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臺(tái)積電、1nm
臺(tái)積電、1nm 文章 最新資訊
臺(tái)積電全球化的隱憂
- 臺(tái)積電在歐洲、日本的新廠都傳來(lái)了新消息。11 月 21 日,有媒體報(bào)道臺(tái)積電考慮在熊本建造第三工廠,生產(chǎn)制程 3 納米芯片。預(yù)計(jì)相關(guān)投資額約達(dá) 200 億美元。臺(tái)積電目前正在熊本縣建設(shè)第一工廠,預(yù)計(jì)生產(chǎn) 12 納米的半導(dǎo)體等。不久前,11 月初德國(guó)聯(lián)邦反壟斷局批準(zhǔn)臺(tái)積電與德國(guó)半導(dǎo)體公司博世、英飛凌以及荷蘭半導(dǎo)體公司恩智浦成立合資公司。這標(biāo)志著臺(tái)積電在歐洲的第一座晶圓廠即將落地。作為一家代工廠,臺(tái)積電過(guò)去依靠的是規(guī)?;a(chǎn),壓低成本,進(jìn)而吸引客戶。在多年的積累中,臺(tái)積電在代工規(guī)模與代工技術(shù)兩個(gè)方面都已經(jīng)成為
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臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音計(jì)劃明年退休:或是受美國(guó)建廠影響
- 12月19日,臺(tái)積電官方宣布了一個(gè)非常突然和意外的消息:臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音將不再參加下一屆董事長(zhǎng)提名,并于明年股東大會(huì)后退休。同時(shí),臺(tái)積電提名現(xiàn)任CEO、副董事長(zhǎng)魏哲家接任董事長(zhǎng),最終以明年6月的董事會(huì)選舉結(jié)果為準(zhǔn)。2018年6月,臺(tái)積電創(chuàng)始人張忠謀正式退休,公司開(kāi)啟由劉德音任董事長(zhǎng)、魏哲家任總裁的“雙首長(zhǎng)制”時(shí)代。如果魏哲家未來(lái)接任董事長(zhǎng)后,繼續(xù)身兼總裁暨CEO的話,臺(tái)積電事權(quán)的“雙首長(zhǎng)制”時(shí)代將結(jié)束,而魏哲家也將成為臺(tái)積創(chuàng)立以來(lái),同時(shí)身兼兩要職的第二人。值得注意的是,張忠謀86歲才退休,而劉德音自20
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臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音明年退休,董事會(huì)建議魏哲家接任
- 12 月 19 日消息,臺(tái)積電今日發(fā)布公告,劉德音董事長(zhǎng)將不參與下屆董事提名,并將于明年股東大會(huì)后退休。從公告中獲悉,臺(tái)積電“提名及公司治理暨永續(xù)委員會(huì)”推薦副董事長(zhǎng)魏哲家博士接任下屆董事長(zhǎng),并將以明年六月下屆董事會(huì)選舉結(jié)果為主。劉德音博士于 1993 年加入臺(tái)積電,并在創(chuàng)辦人張忠謀博士于 2018 年退休后接任董事長(zhǎng)職位。在其董事長(zhǎng)任內(nèi),劉德音博士重申公司對(duì)其使命的承諾,并著重在強(qiáng)化公司治理及企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力,尤其是在技術(shù)領(lǐng)先、數(shù)字卓越及全球布局。臺(tái)積公司董事長(zhǎng)劉德音博士表示:“過(guò)去三十年在臺(tái)積電
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臺(tái)積電芯片奇跡難復(fù)制 BBC揭密:其他地方找不到這批「終極武器」
- 臺(tái)積電布局海外,廣受全球矚目,外界都在關(guān)注是否可以重現(xiàn)在中國(guó)臺(tái)灣打造的芯片奇跡。但外媒報(bào)導(dǎo)指出,中國(guó)臺(tái)灣成為「芯片超級(jí)巨星」之路并不容易復(fù)制,因?yàn)橹袊?guó)臺(tái)灣的終極秘密武器:大批技術(shù)精湛且吃苦耐勞的工程師,顯然難以在海外尋得。全球有超過(guò)一半以上芯片都是由中國(guó)臺(tái)灣生產(chǎn)。BBC特地專訪中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)先鋒、工研院院士史欽泰,試圖了解中國(guó)臺(tái)灣的成功秘訣。盡管BBC認(rèn)為沒(méi)有人確切知道中國(guó)臺(tái)灣擅長(zhǎng)芯片制造的原因,但史欽泰表示答案很簡(jiǎn)單,「我們擁有全新的機(jī)器、最先進(jìn)的設(shè)備,招募了最優(yōu)秀的工程師,就連機(jī)械操作員也都個(gè)個(gè)技
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臺(tái)積電2納米驚爆大弱點(diǎn)?三星搶訂單
- 臺(tái)積電為全球晶圓代工龍頭,后頭追兵三星與英特爾來(lái)勢(shì)洶洶,但臺(tái)積電在技術(shù)與訂單仍保持一定優(yōu)勢(shì),尤其三星至今在3納米方面,依然無(wú)法取得頂尖客戶的信任,三星高層也坦言,一旦臺(tái)積電在2納米轉(zhuǎn)進(jìn)GAA技術(shù),三星還是得向臺(tái)積電看齊學(xué)習(xí)。即使如此,三星也打算透過(guò)低價(jià)策略搶市,與臺(tái)積電做出差別。綜合外媒報(bào)導(dǎo),三星雖在3納米就開(kāi)始使用GAA技術(shù),量產(chǎn)時(shí)間也比臺(tái)積電早數(shù)個(gè)月,但在良率與技術(shù)上無(wú)法獲得客戶青睞,蘋(píng)果、輝達(dá)等科技巨頭的大單仍在臺(tái)積電手上,臺(tái)積電3納米沿用較舊的FinFET技術(shù)。三星不甘示弱,希望能在2納米領(lǐng)域上扭
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英特爾、三星和臺(tái)積電演示3D堆疊晶體管,三大巨頭現(xiàn)已能夠制造互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(CFET),擺脫摩爾定律的下一個(gè)目標(biāo)。
- 在本周的IEEE國(guó)際電子器件大會(huì)上,臺(tái)積電展示了他們對(duì)CFET(用于CMOS芯片的邏輯堆棧)的理解。 CFET是一種將CMOS邏輯所需的兩種類型的晶體管堆疊在一起的結(jié)構(gòu)。在本周的舊金山IEEE國(guó)際電子器件大會(huì)上,英特爾、三星和臺(tái)積電展示了他們?cè)诰w管下一次演變方面取得的進(jìn)展。芯片公司正在從自2011年以來(lái)使用的FinFET器件結(jié)構(gòu)過(guò)渡到納米片或全圍柵極晶體管。名稱反映了晶體管的基本結(jié)構(gòu)。在FinFET中,柵通過(guò)垂直硅鰭控制電流的流動(dòng)。在納米片器件中,該鰭被切割成一組帶狀物,每個(gè)帶狀物都被柵包圍。 CFET
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蘋(píng)果芯片制造商首次討論高度先進(jìn)的1.4納米芯片
- 2023年12月14日星期四,上午6:19,由Hartley Charlton提供,PST 臺(tái)積電(TSMC)正式提到了其1.4納米制造技術(shù),很可能將成為未來(lái)蘋(píng)果硅芯片的基礎(chǔ)。蘋(píng)果硅1特性 在其“未來(lái)邏輯”專題的幻燈片中(通過(guò)SemiAnalysis的Dylan Patel),TSMC首次披露了其1.4納米節(jié)點(diǎn)的官方名稱,“A14”。該公司的1.4納米技術(shù)預(yù)計(jì)將在其“N2” 2納米芯片之后推出。N2計(jì)劃于2025年底開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn),隨后將在2026年底推出增強(qiáng)版“N2P”節(jié)點(diǎn)。因此,任何A14芯片在2
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從2D到3D:半導(dǎo)體封裝工藝與DTCO
- 前言 在馬上要過(guò)去的2023年,全球的通貨膨脹伴隨消費(fèi)需求的下滑,2023年全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)預(yù)估將整體營(yíng)收同比下滑12.5%。但是在2024年,隨著多家機(jī)構(gòu)給出半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將觸底反彈的預(yù)測(cè),整個(gè)半導(dǎo)體晶圓代工市場(chǎng)將迎來(lái)成長(zhǎng),預(yù)估明年晶圓代工產(chǎn)業(yè)營(yíng)收將有6.4%的增幅。而長(zhǎng)期來(lái)看,半導(dǎo)體晶圓代工領(lǐng)域也是會(huì)總體保持增長(zhǎng)。未來(lái),芯片將越來(lái)越變得無(wú)處不在,價(jià)值越來(lái)越高,重要性也越來(lái)越高,在社會(huì)中逐漸變成引導(dǎo)社會(huì)變革的核心力量之一。就此臺(tái)積電中國(guó)區(qū)總經(jīng)理羅鎮(zhèn)球在ICCAD2023就表示:“整個(gè)半導(dǎo)體在200
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臺(tái)積電首次提及 1.4nm 工藝技術(shù),2nm 工藝按計(jì)劃 2025 年量產(chǎn)
- IT之家 12 月 14 日消息,臺(tái)積電在近日舉辦的 IEEE 國(guó)際電子器件會(huì)議(IEDM)的小組研討會(huì)上透露,其 1.4nm 級(jí)工藝制程研發(fā)已經(jīng)全面展開(kāi)。同時(shí),臺(tái)積電重申,2nm 級(jí)制程將按計(jì)劃于 2025 年開(kāi)始量產(chǎn)。圖源 Pexels根據(jù) SemiAnalysis 的 Dylan Patel 給出的幻燈片,臺(tái)積電的 1.4nm 制程節(jié)點(diǎn)正式名稱為 A14。IT之家注意到,目前臺(tái)積電尚未透露 A14 的量產(chǎn)時(shí)間和具體參數(shù),但考慮到 N2 節(jié)點(diǎn)計(jì)劃于 2025 年底量產(chǎn),N2P 節(jié)點(diǎn)則定于 2
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晶圓代工市場(chǎng)分析:三星與臺(tái)積電的差距進(jìn)一步擴(kuò)大
- 芯片需求的上漲對(duì)晶圓代工廠商的作用是顯而易見(jiàn)的,特別是對(duì)于依賴先進(jìn)制程的高性能芯片,7nm、5nm等制程的加持不僅讓性能有了飛躍的提升,在功耗的控制上也有更多的余地。對(duì)于大部分依賴先進(jìn)制程的芯片公司而言,從晶圓代工廠商中搶訂單已經(jīng)成為了頭等大事。當(dāng)然,對(duì)于晶圓廠商來(lái)說(shuō),決定先進(jìn)制程量產(chǎn)的光刻機(jī)也有著同樣的地位。特別是在進(jìn)入7nm、5nm之后,EUV光刻機(jī)的數(shù)量將直接決定能否持續(xù)取得市場(chǎng)領(lǐng)先地位。作為目前晶圓代工領(lǐng)域的兩大龍頭,臺(tái)積電和三星之間圍繞光刻機(jī)的競(jìng)爭(zhēng)已經(jīng)趨于白熱化。今年第三季度,晶圓代工龍頭臺(tái)積電
- 關(guān)鍵字: 晶圓 代工 三星 臺(tái)積電 英特爾
半導(dǎo)體巨頭競(jìng)相制造下一代"2nm"尖端芯片
- 臺(tái)積電、三星和英特爾爭(zhēng)奪“2nm”芯片,此舉將塑造5000億美元產(chǎn)業(yè)的未來(lái)。世界領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司正在競(jìng)相生產(chǎn)所謂的“2nm”處理器芯片,為下一代智能手機(jī)、數(shù)據(jù)中心和人工智能提供動(dòng)力。臺(tái)積電(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company)仍然是分析師最希望保持其在該行業(yè)全球霸主地位的公司,但三星電子(Samsung Electronics)和英特爾(Intel)已將該行業(yè)的下一個(gè)飛躍視為縮小差距的機(jī)會(huì)。幾十年來(lái),芯片制造商一直在尋求制造更緊湊的產(chǎn)品。芯片上的晶體管越小
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芯片訂單有逆轉(zhuǎn)之勢(shì),臺(tái)積電拉響警報(bào)
- 近日,三星晶圓代工業(yè)務(wù)陸續(xù)傳來(lái)好消息,首先,AMD 正在認(rèn)真考慮使用三星 4nm 制程產(chǎn)線量產(chǎn)新一代 CPU,這表明三星 4nm 工藝的技術(shù)和良率水平達(dá)到了一個(gè)新的高度,完全可以與臺(tái)積電 4nm 制程匹敵了。之前這些年,AMD 最新 CPU 產(chǎn)品從來(lái)沒(méi)有走出過(guò)臺(tái)積電的制程產(chǎn)線,三星 4nm 制程的提升,進(jìn)一步縮小了與臺(tái)積電的差距,也給后者增添了壓力。不止 AMD,本來(lái)都屬于臺(tái)積電的高性能計(jì)算(HPC)芯片和車用芯片大單,近期也在改變動(dòng)向,三星不斷接到 AI 芯片代工訂單,包括用于 AI 服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心的
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臺(tái)積電 CoWoS 月產(chǎn)能 2024Q1 要達(dá) 4 萬(wàn)片,三大因素將緩解先進(jìn)封裝產(chǎn)能吃緊情況
- IT之家 12 月 12 日消息,根據(jù)集邦咨詢最新報(bào)告,受到三星加入競(jìng)爭(zhēng)、臺(tái)積電提高產(chǎn)能,以及部分 CSP 更改設(shè)計(jì)這三大因素影響,將極大緩解先進(jìn)封裝產(chǎn)能供應(yīng)緊張情況。業(yè)界人士認(rèn)為,當(dāng)前全球 AI 芯片產(chǎn)能吃緊,其中最主要的原因是先進(jìn)封裝產(chǎn)能不足。而由于三大因素,先進(jìn)封裝產(chǎn)能荒的情況有望提前結(jié)束。三星加入競(jìng)爭(zhēng)在美光和 SK 海力士之外,三星正計(jì)劃推進(jìn) HBM 技術(shù)。三星公司通過(guò)加強(qiáng)和臺(tái)積電的合作,兼容 CoWoS 工藝,擴(kuò)大 HBM3 產(chǎn)品的銷售。三星于 2022 年加入臺(tái)積電 OIP 3DFa
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臺(tái)積電、1nm介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條臺(tái)積電、1nm!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)臺(tái)積電、1nm的理解,并與今后在此搜索臺(tái)積電、1nm的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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