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政府工作報告再提「未來產業」,半導體機會在哪?

作者: 時間:2026-03-13 來源:半導體產業縱橫 收藏

今年政府工作報告明確提出,要建立未來產業投入增長和風險分擔機制,培育發展未來能源、量子科技、具身智能、腦機接口、6G等未來產業。構建促進專精特新中小企業發展壯大機制,培育獨角獸企業。高效用好國家創業投資引導基金,大力發展創業投資、天使投資,政府投資基金要帶頭做耐心資本,推動更多初創企業加快成長為科技領軍企業。

未來產業是新質生產力的核心載體,而半導體技術,正是支撐各大未來產業落地突破、實現產業化發展的底層核心使能技術。本文將逐一拆解這些未來產業賽道,厘清半導體產業在其中的主要機遇與發力方向。

未來能源:第三代寬禁帶半導體迎來規模化應用機遇

「未來能源」并非全新概念,此前已多次出現在國家級產業政策文件中。2024 年 1 月,工業和信息化部等七部門發布的《關于推動未來產業創新發展的實施意見》就已明確,未來能源的發展要聚焦核能、核聚變、氫能、生物質能等重點領域,打造「采集—存儲—運輸—應用」全鏈條的未來能源裝備體系。研發新型晶硅太陽能電池、薄膜太陽能電池等高效太陽能電池及相關電子專用設備,加快發展新型儲能,推動能源電子產業融合升級。

本質上,未來能源是指為應對氣候變化、保障能源安全與滿足可持續發展需求,正在加速研發、部署并逐步替代傳統化石能源的清潔、高效、低碳或零碳的能源體系。它不僅是能源技術的革新,更是新質生產力在能源領域的核心承載,強調通過技術創新和數字化、智能化手段,重構能源的生產、消費與管理模式。

而未來能源全場景的落地,關鍵是實現高效率電能轉換,以及器件在高壓、高溫、高頻工況下的穩定運行,這正是第三代寬禁帶半導體的優勢所在。其中,碳化硅(SiC)器件憑借優異的耐高壓、低損耗特性,成為新能源汽車主驅逆變器、儲能逆變器、光伏逆變器、直流充電樁等場景的核心器件;氮化鎵(GaN)器件則憑借高頻、高效的特點,廣泛適配消費電子快充、數據中心電源、儲能變流器等應用場景。除此之外,第四代半導體材料中的氧化鎵、金剛石,也憑借更極致的材料性能,在未來能源的超高壓、大功率場景中展現出巨大的發展潛力。

量子科技:半導體工藝,是量子芯片走出實驗室的關鍵

以量子計算、量子通信和量子精密測量為代表的量子信息技術是量子科技的重要組成部分,也是培育未來產業、構建新質生產力、推動高質量發展的重要方向之一。經過四十余年發展,量子信息領域逐步從基礎研究走向基礎與應用研究并重,開始進入科技攻關、工程研發、應用探索和產業培育一體化推進的發展階段。

在量子計算的多條主流技術路線中,半導體量子點(硅基自旋量子比特)路線是與現有半導體產業體系適配度最高的方向,其核心原理是通過與 CMOS 兼容的成熟工藝,在硅/硅鍺異質結構中構建量子點,目前 Intel、QuTech、中國科學技術大學等全球頂尖科研機構與企業均重點布局該路線。

這條技術路線的產業化突破,對半導體產業鏈的支撐環節提出了極高的精細化要求,也同步催生了全新的產業機遇。具體來看,半導體產業鏈的核心機會集中在四大方向:特種硅材料制備工藝、極低溫封裝與互連技術、用于量子點陣列制造的高精度刻蝕與薄膜沉積設備,以及面向量子電路設計的 Q-EDA 工具這一新興賽道。

2025 年 5 月,本源科儀(成都)科技有限公司自主研發的國產量子芯片設計工業軟件 Q-EDA「本源坤元」歷經第五次技術迭代,已成功突破大規模量子芯片設計的技術瓶頸。國產量子芯片設計工業軟件 Q-EDA「本源坤元」自 2022 年首次亮相并填補國內技術空白以來,已圍繞「大規模、高精度、自動化」的核心目標,成功進行了五次技術迭代升級。以 72 比特量子芯片設計為例,經過第五次迭代后的「本源坤元」,在工藝設計套件的支持下,能夠自動完成一站式快速版圖生成,僅需 6 分 50 秒即可高效繪制出 72 比特量子芯片的完整版圖。

盡管量子計算整體仍處于產業發展早期,但成熟的半導體制造能力,是量子芯片實現大規模集成、走向產業化落地的唯一現實路徑,相關設備、材料、IP、EDA 廠商可提前布局卡位,搶占產業先發優勢。

具身智能:高算力低功耗 AI 芯片與感知芯片集群成剛需

具身智能(Embodied Intelligence)是人工智能與機器人學交叉的前沿領域,強調智能體通過身體與環境的動態交互實現自主學習和進化,其核心在于將感知、行動與認知深度融合?。近年來,以人形機器人為代表的中國具身智能產業高速發展,基本實現核心硬件自主,在運動控制與智能決策、多模態與端到端能力等方面取得了諸多突破。

人形機器人的實時感知、快速決策與精準執行,對核心芯片提出了高算力、低延遲、低功耗的嚴苛要求,也為半導體產業帶來了三大機遇:一是用于物理 AI 模型訓練、推理與端側部署的AI 加速芯片;二是覆蓋視覺、IMU、觸覺、麥克風陣列等場景的多模態傳感器芯片集群;三是集成通信、安全、實時控制功能的MCU/SoC 主控芯片。

產業端的融資動態,也印證了具身智能賽道的高景氣度與國家層面的戰略傾斜。3 月 2 日,國內具身智能機器人企業銀河通用官宣完成 25 億元新一輪融資,投資方囊括了國家人工智能產業投資基金、中國石化、中信控股、中國銀行、上汽金控、中芯聚源等多家國家級、產業級資本,老股東也持續追加投資。值得關注的是,國家人工智能產業投資基金隸屬于國家大基金三期,此次投資也是國家大基金三期首次入局具身智能賽道,充分體現了頂層資本對該領域核心硬件與半導體技術的長期看好。

腦機接口:需要全鏈條半導體技術突破

2026 年,腦機接口首次被寫入政府工作報告,正式躋身國家重點培育的未來產業行列,產業發展的戰略地位迎來全面躍升。此前,工業和信息化部等七部門已聯合印發《關于推動腦機接口產業創新發展的實施意見》,為產業發展劃定清晰路線:提出到 2027 年實現電極、芯片、整機產品性能達到國際先進水平,到 2030 年產業綜合實力邁入世界前列的發展目標。

2025 年也被視作中國腦機接口產業的「臨床元年」,產業從實驗室研發加速向臨床應用落地。目前腦機接口的瓶頸,集中在器件的信號采集精度、功耗控制、生物相容性與長期植入穩定性等方面,對半導體技術提出了全方位的定制化要求。


從產品與技術落地來看,半導體產業的主要機遇集中在三大核心方向:一是高通量神經記錄/刺激 SoC 芯片,目前國產廠商已實現 1000+通道的技術突破,是腦機接口信號交互的核心載體;二是適配腦曲面的柔性電路板(FPC)與柔性封裝技術,解決植入器件與人體組織的適配性難題;三是基于憶阻器的類腦芯片,可實現神經信號的原位學習,有望突破馮·諾依曼架構的算力瓶頸。

而要實現上述產品的規模化落地,還需半導體產業鏈突破多項核心工藝:包括適配植入場景的生物兼容 CMOS 工藝開發、超低噪聲模擬前端(AFE)設計、植入式無線供能與數據傳輸芯片研發,以及高密度饋通與 3D 集成封裝技術。未來,國內半導體企業可深度參與從神經電極、核心芯片到封裝測試的全鏈條環節,助力我國打造全球領先的腦機接口醫療電子硬件平臺。

臨床端的突破,正是中國腦機接口產業實力的最好印證。由北京腦科學與類腦研究所聯合其孵化的北京芯智達神經技術有限公司,成功研發出半侵入式「北腦一號」、侵入式「北腦二號」兩套智能腦機系統,技術水平穩居全球第一梯隊。其中「北腦一號」更是國際首個實現失語患者語言解碼的無線全植入腦機系統,2025 年 3 月 20 日,它完成了全球首例無線植入式中文語言腦機接口臨床應用,讓漸凍癥失語患者重新獲得了交流能力,這一成果也成功入選「2025 年中國十大科技進展」。

6G 通信:化合物半導體與光子集成開啟新增長賽道

6G 作為下一代移動通信技術的核心,以太赫茲頻段(>100GHz)通信、空天地一體化組網、AI 原生網絡為三大核心特征,是數字經濟基礎設施升級的核心方向,也是本次政府工作報告重點提及的未來產業之一。

6G 技術的落地,將推動射頻技術與光電子技術的深度融合,也為半導體產業開辟了全新的增長戰場,核心機遇集中在四大方向:一是化合物半導體射頻前端芯片,其中氮化鎵(GaN)器件是基站功率放大器的核心方案,磷化銦(InP)器件則成為太赫茲頻段信號收發的關鍵載體;二是硅光集成技術,可廣泛應用于數據中心高速光互連與 6G 前傳網絡;三是基于 RISC-V 架構的通信基帶芯片,可大幅降低架構授權成本,提升產業鏈自主水平;四是高頻先進濾波器與天線封裝集成技術,包括 BAW/FBAR 濾波器、AiP 天線封裝等核心環節。

整體來看,化合物半導體、硅光集成、先進封裝將成為 6G 時代半導體產業的核心競爭賽道。

結語

未來產業從來不是遙不可及的概念,而是已經形成清晰技術路線、明確市場需求,正加速落地的新質生產力引擎。半導體作為所有未來產業發展的底層使能技術,不再僅僅是產業發展的「支撐者」,更將成為技術路線與產業生態的「定義者」。隨著頂層政策的持續加碼、產業資本的不斷涌入,國內半導體產業將在與未來產業的深度融合中,迎來全新的發展機遇與增長空間。


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