián)電子在致客戶的信函中表示，“核心供應(yīng)商近期已調(diào)整付款要求，改為預(yù)付貨款或縮短付款周期”，而公司 “在過去一段時間里，一直為客戶的訂單提供資金支持”。這意味著，群聯(lián)電子此前已向部分 NAND 閃存供應(yīng)商支付了預(yù)付款，如今不得不將
關(guān)鍵字： NAND 閃存群聯(lián)電子

三星終結(jié)2D NAND 時代戰(zhàn)略轉(zhuǎn)向錨定 AI 時代高利潤賽道

當(dāng)三星在HBM4時代彎道超車，重新獲得英偉達(dá)的青睞并可能承接最大份額訂單，低利潤的2D NAND就成為產(chǎn)能重構(gòu)下的棄子。 2026 年 2 月末，三星電子宣布將關(guān)停其韓國華城工廠 12 號線的 2D NAND 閃存生產(chǎn) —— 這是三星最后一條 2D NAND 產(chǎn)線，此舉標(biāo)志著自 2002 年開啟的平面閃存量產(chǎn)時代正式落幕。這座月產(chǎn)能達(dá) 8 萬至 10 萬片 12 英寸晶圓的產(chǎn)線，將于 2026 年 3 月正式停工并改造為 1C DRAM 后道封測廠，聚焦 DRAM 布線等核心后道工序。這場產(chǎn)能調(diào)
關(guān)鍵字：三星 HBM4 2D NAND AI

存儲芯片價格持續(xù)攀升，DRAM和NAND再創(chuàng)新高

據(jù)市場研究公司DRAMeXchange于2月27日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，DRAM和NAND閃存芯片的價格繼續(xù)同步上漲，其中DRAM價格再次創(chuàng)下歷史新高，達(dá)到13美元，而NAND閃存價格漲幅超過33%。自去年4月以來，通用DRAM價格已連續(xù)11個月上漲。數(shù)據(jù)顯示，2月份通用PC DRAM產(chǎn)品（DDR4 8Gb 1Gx8）的平均固定交易價格為13.00美元，較上月的11.50美元上漲了13.04%。這一價格創(chuàng)下自2016年6月開始該項調(diào)查以來的最高紀(jì)錄。TrendForce分析指出，PC DRAM價格較上一季度上漲
關(guān)鍵字：存儲芯片 DRAM NAND TrendForce

存儲價格將繼續(xù)上漲

隨著AI服務(wù)的進(jìn)步，需求不斷增長，而供應(yīng)仍然有限，分析師預(yù)計今年內(nèi)存價格的上漲趨勢將持續(xù)。一些人認(rèn)為，市場已經(jīng)進(jìn)入了供應(yīng)商主導(dǎo)的階段。目前，SK海力士的DRAM和NAND庫存已降至約四周的供應(yīng)量。穩(wěn)健的庫存管理和緊張的供需環(huán)境有利于就長期合同進(jìn)行磋商，DRAM相對于需求的短缺也可能有利于2027年HBM業(yè)務(wù)的擴(kuò)張。SK海力士認(rèn)為，在AI客戶強(qiáng)勁需求的推動下，當(dāng)前的內(nèi)存價格上漲趨勢可能貫穿全年。雖然PC和移動用戶可能因價格大幅上漲而降低配置（despeccing），這可能會抑制需求，但由于供應(yīng)擴(kuò)張能力有限，
關(guān)鍵字：存儲 NAND DRAM SK海力士

群聯(lián)預(yù)警：2026 NAND閃存短缺將沖擊消費(fèi)電子產(chǎn)業(yè)

群聯(lián)電子（Phison）首席執(zhí)行官潘健成（K.S. Pua Khein-Seng）發(fā)出警告，2026 年即將到來的 NAND 閃存短缺可能嚴(yán)重擾亂甚至?xí)簳r中斷部分消費(fèi)電子供應(yīng)鏈。他在近期發(fā)言中指出，存儲芯片產(chǎn)能正日益向人工智能（AI）基礎(chǔ)設(shè)施傾斜，導(dǎo)致消費(fèi)電子原始設(shè)備制造商（OEM）在供貨穩(wěn)定性和采購成本上面臨雙重擠壓。2026 年 NAND 短缺：群聯(lián)為何拉響警報此次危機(jī)的核心不僅在于供給收緊，更在于采購條款的顯著惡化。潘健成透露，至少有一家晶圓代工廠要求客戶為產(chǎn)能支付三年期預(yù)付現(xiàn)金。若情況屬實，如此高
關(guān)鍵字：群聯(lián) NAND 閃存短缺消費(fèi)電子

長江存儲進(jìn)入加速期，三期項目計劃今年建成投產(chǎn)

近日，長江存儲三期項目正在安裝巨型潔凈廠房設(shè)備，項目負(fù)責(zé)人透露，計劃今年建成投產(chǎn)。湖北省委書記王忠林來到長江存儲三期項目建設(shè)現(xiàn)場三期擴(kuò)產(chǎn)與未來目標(biāo)長江存儲成立于2016年7月，是我國存儲芯片制造領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，主要為市場提供3D NAND閃存晶圓及顆粒，嵌入式存儲芯片以及消費(fèi)級、企業(yè)級固態(tài)硬盤等產(chǎn)品和解決方案。2021年12月，長江存儲二期科技有限責(zé)任公司成立，注冊資本600億元。2025年9月，長存三期（武漢）集成電路有限責(zé)任公司成立，注冊資本達(dá)207.2億元?——?由長江存儲持股5
關(guān)鍵字：長江存儲半導(dǎo)體 3D NAND 晶棧 Xtacking

長江存儲首個LPDDR5工程品送樣 NAND撐起國產(chǎn)

存儲器缺貨嚴(yán)峻持續(xù)擴(kuò)大，供應(yīng)鏈傳出，隨著國際存儲器原廠快速傾斜至服務(wù)器市場，導(dǎo)致消費(fèi)性、汽車市場等將首當(dāng)其沖，國內(nèi)NAND Flash領(lǐng)導(dǎo)大廠長江存儲傳將被賦予關(guān)鍵的維穩(wěn)大任，優(yōu)先支持中國特定產(chǎn)業(yè)與應(yīng)用，確保內(nèi)需供應(yīng)鏈穩(wěn)定，以避免發(fā)生斷供、企業(yè)裁員的惡性沖擊。供應(yīng)鏈人士也透露，長江存儲已不滿足于僅作為3D NAND的中國領(lǐng)頭羊，近來低調(diào)切入DRAM與高帶寬記憶體（HBM）技術(shù)領(lǐng)域，日前更已完成LPDDR5工程樣品開發(fā)，預(yù)計2026年下半啟動的武漢三期新廠，近期已經(jīng)封頂，并將以DRAM為擴(kuò)產(chǎn)重心。隨著在產(chǎn)
關(guān)鍵字：長江存儲 LPDDR5 NAND

卷翻內(nèi)存市場中國存儲廠商加速擴(kuò)張產(chǎn)能

全球存儲器市場爆發(fā)缺貨潮，NAND閃存大廠長江存儲傳出以「史無前例」的速度擴(kuò)張產(chǎn)能，原定于2027年量產(chǎn)的武漢新廠已大幅提前，最快將在今（2026）年下半年正式投產(chǎn)。此舉是否對臺廠旺宏、南亞科、群聯(lián)等帶來競爭壓力，后續(xù)發(fā)展備受市場關(guān)注。長江存儲祭彎道超車奇招朝鮮日報英文版《The Chosun Daily》報道，長江存儲武漢三廠于2025年9月動工，原先預(yù)估須待2027年才具備正式量產(chǎn)條件。然而，當(dāng)?shù)匕雽?dǎo)體業(yè)界人士透露，長江存儲近期已密集下達(dá)NAND Flash生產(chǎn)設(shè)備采購訂單，并同步進(jìn)行工廠啟動與產(chǎn)
關(guān)鍵字：內(nèi)存存儲廠商 NAND 閃存長江存儲

240億美元，美光加碼NAND產(chǎn)線

美光新加坡工廠預(yù)計將于 2028 年下半年投產(chǎn)晶圓。
關(guān)鍵字：美光 NAND

240億美元！美光擴(kuò)建新加坡NAND晶圓廠

隨著全球人工智能浪潮推動資料中心硬體需求激增，美國，存儲芯片巨頭美光科技（Micron Technology）宣布將在新加坡投入高達(dá)240億美元，用于建設(shè)一座全新的先進(jìn)半導(dǎo)體制造工廠，以擴(kuò)大其NAND Flash的生產(chǎn)能力，預(yù)計將于2028年下半年投產(chǎn)。據(jù)了解，美光科技此次宣布在新加坡建設(shè)的新工廠選址位于美光在兀蘭（Woodlands）現(xiàn)有的制造園區(qū)內(nèi)，240億美元的投資額將在未來10年內(nèi)分階段完成，預(yù)計將新增70萬平方英尺的無塵室（cleanroom）空間，并聚焦NAND Flash芯片的生產(chǎn)。值得一提
關(guān)鍵字：美光科技 NAND 晶圓廠

上調(diào)100%！存儲市場又一重磅調(diào)價信號

三星今年第一季度對NAND閃存的供應(yīng)合約價格已上調(diào)超過100%，目前客戶已收到通知。據(jù)行業(yè)知情人士透露，三星去年底已經(jīng)完成了與主要客戶的供應(yīng)合同談判，從一月起正式實施新的價格體系。另外，SK海力士也對NAND產(chǎn)品采取了類似的定價策略；存儲芯片大廠SanDisk也計劃在一季度將面向企業(yè)級的NAND價格上調(diào)100%。目前，三星已著手與客戶就第二季度的NAND價格進(jìn)行新一輪談判，市場普遍預(yù)計價格上漲的勢頭將在第二季度延續(xù)。市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce的數(shù)據(jù)顯示，去年第四季度NAND閃存價格漲幅為上一季度的3
關(guān)鍵字：存儲 NAND DRAM 三星 SK海力士

三星、SK海力士聯(lián)手減產(chǎn)，NAND閃存或進(jìn)入新一輪漲價周期

援引市場研究機(jī)構(gòu)Omdia的最新調(diào)研成果披露，合計占全球NAND產(chǎn)能60%以上的兩大原廠三星電子和SK海力士，今年將縮減在閃存上的晶圓投片量，這可能會進(jìn)一步加劇NAND供應(yīng)的短缺。三星產(chǎn)量從2025年的490萬片縮減至468萬片，SK海力士則同步跟進(jìn)，產(chǎn)能從2025年的190萬片降至170萬片。在英偉達(dá)等公司引領(lǐng)的推理人工智能（AI）領(lǐng)域競爭日益激烈的背景下，作為關(guān)鍵組件的NAND閃存供應(yīng)緊張，增加了包括服務(wù)器、個人電腦和移動設(shè)備在內(nèi)的所有領(lǐng)域價格持續(xù)上漲的可能性。分析師預(yù)測，這將對三星電子和SK海力士的
關(guān)鍵字：三星 SK海力士 NAND 閃存

蘋果iPhone 18系列售價曝光：起步維持原價，大容量版本起飛

1 月 20 日消息，基于花旗集團(tuán)、美國銀行及摩根大通的分析報告，受 RAM 內(nèi)存和 NAND 閃存組件成本飆升影響，在 iPhone 18 系列售價方面，蘋果雖然會極力維持起步機(jī)型的發(fā)售價與前代持平，但在高存儲容量版本上，消費(fèi)者將面臨比以往更大的價格漲幅。Freedom Capital Markets 技術(shù)研究主管 Paul Meeks 分析認(rèn)為，全球科技企業(yè)對 AI 算力的狂熱需求，導(dǎo)致內(nèi)存市場供不應(yīng)求，這種短缺狀態(tài)預(yù)計將至少持續(xù)兩年。即便蘋果擁有強(qiáng)大的供應(yīng)鏈議價能力，也難以完全消化這部分上漲的物料清
關(guān)鍵字：蘋果iPhone 18 原價大容量版本 RAM 內(nèi)存 NAND 閃存

GigaDevice在香港上市：創(chuàng)始人押注中國記憶未來

中國芯片制造商GigaDevice成立于2005年，自稱是全球第二大SPI NOR閃存供應(yīng)商，于1月13日首次進(jìn)入香港市場。據(jù)EE Times China報道，該公司在IPO中發(fā)行了2892萬股H股。此次發(fā)行價格為每股162港元，據(jù)報道籌集資金高達(dá)46.84億港元（約合6億美元）。值得一提的是，新浪引用 chidu.com 強(qiáng)調(diào)，GigaDevice既是國內(nèi)DRAM巨頭CXMT的股東，也是其姊妹公司，兩家公司均由同一位企業(yè)家朱怡明創(chuàng)立。正如36Kr之前報道，2022年至2024年間，GigaDevice累
關(guān)鍵字： NAND 香港存儲