- 最近幾個月以來，隨著通貨膨脹的沖擊以及經濟前景不明朗等因素的影響，消費電子產品市場的需求正迅速放緩，無論是智能手機、PC還是電視等產品，銷量都出現了不同程度的下滑。因應市場環境的變化，各大廠商也開始對生產進行調整。據DigiTimes報道，英偉達、AMD和蘋果都打算修改在臺積電（TSMC）的訂單。英偉達正面臨顯卡市場過度飽和的狀況，以及下一代GPU需求下降的問題，正考慮削減基于Ada Lovelace架構的GeForce RTX 40系列GPU的訂單。目前英偉達的合作伙伴還有大量GeForce RTX 3
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- 芯研所6月29日消息，據DigiTimes的消息稱，臺積電將生產M2 Pro和M3芯片，這兩款芯片將采用臺積電最新3nm工藝技術。蘋果已經預定臺積電3nm工藝產能，專門為生產M2 Pro和M3芯片，其性能相比上代會更強。按照臺積電之前公布的計劃，將于2022年下半年開始量產3nm芯片。如果消息屬實的話，那么M2 Max芯片自然也會升級至3nm工藝，最后自然還有 M2 Ultra。M1系列芯片都是采用5nm工藝，而已經發布的M2芯片也是5nm，這多少會讓外界懷疑M2 Pro和M2 Max芯片是否真的會用3n
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- 你還記得英特爾第一次成為全球半導體銷售第一是哪一年么？筆者查閱了資料，應該是1992年，那一年英特爾終于超越了日本巨頭NEC占據了半導體的頭把交椅，而這一坐就是24年。直到2017年三星憑借存儲器價格高漲連奪兩年第一后，2019年又被英特爾重新奪回，不過2021年三星再次依靠存儲行業的暴漲拿回了領頭羊位置，而到2022年年終結算的時候，英特爾可能不僅保不住第一的位置，甚至連第二的位置都很難守住。因為按照中國臺灣媒體的報道，臺積電（TSMC）依靠快速增長的營收，正在無限逼近英特爾，很有可能在三季度實現在營收
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- 據臺媒經濟日報報道，臺積電營收最快將于本季首度追上英特爾，成為僅次于三星的全球第二大半導體廠，并在第三季度傳統旺季進一步拉開差距。
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- 獲得臺積電技術認證的西門子EDA 產品包括 Calibre?nmPlatform——用于 IC 簽核的領先物理驗證解決方案；以及 Analog FastSPICE? 平臺——專為納米級模擬、射頻（RF）、混合信號、存儲器和定制數字電路提供快速電路驗證。這兩個產品系列目前均已獲得臺積電 N4P 和 N3E 工藝認證。作為臺積電 N3E 工藝的定制設計參考流程 (CDRF) 的一部分，Analog FastSPICE 平臺還可支持可靠性感知仿真，包括老化、實時自熱效應和高級可靠性功能。 Calibr
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- 晶圓代工龍頭臺積電總裁魏哲家24日出席「臺積電日本3DIC研究開發中心」開幕啟用典禮，日本經濟產業相萩生田光一亦出席致詞。該中心由臺積電設立，并與揖斐電（Ibiden）、新光電氣、信越化學等日本逾20家廠商合作，總投資金額達370億日圓，日本政府透過新能源及產業技術統合開發機構（NEDO）出資190億日圓。臺積電在日本茨城縣筑波市產業技術總合研究所設立的臺積電日本3DIC研究開發中心24日開幕啟用，由于日本已開放臺灣人士以商務簽證入境且免隔離，魏哲家與臺積電先進封裝技術暨服務副總經理廖德堆一同出席，說明臺
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- 是德科技（Keysight Technologies Inc.） 是推動全球企業、服務供應商和政府機構網路連接與安全創新的技術領導廠商，該公司日前宣布其 Keysight PathWave RFPro 與新思科技（Synopsys）定制化編譯器設計環境已完成整合，以便支持臺積電（TSMC）最新的 6 納米 RF（N6RF）設計參考流程。對于集成電路（IC）設計人員來說，EDA 工具和設計方法至關重要。最新的 TSMC N6RF 設計參考流程，為設計人員提供重要指引，使其能夠利用臺積電先進的 N6RF 互補
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- 隨著雙寡頭拉起的3nm制程競賽，未來行業內的晶圓代工訂單勢必將向這兩家公司進一步集中，由于半導體行業極度依賴規模效應，未來晶圓代工這個行業也很難再有新的挑戰者出現。
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- 近日，由臺積電在日本九州熊本縣的晶圓廠獲得了日本官方給予的4760億日元（折合人民幣約237億元）的補助。而這座工廠的計劃成本為1.1萬億日元，所以此次的補貼占據了投資計劃的43%。根據此前消息，臺積電計劃該工廠與2024年12月開始投產，預計生產28nm~22nm制程工藝，未來可能會升級到12nm~16nm制程工藝。值得一提的是，雖然此次日本官方的補貼占據了投資計劃的43%，但臺積電依舊全資持有該工廠。
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- 在技術論壇上，臺積電首次全面公開了旗下的3nm及2nm工藝技術指標，相比3nm工藝，在相同功耗下，2nm速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%。 然而性能及功耗看著還不錯，但臺積電的2nm工藝在晶體管密度上擠牙膏，只提升了10%，按照摩爾定律來看的話，新一代工藝的密度提升是100%才行，實際中也能達到70-80%以上才能算新一代工藝。 臺積電沒有解釋為何2nm的密度提升如此低，很有可能跟使用的納米片電晶體管（Nanosheet）技術有關，畢竟這是新一代晶體管結構，考驗很多。 密度提
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- 日前，臺積電全面公開了旗下的3nm及2nm工藝技術指標，相比3nm工藝，在相同功耗下，2nm速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%。性能及功耗看著還不錯，但臺積電的2nm工藝在晶體管密度上擠牙膏，只提升了10%，按照摩爾定律來看的話，新一代工藝的密度提升是100%才行，實際中也能達到70-80%以上才能算新一代工藝。臺積電沒有解釋為何2nm的密度提升如此低，很有可能跟使用的納米片電晶體管（Nanosheet）技術有關，畢竟這是新一代晶體管結構，考驗很多。
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臺積電 2nm
- 臺積電在北美技術論壇上公布了新的制程路線圖，定于2025年量產2nm工藝，其采用Nanosheet（納米片電晶體）的微觀結構，取代FinFET。期間，臺積電甚至規劃了5種3nm制程，包括N3、N3E、N3P、N3S和N3X，要在2025年前將成熟和專業化制程的產能提高50%，包括興建更多的晶圓廠。顯然，作為產能提升以及興建晶圓廠的關鍵核心設備，EUV光刻機少不了要采購一大批。臺積電表示，計劃在2024年引入ASML的新一代EUV極紫外光刻機。此前，Intel曾說自己是第一個訂購ASML下一代EUV光刻機的
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- 6月17日消息，據外媒報道，臺積電高管周四表示，該公司將在2024年引入荷蘭廠商阿斯麥的最新一代光刻機。 臺積電研發高級副總裁米玉杰在硅谷舉行的技術研討會上表示，“展望未來，臺積電將在2024年引入高數值孔徑的極紫外光刻機，為的是開發客戶所需相關基礎設施和模式解決方案，進一步推動創新。” 米玉杰并未透露新一代光刻機引入后何時用于大規模生產芯片。阿斯麥推出的第二代極紫外線光刻機能用于制造尺寸更小、處理速度更快的芯片。臺積電競爭對手英特爾公司此前表示，將在2025年之前開始使用新一代光刻機生產芯片，并
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- 晶圓代工龍頭臺積電積極擴建3奈米及更先進制程晶圓廠，同時擴大后段封測廠投資，除了看好5G及高效能運算（HPC）芯片采用InFO或CoWoS等先進封裝技術已成主流趨勢，也預期3DIC封裝架構能夠延續摩爾定律。臺積電加強供應鏈本土化并擴大后段設備采購，包括萬潤、辛耘、弘塑、鈦升等業者直接受惠。臺積電在先進制程及先進封裝的投資齊頭并進。在晶圓廠投資部份，Fab 18廠已完成3奈米前期產能建置，并完成支持HPC運算及智能型手機應用的完整平臺，為下半年量產做好準備。臺積電2奈米晶圓廠Fab 20建廠計劃已啟動，并采
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臺積電
- 據國外媒體報道，推進3nm制程工藝今年下半年量產的臺積電，在更先進的2nm制程工藝的研發方面已取得重大進展，預計在明年年中就將開始風險試產 ——?也就意味著臺積電2nm制程工藝距量產又更近了一步。業界估計，臺積電2nm試產時間點最快在2024年，并于2025年量產，之后再進入1nm以及后續更新世代的“埃米”制程。臺積電去年底正式提出中科擴建廠計劃，設廠面積近95公頃，總投資金額達8000億至10000億元新臺幣，初期可創造4500個工作機會。以投資規模及近百公頃設廠土地面積研判，除了規劃2nm廠
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