EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
1d dram
1d dram 文章 最新資訊
適用于DRAM和處理器的3D堆棧集成
- 東京科學(xué)研究所在 IEEE電子元件和技術(shù)會(huì)議 ECTC 上透露了其 BBCube 3D 集成流程的進(jìn)展。“這些新技術(shù)可以幫助滿(mǎn)足高性能計(jì)算應(yīng)用的需求，這些應(yīng)用需要高內(nèi)存帶寬和低功耗以及降低電源噪聲，”該研究所表示。BBCube 結(jié)合使用晶圓上晶圓 （WOW） 和晶圓上芯片 （COW） 技術(shù)，將處理器堆疊在一堆超薄 DRAM 芯片上。將處理器放在頂部有助于散熱，而該研究所的面朝下的 COW 工藝最初是為了擺脫焊接互連而開(kāi)發(fā)的，而是在室溫下使用噴墨選擇性粘合劑沉積。用于 300mm 晶圓，實(shí)現(xiàn)了 10μm 的
- 關(guān)鍵字： DRAM 處理器 3D堆棧集成
臺(tái)灣地區(qū)的 DRAM 供應(yīng)商南亞科技據(jù)報(bào)道暫停 DDR4 現(xiàn)貨價(jià)格報(bào)價(jià)，庫(kù)存緊張
- 隨著三星和美光等主要內(nèi)存制造商減少 DDR4 生產(chǎn)并價(jià)格上漲，據(jù)報(bào)道，臺(tái)灣地區(qū)的主要供應(yīng)商南亞科技已暫停報(bào)價(jià)，這表明供應(yīng)緊張和需求增長(zhǎng)，據(jù)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道。行業(yè)消息人士進(jìn)一步解釋說(shuō)，報(bào)價(jià)暫停主要發(fā)生在現(xiàn)貨市場(chǎng)，而在合同市場(chǎng)，供應(yīng)商正在囤積庫(kù)存并穩(wěn)步推高價(jià)格。TrendForce 的最新調(diào)查發(fā)現(xiàn)，由于兩大主要 DRAM 供應(yīng)商減少 DDR4 生產(chǎn)以及買(mǎi)家在美國(guó)關(guān)稅變化前加速采購(gòu)，服務(wù)器和 PC 的 DDR4 合同價(jià)格預(yù)計(jì)將在 2025 年第二季度大幅上漲。因此，服務(wù)器 DDR4 合同價(jià)格預(yù)計(jì)環(huán)比將上漲
- 關(guān)鍵字： DRAM 存儲(chǔ) 市場(chǎng)分析
DDR4瘋狂漲價(jià)，DRAM廠商爆賺
- 據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，由于DDR4供應(yīng)減少，再加上市場(chǎng)神秘買(mǎi)家大舉出手掃貨，最新的8Gb/16Gb DDR4 DRAM現(xiàn)貨價(jià)等規(guī)格單日都暴漲近8%。本季以來(lái)報(bào)價(jià)已翻漲一倍以上，不僅跨過(guò)DRAM廠損益平衡點(diǎn)，更達(dá)到讓廠商暴賺的水平。如今DDR4不僅報(bào)價(jià)大漲，甚至比更高規(guī)格的DDR5報(bào)價(jià)更高，呈現(xiàn)“價(jià)格倒掛”，業(yè)界直言：“至少十年沒(méi)看過(guò)現(xiàn)貨價(jià)單日漲幅這么大。”根據(jù)DRAM專(zhuān)業(yè)報(bào)價(jià)網(wǎng)站DRAMeXchange最新報(bào)價(jià)顯示，6月13日晚間DDR4現(xiàn)貨價(jià)全面暴漲，DDR4 8Gb（1G×8）3200大漲7.8%，
- 關(guān)鍵字： DDR4 DRAM 三星 美光 南亞科技 華邦電子 HBM
英特爾+軟銀聯(lián)手劍指HBM
- 美國(guó)芯片巨頭英特爾已與日本科技和投資巨頭軟銀攜手，合作開(kāi)發(fā)一種堆疊式DRAM解決方案，以替代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）。據(jù)報(bào)道，雙方已合資成立新公司Saimemory共同打造原型產(chǎn)品，該項(xiàng)目將利用英特爾的芯片堆疊技術(shù)以及東京大學(xué)持有的數(shù)據(jù)傳輸專(zhuān)利，軟銀則以30億日元注資成為最大股東（總投資約100億日元）。該合作計(jì)劃于2027年完成原型開(kāi)發(fā)并評(píng)估量產(chǎn)可行性，目標(biāo)是在2030年前實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。Saimemory將主要專(zhuān)注于芯片的設(shè)計(jì)工作以及專(zhuān)利管理，而芯片的制造環(huán)節(jié)則將交由外部代工廠負(fù)責(zé)這種分工模式有助于充分發(fā)揮
- 關(guān)鍵字： 英特爾 軟銀 HBM DRAM 三星 SK海力士
三星考慮進(jìn)行大規(guī)模內(nèi)部重組
- 據(jù)韓媒SEDaily報(bào)道，三星半導(dǎo)體部門(mén)（即DS設(shè)備解決方案部）正對(duì)系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)的組織運(yùn)作方式的調(diào)整計(jì)劃進(jìn)行最終審議，相關(guān)決定將在不久后公布。預(yù)計(jì)在由副董事長(zhǎng)鄭鉉鎬和DS部門(mén)負(fù)責(zé)人全永鉉做出最終決定之前，還將進(jìn)行更多高層討論，并聽(tīng)取董事長(zhǎng)李在镕的意見(jiàn)。系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)主要負(fù)責(zé)芯片設(shè)計(jì)，在三星半導(dǎo)體體系中承擔(dān)著為移動(dòng)業(yè)務(wù)（MX）部門(mén)開(kāi)發(fā)Exynos手機(jī)SoC的核心任務(wù)。然而，近年來(lái)Exynos 2x00系列應(yīng)用處理器在三星Galaxy S/Z系列高端智能手機(jī)中的采用率明顯下降，不僅削弱了MX部門(mén)的利潤(rùn)空間，
- 關(guān)鍵字： 三星 HBM LSI DRAM 半導(dǎo)體 晶圓代工
DDR5上升趨勢(shì)放緩;DRAM價(jià)格在第三季度將適度上漲
- 根據(jù) TrendForce 集邦咨詢(xún)最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告，DRAM 方面，DDR5 價(jià)格已顯現(xiàn)放緩跡象，預(yù)計(jì) 25 年第三季度整體 DRAM 價(jià)格漲幅將有所緩和。至于 NAND 閃存，現(xiàn)貨價(jià)格在 2 月下旬以來(lái)上漲后已達(dá)到相對(duì)較高的水平，購(gòu)買(mǎi)勢(shì)頭現(xiàn)在正在降溫。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格：與 DDR4 產(chǎn)品相比，DDR5 產(chǎn)品仍然會(huì)出現(xiàn)小幅現(xiàn)貨價(jià)格上漲。然而，DDR5 產(chǎn)品的平均現(xiàn)貨價(jià)格已經(jīng)相當(dāng)高，在某些情況下甚至高于合同價(jià)格。因此，上升趨勢(shì)最近有所緩和。組件公司和現(xiàn)貨交易員仍然更愿意接受 DDR4
- 關(guān)鍵字： DDR5 DRAM
Neo Semiconductor將IGZO添加到3D DRAM設(shè)計(jì)中
- 存儲(chǔ)設(shè)備研發(fā)公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術(shù)的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發(fā)布。Neo 表示，它已經(jīng)開(kāi)發(fā)了一個(gè)晶體管、一個(gè)電容器 （1T1C） 和三個(gè)晶體管、零電容器 （3T0C） X-DRAM 單元，這些單元是可堆疊的。該公司表示，TCAD 仿真預(yù)測(cè)該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn) 10ns 的讀/寫(xiě)速度和超過(guò) 450 秒的保持時(shí)間，芯片容量高達(dá) 512Gbit。這些設(shè)計(jì)的測(cè)試芯片預(yù)計(jì)將于 2026 年推出
- 關(guān)鍵字： Neo Semiconductor IGZO 3D DRAM
三星因關(guān)稅前囤積而提高DRAM價(jià)格，DDR4上漲20%
- 在特朗普加征關(guān)稅之前囤積數(shù)據(jù)推動(dòng)的 DRAM 需求激增似乎是真實(shí)的。據(jù)韓國(guó) Etnews 報(bào)道，三星一年多來(lái)首次提高了 DRAM 價(jià)格，其中 DDR4 的漲幅最大。該報(bào)告表明，三星在 5 月初與主要客戶(hù)敲定了新的定價(jià)條款，已將 DDR4 價(jià)格提高了約 20%。與此同時(shí)，該報(bào)告補(bǔ)充說(shuō)，DDR5 價(jià)格的漲幅較小，約為 5%。三星第二季度利潤(rùn)或?qū)⒌玫教嵴裰档米⒁獾氖牵珽tnews 表示，由于 DRAM 價(jià)格是以數(shù)月為基礎(chǔ)進(jìn)行談判的，因此最近的上漲預(yù)計(jì)將在一段時(shí)間內(nèi)支持盈利能力，從而為三星第二
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM DDR4
撐不住, SK海力士DRAM漲12%
- 全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)近期出現(xiàn)顯著價(jià)格上漲，消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)器產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)攀升。 根據(jù)最新市場(chǎng)動(dòng)態(tài)，SK海力士消費(fèi)級(jí)DRAM顆粒價(jià)格已上漲約12%，落實(shí)先前市場(chǎng)的漲價(jià)傳言。美商威騰旗下品牌SanDisk則于先前發(fā)布NAND Flash價(jià)格上調(diào)通知，自4月1日起，對(duì)所有通路商及零售客戶(hù)的產(chǎn)品實(shí)施價(jià)格調(diào)整，漲幅將超過(guò)10%。市場(chǎng)分析人士指出，存儲(chǔ)器價(jià)格近期上漲主要受到全球供應(yīng)鏈瓶頸、晶圓產(chǎn)能限制及美系客戶(hù)急拉貨的影響。特別是人工智能、云端運(yùn)算及5G技術(shù)的快速發(fā)展，持續(xù)推動(dòng)了對(duì)高性能內(nèi)存的強(qiáng)勁需求，存儲(chǔ)器國(guó)際大廠集中資源，生
- 關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM
三星電子將引入VCT技術(shù)，未來(lái)2到3年推出新型DRAM產(chǎn)品
- 據(jù)最新消息，三星電子已制定明確的技術(shù)路線圖，計(jì)劃在第7代10nm級(jí)DRAM內(nèi)存工藝（1d nm）后引入VCT垂直通道晶體管技術(shù)。相關(guān)產(chǎn)品預(yù)計(jì)將在未來(lái)2到3年內(nèi)問(wèn)世。在規(guī)劃下一代DRAM工藝時(shí)，三星電子曾面臨兩種選擇：1e nm工藝和VCT DRAM技術(shù)。經(jīng)過(guò)深入研究和對(duì)比，三星最終選擇了VCT DRAM技術(shù)。相較于1e nm，VCT技術(shù)在性能和效率方面表現(xiàn)更優(yōu)。為加快研發(fā)進(jìn)度，三星電子還將原1e nm的先行研究團(tuán)隊(duì)并入1d nm研發(fā)團(tuán)隊(duì)，集中力量推進(jìn)1d nm工藝的開(kāi)發(fā)。VCT DRAM技術(shù)是一種新型存儲(chǔ)
- 關(guān)鍵字： 三星電子 VCT DRAM
高速數(shù)據(jù)中心蓬勃發(fā)展，DRAM內(nèi)存接口功不可沒(méi)
- 高性能人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心正在以前所未有的方式重塑半導(dǎo)體設(shè)計(jì)版圖和投資方向。早在2022年，AI基礎(chǔ)設(shè)施方面的支出規(guī)模就已接近150億美元。而今年這一數(shù)字可能輕松突破600億美元大關(guān)。沒(méi)錯(cuò)，“吸金”，各種資金正從各種投資計(jì)劃中向數(shù)據(jù)中心涌入。顯然，我們正處在一個(gè)人工智能資本支出空前高漲的時(shí)代——盡管DeepSeek等新入局者的潛在影響尚難以被準(zhǔn)確估量。但不可否認(rèn)的是，就在英偉達(dá)（Nvidia）、AMD等公司的高性能計(jì)算（HPC）處理器成為行業(yè)焦點(diǎn)的同時(shí)，用于存儲(chǔ)訓(xùn)練和推理模型的高帶寬內(nèi)存同樣迎來(lái)了屬于
- 關(guān)鍵字： 數(shù)據(jù)中心 DRAM
SK海力士首度超越三星！拿下DRAM季度營(yíng)收第一：HBM市占率高達(dá)70%
- 4月9日消息，根據(jù)Counterpoint Research的2025年第一季度內(nèi)存追蹤報(bào)告，SK海力士首次超越三星電子，以36%的市占率成為全球DRAM營(yíng)收的領(lǐng)導(dǎo)者。在2025年第一季度，SK海力士的DRAM營(yíng)收市占率達(dá)到36%，而三星電子緊隨其后，市占率為34%，美光則以25%的市占率位列第三，其他廠商合計(jì)占據(jù)剩余的5%。SK海力士預(yù)期，營(yíng)收與市占率的增長(zhǎng)至少會(huì)持續(xù)到下一季度，其還表示，公司在關(guān)鍵的HBM市場(chǎng)占有率高達(dá)70%。Counterpoint Research資深分析師Jeongku Choi
- 關(guān)鍵字： SK海力士 三星 DRAM
美光、SK海力士跟隨中！三星對(duì)內(nèi)存、閃存產(chǎn)品提價(jià)3-5%：客戶(hù)已開(kāi)始談判新合同
- 4月7日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道稱(chēng)，三星公司領(lǐng)導(dǎo)層將對(duì)主要全球客戶(hù)提高內(nèi)存芯片價(jià)格——從當(dāng)前水平提高3-5%。在三星看來(lái)，“需求大幅增長(zhǎng)”導(dǎo)致DRAM、NAND閃存和HBM產(chǎn)品組合的價(jià)格上漲，預(yù)計(jì)2025年和2026年價(jià)格都會(huì)上漲。一位不愿透露姓名的半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士表示：去年全年供應(yīng)過(guò)剩，但隨著主要公司開(kāi)始減產(chǎn)，供應(yīng)量最近有所下降，目前三星漲價(jià)后部分新合同的談判已然啟動(dòng)。此外，人工智能 (AI) 設(shè)備在中國(guó)接連出現(xiàn)，由于工業(yè)自動(dòng)化，對(duì)半導(dǎo)體的需求正在逐漸增加。市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange給出的統(tǒng)計(jì)顯示，
- 關(guān)鍵字： 內(nèi)存 DRAM NAND HBM 三星 美光 SK海力士
下游客戶(hù)庫(kù)存去化順利，預(yù)計(jì)2Q25 DRAM價(jià)格跌幅將收斂
- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新調(diào)查，2025年第一季下游品牌廠大都提前出貨因應(yīng)國(guó)際形勢(shì)變化，此舉有助供應(yīng)鏈中DRAM的庫(kù)存去化。展望第二季，預(yù)估Conventional DRAM（一般型DRAM）價(jià)格跌幅將收斂至季減0%至5%，若納入HBM計(jì)算，受惠于HBM3e 12hi逐漸放量，預(yù)計(jì)均價(jià)為季增3%至8%。PC DRAM、Server DRAM價(jià)格皆持平上季因應(yīng)國(guó)際形勢(shì)變化，各主要PC OEM要求ODM提高整機(jī)組裝量，將加速去化OEM手中的DRAM庫(kù)存。為確保2025年下半年產(chǎn)線供料穩(wěn)定，庫(kù)存水
- 關(guān)鍵字： TrendForce 集邦咨詢(xún) DRAM
美光1γ DRAM開(kāi)始出貨，用上了EUV
- 美光經(jīng)過(guò)多代驗(yàn)證的 DRAM 技術(shù)和制造策略促成了這一優(yōu)化的 1γ節(jié)點(diǎn)的誕生。
- 關(guān)鍵字： 美光1γ DRAM
1d dram介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條1d dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)1d dram的理解，并與今后在此搜索1d dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)1d dram的理解，并與今后在此搜索1d dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
1d dram相關(guān)帖子
1d dram資料下載
1d dram專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473