- 擴大美國廠投資的臺積電,在美方催促下,正加快建廠與產能開出速度。 然而,市場連月來頻傳,此調整將影響日本與德國廠計劃,供應鏈業者證實,全球車市低迷,加上關稅沖擊難以預估,客戶下單轉趨保守,也因此,臺積電對于日本廠與德國廠的產能與建廠計畫,估將有所修正。對此,臺積電先前仍表示臺灣與海外投資計劃不變,董事長魏哲家近日也僅回應熊本二廠建置確實延宕,但主因是「塞車問題。」供應鏈業者則透露,在資金、人力排擠下,加上評估當地客戶釋單狀況,目前熊本一廠產能利用率應尚未達標,而德國廠興建與后續進機計劃,預估也將有所調整。
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臺積電
- Alphawave Semi 公司宣布其 UCIe IP 子系統在 TSMC N2 工藝上成功流片,支持 36G 芯片間數據傳輸速率。該 IP 與 TSMC 的 Chip-on-Wafer-on-Substrate (CoWoS)先進封裝技術完全集成,為下一代芯片 let 架構解鎖了突破性的帶寬密度和可擴展性。這一里程碑,基于 Alphawave Semi 最近發布的 AI 平臺,展示了其支持未來異構 SoC 和擴展超大規模 AI 和 HPC 工作負載的能力。通過這次流片,Alphawave Semi 成
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臺積電 N2
- 在技術驅動型產業中,半導體行業始終走在全球科技變革的最前沿。2024年,臺積電(TSMC)正式啟動2nm制程(N2)試產,每片晶圓的代工報價高達3萬美元,再次引發行業廣泛關注。最新數據顯示,得益于存儲芯片領域的技術優化,臺積電2nm制程自去年7月在新竹寶山晶圓廠風險試產以來,良率從去年底的60%快速攀升至當前的90%(256Mb SRAM)。從3nm節點的初期投產經驗看,良率爬坡是一大挑戰。但憑借3nm節點200萬片晶圓的量產經驗,將2nm工藝開發周期壓縮至18個月,良率僅用9個月便從30%提升至60%,
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- 隨著臺積電準備在今年晚些時候開始采用其 N2(2nm 級)工藝技術制造芯片,關于 N2 晶圓定價以及后續節點定價的傳言已經出現。我們已經知道,據報道,臺積電計劃對使用其 N30,000 技術加工的晶圓收取高達 2 美元的費用,但現在《中國時報》報道稱,該公司將對“更先進的節點”收取每片晶圓高達 45,000 美元的費用,據稱這指向該公司的 A16(1.6nm 級)節點。2nm 生產成本高“臺積電的 2nm 芯片晶圓代工價格已飆升至每片晶圓 30,000 美元,據傳 [更多] 先進節點將達到 45,000
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臺積電 1.6nm 工藝 晶圓
- 臺積電在過去幾年中穩步提高其最先進的半導體工藝節點的價格——如此之高,以至于一項分析表明, 晶體管成本在十多年里沒有下降。進一步的價格上漲,由關稅和不斷上升的開發成本推動,正在強化摩爾定律已經死亡的觀念。《商業時報》報道,臺積電即將推出的 N2 2 納米半導體每片晶圓將售價 3 萬美元,比該公司 3 納米芯片大約上漲了 66%。未來的節點預計將更加昂貴,并且可能僅限于最大的制造商使用。臺積電通過指出建造 2 納米晶圓廠的巨大成本來為其價格上漲辯護,這些成本最高可達 7.25 億美元。根
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臺積電 2nm
- 由于全球芯片供應過剩削弱了早期的樂觀預期,三星計劃在美國德克薩斯州投資超過370億美元的半導體制造項目建設進度滯后。據韓國業界消息,截至4月22日,三星電子位于德州泰勒市的工廠建設進度已達99.6%,通常情況下應開始搬入設備,但三星目前仍在猶豫是否下單。自2022年動工以來,泰勒工廠的建設時間表已多次推遲。該廠最初計劃于2024年下半年投入運營,后調整至2025年,2025年初又進一步推遲至2026年。同時,三星在本土也推遲了部分工廠建設進度,并在整體需求低迷的背景下縮減了投資。補貼面臨不確定性三星的泰勒
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三星 晶圓 代工 臺積電
- 去年 9 月,《華爾街日報》報道稱,臺積電和三星都訪問了阿聯酋,討論在那里建造晶圓廠。當美國政府表示需要保證美國將保證一定份額的容量并對該站點擁有事實上的主權時,與拜登政府關于該計劃的談判破裂。 現在有報道稱,美國中東特使史蒂夫·維特科夫 (Steve Witkoff) 已經與臺積電和阿聯酋總統兄弟控制的一家投資公司進行了“多次”會議。上個月,美國政府同意與阿聯酋合作,在阿布扎比建造一個大型人工智能數據中心,并讓阿聯酋購買 500,00 塊 Nvidia 的最新芯片。白宮當時表示,阿聯酋已同意“
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臺積電 阿聯酋 晶圓廠
- 據《商業時報》報道,隨著臺積電準備在 2H25 年量產 2nm,據報道,2nm 晶圓價格已達到每單位 30,000 美元,未來節點的價格可能會飆升至 45,000 美元。報告補充說,盡管成本高昂,但主要 CSP 將在未來 2 年內效仿 AMD、NVIDIA 和 Broadcom 采用該節點。商業時報援引供應鏈消息人士的話說,開發單個 2nm 芯片——從項目啟動到最終輸出——成本高達 7.25 億美元。盡管如此,頂級玩家仍在潛入——正如該報告所指出的,AMD 的下一代 EPYC“Venice”是 4 月份在
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臺積電 2nm 晶圓 CSP
- 雖然三星在 7nm 和 8nm 等成熟節點上獲得了牽引力(據報道來自任天堂的訂單),但它繼續在先進的 3nm 水平上苦苦掙扎。據韓國媒體 Chosun Biz 報道,即使經過三年的量產,其 3nm 良率仍保持在 50%。這使得三星更難贏得大型科技公司的信任,Chosun Biz 報道稱,谷歌的 Tensor G5 正在轉向臺積電的 3nm,遠離三星。正如 9to5Google 所強調的那樣,據報道,這家搜索引擎巨頭已在未來 3 到 5 年內與臺積電鎖定了 Tenso
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三星 3nm 良率 臺積電
- 臺積電在阿姆斯特丹舉行的歐洲技術研討會上重申了其對下一代高數值孔徑 EUV 光刻工具的長期立場。該公司的下一代工藝技術不需要這些最高端的光刻系統,包括 A16(1.6 納米級)和 A14(1.4 納米級)工藝技術。為此,TSMC 不會為這些節點采用 High-NA EUV 工具。“當臺積電使用 High-NA 時,人們似乎總是很感興趣,我認為我們的答案非常簡單,”副聯席首席運營官兼業務發展和全球銷售高級副總裁 Kevin Zhang 在活動中說。“每當我們看到 High-NA 將提供有意義、可衡
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臺積電 1.4nm 高數值孔徑 EUV
- 荷蘭阿斯麥(ASML)全新機臺卻讓臺積電望之卻步! 英媒指出,盡管阿斯麥最新一代的高數值孔徑(High-NA)極紫外光(EUV)微影設備性能強大,但因這款機臺單價高達4億美元,臺積電高層表示,目前「找不到非用不可的理由」,因此暫時沒有計畫在A14及其后續制程中導入。路透27日報導,這款先進機臺價格逼近4億美元,幾乎是晶圓廠現有最昂貴設備的兩倍。 目前,各家芯片制造商正在仔細評估,這款設備在曝光速度以及分辨率上面的提升,是否真的符合如此高昂的價格。臺積電技術開發資深副總經理張曉強表示,即便不使用High-N
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臺積電 ASML EUV 機臺
- 三星要向臺積電發出真正的挑戰? 根據韓媒《BusinessKorea》報導,三星為解決代工業務長期虧損及利益沖突問題,可能拆分代工業務,以擺脫長期虧損的泥沼。報導指出,在三星生物制藥(Samsung Biologics)5月22日宣布,將其合約開發和制造業務(CDMO)與生物相似藥(biosimilars)業務拆分后,三星可能將半導體事業代工業務拆分的議題再度浮上臺面。根據了解,三星想拆分代工業務,主因是三星半導體部門兼顧設計和生產,客戶擔心利益沖突。 三星作為全球第二大晶圓代工廠商,目前采用3納米制程制
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三星 臺積電 蘋果 英偉達
- 全球最大的合同芯片制造商臺積電制造股份有限公司 (2330.TW) 仍在評估何時將 ASML 的尖端高數值孔徑 (NA) 機器用于其未來的工藝節點,一位高管周二表示。芯片制造商正在權衡這些價值近 4 億美元的機器的速度和精度優勢何時會超過芯片制造廠中最昂貴的設備幾乎翻倍的價格標簽。當被問及臺積電是否計劃將這臺機器用于其即將推出的 A14 和未來節點的增強版本時,Kevin Zhang 表示,該公司尚未找到令人信服的理由。“A14,我所說的增強,在不使用 High-NA 的情況下非常可觀。因此,我們的技術團
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臺積電 ASML “High-NA”
- TSMC 將在歐洲建立其第一個設計中心,并正在尋求汽車應用內存技術的重大飛躍。歐盟設計中心 (EUDC) 將設在慕尼黑,預計將專注于汽車,但也將支持工業應用、人工智能 (AI)、電信和物聯網 (IoT) 的芯片設計。考慮到這一點,臺積電已對其 28nm 電阻式 RRAM 存儲器進行了汽車應用認證,預計 12nm 版本將滿足同樣嚴格的汽車質量要求,并計劃推出 6nm 版本。它還計劃推出 5nm MRAM 磁性存儲器。與 MRAM 一起,RRAM 是 16nm 以下工藝技術上閃存的關鍵替代品。臺積電的 22
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臺積電 5納米 MRAM
- 路透社 5 月 27 日星期二援引臺積電歐洲總裁 Paul de Bot 的話說,代工臺積電將在德國慕尼黑開設一個芯片設計中心。這將代表臺積電改變戰略,臺積電通常只專注于芯片制造,但此舉可能是由于歐洲缺乏領先的設計專業知識,以及需要“牽手”客戶以充分利用臺積電在德累斯頓建造的晶圓廠。該工廠將于 2027 年投產。這位臺積電高管在荷蘭阿姆斯特丹舉行的臺積電 2025 年歐洲技術研討會開幕式上發表講話,并表示設計中心將于 25 年第三季度開放。“它旨在支持歐洲客戶設計高密度、高性能和節能芯片,并再次專注于汽車
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